3d 閃存文章最新資訊

三星電子236層NAND閃存預(yù)計(jì)年內(nèi)開始生產(chǎn)

據(jù)國外媒體報(bào)道，當(dāng)前全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子，預(yù)計(jì)會(huì)在年內(nèi)開始生產(chǎn)236層NAND閃存。此外，它還計(jì)劃在本月開設(shè)一個(gè)新的研發(fā)中心，負(fù)責(zé)更先進(jìn)NAND閃存產(chǎn)品的開發(fā)。韓國媒體在報(bào)道中還表示，三星目前量產(chǎn)的NAND閃存，最高是176層，在236層的產(chǎn)品量產(chǎn)之后，三星電子NAND閃存的層數(shù)就將創(chuàng)下新高。從韓國媒體的報(bào)道來看，三星電子對(duì)即將量產(chǎn)的236層NAND閃存寄予了厚望。他們?cè)趫?bào)道中就表示，在NAND閃存市場(chǎng)，三星電子的市場(chǎng)份額占了35%，為全球最高。將層數(shù)增加60層后，他們計(jì)劃憑借生產(chǎn)技術(shù)、價(jià)格及
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金士頓推出DataTraveler Max閃存盤新品

中關(guān)村在線消息，金士頓于近日發(fā)布了Type-A和Type-C接口的DataTraveler Max系列高性能閃存盤新品。其特點(diǎn)是采用了USB 3.2 Gen 2方案，具有高達(dá)1000 MB/s的讀取、以及900 MB/s的寫入速度。此外該系列閃存盤采用了帶橫紋的伸縮頭設(shè)計(jì)，能夠在收納時(shí)更好地保護(hù)USB接頭。金士頓表示，DataTraveler Max系列高性能閃存盤設(shè)計(jì)之初就充分考慮到了便攜性和便利性，黑/紅外殼可一眼分辨其接口，并帶有掛繩孔和LED狀態(tài)指示燈。容量方面，DataTraveler Max系
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場(chǎng)，將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長(zhǎng)江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺(tái)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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存儲(chǔ)芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠商只花了6年

近日，有消息稱，國內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初，會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了?？梢?，國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國芯片傳來捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存送樣，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

頭一段時(shí)間，有媒體報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案推動(dòng)2D/3D IC升級(jí)

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
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英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車用3D圖像傳感器

3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng)新的汽車智能座艙，支持新服務(wù)的無縫接入，并提高被動(dòng)安全。它們對(duì)于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評(píng)級(jí)要求，以及實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時(shí)間）系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開發(fā)出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)，具有更高的分辨率。
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英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用

增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟惖纳詈凸ぷ鞣绞?。預(yù)計(jì)今年下半年，AR領(lǐng)域的開拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級(jí)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，將成為市場(chǎng)上最具沉浸感的企業(yè)級(jí)AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計(jì)，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強(qiáng)大的計(jì)算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程，并支持員工進(jìn)行無縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢(shì)之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎？

5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問題之前，我
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西部數(shù)據(jù)推出模塊化高性能存儲(chǔ)解決方案,助力創(chuàng)作者創(chuàng)意呈現(xiàn)

西部數(shù)據(jù)公司在日前舉辦的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會(huì)”上發(fā)布了旗下閃迪?及閃迪大師品牌的創(chuàng)新產(chǎn)品，包括模塊化固態(tài)硬盤系統(tǒng)以及全新升級(jí)的UHS-I SD?和microSD?存儲(chǔ)卡，旨在為世界各地的內(nèi)容創(chuàng)作者和專業(yè)人士提供更好的支持。無論是在工作室內(nèi)創(chuàng)作影視大片，還是在戶外現(xiàn)場(chǎng)拍攝素材片段，全新發(fā)布的解決方案將為內(nèi)容創(chuàng)作者帶來高性能、可擴(kuò)展且極具可靠性的解決方案，助力他們實(shí)現(xiàn)無限可能。西部數(shù)據(jù)消費(fèi)者解決方案高級(jí)副總裁Jim Welsh表示：“閃迪大師品牌致力于為追尋理想不斷前行的人提供高品質(zhì)的存儲(chǔ)解
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西部數(shù)據(jù)擴(kuò)充旗下WD_BLACK SSD產(chǎn)品組合,滿足各類游戲玩家的多樣化需求

西部數(shù)據(jù)公司在日前舉行的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會(huì)”上宣布：旗下專為游戲玩家打造的WD_BLACK品牌再度擴(kuò)充產(chǎn)品組合，推出WD_BLACK? SN850X NVMe? SSD和WD_BLACK P40 游戲移動(dòng)固態(tài)硬盤兩款新品，旨在進(jìn)一步提升玩家游戲體驗(yàn)，為玩家升級(jí)PC和主機(jī)的存儲(chǔ)系統(tǒng)提供更多選項(xiàng)。AMD（超威半導(dǎo)體）企業(yè)科研理事兼計(jì)算與圖形首席技術(shù)官Joe Macri表示：“AMD很高興能與西部數(shù)據(jù)持續(xù)開展深度合作，為玩家提供卓越的游戲體驗(yàn)。隨著游戲變得更加讓人身臨其境，玩家們也越來越青睞
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西部數(shù)據(jù)全新定制化SSD產(chǎn)品,助力混合工作模式,發(fā)掘數(shù)據(jù)價(jià)值

西部數(shù)據(jù)公司在日前舉辦的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會(huì)”上推出了全新的西部數(shù)據(jù)?PC SN740 NVMe? SSD，旨在滿足當(dāng)今混合辦公趨勢(shì)的獨(dú)特需求，為用戶帶來更佳的計(jì)算體驗(yàn)。西部數(shù)據(jù)公司閃存業(yè)務(wù)部門消費(fèi)級(jí)及企業(yè)級(jí)SSD副總裁Eric Spanneut表示：“過去幾年，混合和遠(yuǎn)程辦公模式已成為企業(yè)的‘新常態(tài)’，這也推動(dòng)了PC出貨量的顯著增長(zhǎng)。工作習(xí)慣和辦公場(chǎng)所的改變，為我們帶來了巨大的市場(chǎng)機(jī)遇。我們致力于為企業(yè)級(jí)和商用PC 的OEM廠商提供輕薄的存儲(chǔ)解決方案，在保證低能效的前提下，提供強(qiáng)大的性
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西部數(shù)據(jù)公司推出全新大容量SSD產(chǎn)品支持大規(guī)模云數(shù)據(jù)中心的高性能表現(xiàn)

西部數(shù)據(jù)公司在日前舉行的“What’s Next數(shù)造輝煌發(fā)布會(huì)”上宣布：公司新款Ultrastar? NVMe? PCIe? 4.0 SSD正在向部分超大規(guī)?？蛻艚桓稑悠??；谖鞑繑?shù)據(jù)強(qiáng)大的垂直整合優(yōu)勢(shì)，新款SSD旨在提供大規(guī)模的高性能產(chǎn)品支持，同時(shí)降低公有云部署的TCO。如今，云基礎(chǔ)設(shè)施逐漸往分布式架構(gòu)發(fā)展，為不斷增長(zhǎng)的 “即服務(wù)“ 產(chǎn)品提供了彈性、可擴(kuò)展性和可預(yù)測(cè)性。將存儲(chǔ)與計(jì)算分離，使大容量數(shù)據(jù)中心NVMe SSD 成為熱門的細(xì)分品類——可提高存儲(chǔ)利用率，增加數(shù)據(jù)中心機(jī)柜密度，以適應(yīng)虛擬化和多租戶環(huán)
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