3d 閃存文章最新資訊

鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲(chǔ)器開(kāi)始送樣

全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術(shù)的?512Gb TLC存儲(chǔ)器已開(kāi)始送樣（1）。該產(chǎn)品計(jì)劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲(chǔ)市場(chǎng)提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應(yīng)用。為應(yīng)對(duì)尖端應(yīng)用市場(chǎng)的多樣化需求，同時(shí)提供兼具投資效益與競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
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在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生

從5月29日美國(guó)政府頒布對(duì)華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時(shí)間里中美之間的博弈從未停止，但對(duì)于EDA公司來(lái)說(shuō)，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶(hù)的還是要靠自身產(chǎn)品的實(shí)力。作為芯片設(shè)計(jì)最前沿的工具，EDA廠(chǎng)商需要深刻理解并精準(zhǔn)把握未來(lái)芯片設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計(jì)工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場(chǎng)全球性的競(jìng)賽，將在未來(lái)十年內(nèi)重新定義幾乎每個(gè)領(lǐng)域。在過(guò)去幾個(gè)月美國(guó)四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢(shì)，這些趨
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西門(mén)子EDA推新解決方案，助力簡(jiǎn)化復(fù)雜3D IC的設(shè)計(jì)與分析流程

●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設(shè)計(jì)流程●? ?Calibre 3DStress?可在設(shè)計(jì)流程的各個(gè)階段對(duì)芯片封裝交互作用進(jìn)行早期分析與仿真西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化?(EDA)?產(chǎn)品組合新增兩大解決方案，助力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設(shè)計(jì)與制造的復(fù)雜挑戰(zhàn)。西門(mén)
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2.5D/3D 芯片技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體封裝發(fā)展

來(lái)自日本東京科學(xué)研究所（Science Tokyo）的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）方法，即使用焊料凸塊將半導(dǎo)體芯片排列在二維平面（2D）中，具有與尺寸相關(guān)的限制，因此需要開(kāi)發(fā)新型芯片集成技術(shù)。對(duì)于高性能計(jì)算，研究人員通過(guò)采用 3D 堆棧計(jì)算架構(gòu)開(kāi)發(fā)了一種新穎的電源技術(shù)，該架構(gòu)由直接放置在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器堆棧上方的處理單元組成，標(biāo)志著 3D 芯片封裝的重大進(jìn)步。為了實(shí)現(xiàn) BBCube，研究人員開(kāi)發(fā)了涉及精確和高速粘合
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中

存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器（1T1C）和三個(gè)晶體管、零電容器（3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測(cè)該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫(xiě)速度和超過(guò) 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計(jì)的測(cè)試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出
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3D打印高性能射頻傳感器

中國(guó)的研究人員開(kāi)發(fā)了一種開(kāi)創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實(shí)現(xiàn)了深溝槽，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了對(duì)共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子）和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達(dá) 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應(yīng)用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿(mǎn)足對(duì)超精細(xì)、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴(kuò)展性。該技術(shù)
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閃存，是如何工作的？

NAND閃存將單元串聯(lián)排列以實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)，優(yōu)先考慮寫(xiě)入/擦除速度而不是直接尋址。
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閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實(shí)現(xiàn) AI

Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱(chēng)該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應(yīng)用。當(dāng) Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)公司 Western Digital 分拆出來(lái)時(shí)，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時(shí)追求新興顛覆性?xún)?nèi)存技術(shù)的開(kāi)發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內(nèi)存技術(shù)高級(jí)副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱(chēng)之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
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復(fù)旦大學(xué)研發(fā)出史上最快閃存，每秒操作25億次！

近日，復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)研發(fā)出一種名為“破曉（PoX）”的皮秒級(jí)閃存器件，其擦寫(xiě)速度達(dá)到亞納秒級(jí)別，比現(xiàn)有技術(shù)快1萬(wàn)倍，數(shù)據(jù)保存年限據(jù)實(shí)驗(yàn)外推可達(dá)十年以上。相關(guān)研究成果已登上國(guó)際頂級(jí)期刊《Nature》。該項(xiàng)目由復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院的周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)完成。周鵬教授現(xiàn)任復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院副院長(zhǎng)，長(zhǎng)期致力于集成電路新材料與新器件的研究。劉春森博士為青年研究員，與周鵬教授共同擔(dān)任論文通訊作者。傳統(tǒng)閃存器件中，硅材料的性能受限于電子有效質(zhì)量和聲子散射等因素，導(dǎo)致熱載流子注入效率
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SK海力士完成與英特爾的最終交割

SK海力士將于2025年3月（協(xié)議預(yù)設(shè)的最早時(shí)間點(diǎn)）支付收購(gòu)尾款，完成與英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的最終交割。隨著交易的完成，將加強(qiáng)SK海力士在全球NAND閃存市場(chǎng)的地位，尤其是企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（SSD）方面。隨著AI技術(shù)的普及和應(yīng)用，存儲(chǔ)需求正在不斷增長(zhǎng)，HBM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士卻沒(méi)有停止擴(kuò)張的步伐，這次收購(gòu)將使SK海力士與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星展開(kāi)直接競(jìng)爭(zhēng)?！?2020年10月，SK海力士與英特爾達(dá)成協(xié)議，宣布以90億美元收購(gòu)其N(xiāo)AND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
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新型高密度、高帶寬3D DRAM問(wèn)世

3D DRAM 將成為未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要競(jìng)爭(zhēng)者。
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十年磨一劍：三星引入長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)利技術(shù)

近日，三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專(zhuān)利許可協(xié)議。不過(guò)，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專(zhuān)利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開(kāi)始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨(dú)立的硅片上制造，因此需要長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專(zhuān)利技術(shù)W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)?——?通過(guò)直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
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西部數(shù)據(jù)宣布完成閃存業(yè)務(wù)分拆計(jì)劃

當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月24日，NAND Flash廠(chǎng)商西部數(shù)據(jù)（Western Digital ）正式宣布，已成功完成對(duì)閃存業(yè)務(wù)的分拆計(jì)劃。圖片來(lái)源：西部數(shù)據(jù)據(jù)悉，分拆后的閃存業(yè)務(wù)將重新以獨(dú)立的閃迪（Sandisk）公司名義運(yùn)營(yíng)，由原西部數(shù)據(jù)CEO David Goeckeler轉(zhuǎn)任閃迪CEO，而西部數(shù)據(jù)則將再次專(zhuān)注于機(jī)械硬盤(pán)HDD業(yè)務(wù)，由現(xiàn)任全球運(yùn)營(yíng)執(zhí)行副總裁Irving Tan出任CEO。2016年，西部數(shù)據(jù)以190億美元的高價(jià)收購(gòu)了閃迪，并在2020年將閃存與HDD整合成兩大獨(dú)立業(yè)務(wù)部門(mén)。不過(guò)在2022年，存
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兩項(xiàng)閃存技術(shù)革新，美光、鎧俠各有動(dòng)作

DeepSeek等AI模型驅(qū)動(dòng)之下，存儲(chǔ)器市場(chǎng)備受青睞。長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，AI等熱潮將推動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)需求上漲，高容量存儲(chǔ)需求有望為NAND Flash（閃存）市場(chǎng)提供新的增長(zhǎng)動(dòng)力。這一過(guò)程中，少不了技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)品迭代。值得一提的是，為了提升存儲(chǔ)技術(shù)的創(chuàng)新能力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，一些存儲(chǔ)廠(chǎng)商之間正在進(jìn)行技術(shù)共享和聯(lián)合研發(fā)的合作。近期，美光、鎧俠等公司閃存技術(shù)迎來(lái)革新，涉及3D NAND Flash與PCIe 6.0 SSD。鎧俠X閃迪革新3D閃存技術(shù)：4.8Gbps、332層堆疊！在近期召開(kāi)的2025年IE
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從閃存到MRAM：滿(mǎn)足現(xiàn)代FPGA配置的需求

在技術(shù)飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車(chē)應(yīng)用正在重新定義人們對(duì)現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來(lái)存儲(chǔ)配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應(yīng)用；然而，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及對(duì)更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲(chǔ)選項(xiàng)。這種轉(zhuǎn)變的催化劑在于應(yīng)用和行業(yè)的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應(yīng)用的極限，要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運(yùn)行效率等方面更進(jìn)一步?，F(xiàn)代應(yīng)用需要更先進(jìn)的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)和先進(jìn)的互連航空電子技術(shù)等應(yīng)用
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