3d 閃存文章最新資訊

3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)

5 月 5 日消息，鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲(chǔ)備，雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC，通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存

【2023 年 4 月 25日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存，助力打造下一代汽車電子電氣（E/E）架構(gòu)。英飛凌 SEMPER? X1 LPDDR 閃存為汽車域和區(qū)域控制器提供至關(guān)重要的安全、可靠和實(shí)時(shí)的代碼執(zhí)行。該器件的性能是當(dāng)前NOR 閃存的8 倍，實(shí)時(shí)應(yīng)用程序的隨機(jī)讀取事務(wù)速度提高了 20 倍。這使得軟件定義的車輛具有增強(qiáng)安全性和架構(gòu)靈活性的高級功能。下一代汽車更智能、更網(wǎng)聯(lián)、更復(fù)雜，并
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以汽車為目標(biāo)，英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存

IT之家 4 月 23 日消息，隨著各大車企都轉(zhuǎn)向軟件定義的汽車架構(gòu)，下一代車型的設(shè)計(jì)卻在內(nèi)存方面面臨著問題。由于許多原因，傳統(tǒng)的 xSPI NOR 閃存已逐漸無法滿足用戶的需求。為了滿足汽車區(qū)域架構(gòu)的新需求，英飛凌科技宣布推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存。該公司將閃存與 LPDDR 接口結(jié)合在一起，從而實(shí)現(xiàn)了比 xSPI NOR 閃存更高的性能和可擴(kuò)展性。據(jù)介紹，這款名為 SEMPER X1 的新型閃存設(shè)備借鑒了已有 10 年歷史的 LPDRR4 DRAM 的 LPDDR 接口方案，并將其應(yīng)用于
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英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品

【2023 年 04 月 10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲(chǔ)器經(jīng)過專門優(yōu)化，適合在電池供電的小型電子設(shè)備中使用。健身追蹤器、智能耳機(jī)、健康監(jiān)測儀、無人機(jī)和 GPS 導(dǎo)航等新型可穿戴應(yīng)用及工業(yè)應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，有助于實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強(qiáng)安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進(jìn)的功能和使用場景要求在體積更小的電子設(shè)備中配備更大容量的存儲(chǔ)器。據(jù)Omdia 數(shù)據(jù)顯示，藍(lán)牙耳
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群聯(lián)：閃存價(jià)格便宜，需求倍數(shù)增加中

據(jù)中國臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，針對市場關(guān)注的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)景氣，群聯(lián)電子CEO潘健成于3月28日表示，今年IC設(shè)計(jì)很辛苦，不過在原廠賠本賣的狀況下，不認(rèn)為這樣的狀態(tài)會(huì)持續(xù)太久，且因?yàn)榭扉W存儲(chǔ)器價(jià)格便宜，看到需求倍數(shù)增加中。潘健成表示，現(xiàn)階段原廠做1顆賠2、3顆，這樣的狀況不會(huì)太久，可能很快會(huì)有公司宣布減產(chǎn)，而控制器設(shè)計(jì)因?yàn)榫皻獠缓猛ｎD了6-9個(gè)月，但群聯(lián)在市場好的時(shí)候，存了不少冬糧，并且正向看待市場對快閃存儲(chǔ)器需求和應(yīng)用會(huì)越用越多，新的制程也會(huì)愈來愈多。而據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，NAND Fl
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告別存儲(chǔ)寒冬，2023全球閃存市場需求將回暖？

3月23日，長江存儲(chǔ)首席運(yùn)營官程衛(wèi)華對外表示，預(yù)計(jì)2023年全球閃存需求將回暖，供需趨于平衡。全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，NAND Flash市場自2022年下半年以來面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對，此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%。進(jìn)入2023年第一季度，集邦咨詢指出，鎧俠、美光產(chǎn)線持續(xù)低負(fù)載，西部數(shù)據(jù)、SK海力士將跟進(jìn)減產(chǎn)，有機(jī)會(huì)緩解目前供給過剩的情況，NAND Flash均價(jià)跌幅也將收斂至10~15%。經(jīng)歷過2022年“寒冬”之后，
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平面→立體，3D DRAM重定存儲(chǔ)器游戲規(guī)則？

近日，外媒《BusinessKorea》報(bào)道稱，三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱這將改變存儲(chǔ)器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
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外媒：存儲(chǔ)大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化

據(jù)外媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長兼工藝開發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區(qū)三成洞韓國貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來增長動(dòng)力?？紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
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芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”

國內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺(tái)在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國際在線平臺(tái)3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”稱號。? “Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺(tái)用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D InCi
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芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”

國內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺(tái)在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國際在線平臺(tái)3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”稱號。?“Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺(tái)用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D?InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D
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支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新

本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái)，包括一個(gè)或多
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不是“空中樓閣”：努比亞Pad 3D搭載全球最大Leia 3D內(nèi)容生態(tài)

近日，努比亞宣布，將在MWC 2023上，公布全球首款由AI引擎驅(qū)動(dòng)3D平板：努比亞Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鮮技術(shù)，這難免讓人懷疑這款努比亞Pad 3D的最大賣點(diǎn)，是否會(huì)向其他同類產(chǎn)品一樣，淪為“空中樓閣”。而今天，努比亞打消了用戶的這一顧慮。今天，努比亞官方宣布，努比亞Pad 3D將搭載全球最大的Leia 3D內(nèi)容生態(tài)系統(tǒng)，包含大量運(yùn)用裸眼3D技術(shù)的App，并獲得了來自多個(gè)包括Unity、UNREL等游戲引擎，以及GAMELOFT等游戲開發(fā)商的內(nèi)容支持。
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意法半導(dǎo)體和鈺立微電子在 CES 2023上展出合作成果：適用于機(jī)器視覺和機(jī)器人的3D 立體視覺攝像頭

雙方將通過立體攝像頭數(shù)據(jù)融合技術(shù)演示3D立體深度視覺， *AIoT 、AGV小車和工業(yè)設(shè)備依靠3D立體攝像頭跟蹤快速運(yùn)動(dòng)物體參考設(shè)計(jì)利用意法半導(dǎo)體的高性能近紅外全局快門圖像傳感器，確保打造出最佳品質(zhì)的深度感測和*點(diǎn)云圖資訊2023年1月5日，中國----在 1 月 5 日至 8 日舉行的拉斯維加斯CES 2023 消費(fèi)電子展上，服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)，和專
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30萬次壽命國產(chǎn)廠商綠芯推出超耐用SSD：10GB起步

隨著閃存從SLC、MLC向TLC、QLC升級，P/E寫入壽命越來越短，從之前的萬次以上減少到如今千次內(nèi)，好在對一些工控領(lǐng)域來說，廠商還會(huì)專門打造超耐用SSD，國產(chǎn)SSD廠商綠芯科技Greenliant日前宣布推出ArmourDrive EX系列硬盤，擁有多達(dá)30萬次的P/E壽命。ArmourDrive EX系列硬盤有mSATA及SATA M.2 2242兩種規(guī)格，支持EnduroSLC技術(shù)，P/E壽命根據(jù)不同容量在60K、120K及300K之間——也就是最高30萬次，這個(gè)性能比早期的SLC閃存還要耐用，后
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國產(chǎn)閃存受阻：三星馬上就漲價(jià)！

在閃存領(lǐng)域突飛猛進(jìn)的長江存儲(chǔ)，還是遭到了美國的制裁，被列入“實(shí)體清單”，幾乎是同一時(shí)間，三星就開始漲價(jià)了！DigiTimes報(bào)道稱，隨著長江存儲(chǔ)遭到制裁，部分PC廠商不得不暫停合作，而面對突然增加的市場需求，三星將其3D NAND閃存的報(bào)價(jià)提高了10％。當(dāng)然，同樣作為NAND閃存巨頭，SK海力士、美光、鎧俠/西部數(shù)據(jù)也有機(jī)會(huì)獲得更多市場，但三星畢竟是全球第一大NAND閃存供應(yīng)商，今年第二季度份額為33％，雖然下跌了2.3個(gè)百分點(diǎn)但依然遙遙領(lǐng)先。相比之下，SK
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