3d 閃存文章最新資訊

SSD跌成白菜價(jià) 三星急忙出手：閃存逆市漲價(jià)10%

2022年內(nèi)存及閃存兩種存儲芯片的價(jià)格一直在下滑，以致于SSD硬盤跌成白菜價(jià)了，2TB不到700元，但是這樣的價(jià)格也讓閃存廠商很難受，三星已經(jīng)開始出手逆轉(zhuǎn)價(jià)格，12月份閃存漲價(jià)10%。據(jù)電子時(shí)報(bào)援引供應(yīng)鏈消息，雖然市場需求低迷，但三星12月上半月依舊選擇上調(diào)NAND閃存價(jià)格，其中3D NAND閃存價(jià)格漲幅高達(dá)10%。三星是全球第一大閃存供應(yīng)商，Q2季度的銷售額59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，所占的份額也由上一季度的35.3%降至33%，依然遙遙領(lǐng)先其他廠商。a收購Intel閃存業(yè)務(wù)之后，SK海力士成立了
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如何達(dá)到3D位置感測的實(shí)時(shí)控制

本文回顧3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的基礎(chǔ)知識，并描述在機(jī)器人、篡改偵測、人機(jī)接口控制和萬向節(jié)馬達(dá)系統(tǒng)中的用途；以及介紹高精密度線性3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的范例。用于實(shí)時(shí)控制的3D位置感測在各種工業(yè)4.0應(yīng)用中不斷增加，從工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化系統(tǒng)，到掃地機(jī)器人和保全。3D霍爾效應(yīng)位置傳感器是這些應(yīng)用的理想選擇；它們具有高重復(fù)性和可靠性，還可以與窗戶、門和外殼搭配，進(jìn)行入侵或磁性篡改偵測。盡管如此，使用霍爾效應(yīng)傳感器設(shè)計(jì)有效且安全的3D感測系統(tǒng)可能復(fù)雜且耗時(shí)。霍爾效應(yīng)傳感器需要與足夠強(qiáng)大的微控制器（MCU）介接，以
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大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識別門禁系統(tǒng)方案

2022年11月16日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于耐能（Kneron）KL520芯片的3D AI人臉識別門禁系統(tǒng)方案。圖示1-大聯(lián)大世平基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識別門禁系統(tǒng)方案的展示板圖在現(xiàn)代化經(jīng)濟(jì)建設(shè)和智能管理的驅(qū)動(dòng)下，人工智能門禁系統(tǒng)作為安防基礎(chǔ)核心迎來了前所未有的廣闊前景。特別是在疫情這個(gè)特殊情境下，各種酒店、賓館、寫字樓、智能大廈、政府機(jī)關(guān)等單位，對于多功能智能門禁系統(tǒng)的需求更是日益攀高。在此趨勢下，大
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Arm Immortalis 實(shí)現(xiàn) 3D 游戲新境界

新聞重點(diǎn)· 隨著業(yè)界首次采用 Arm 2022 全面計(jì)算解決方案，Arm 持續(xù)提高安卓生態(tài)系統(tǒng)的性能標(biāo)桿· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光線追蹤，將為高級移動(dòng)游戲提供超真實(shí)的圖形性能· Arm Cortex-X3 所提供的計(jì)算基礎(chǔ)可為新一代智能手機(jī)提供具有智能能效的旗艦性能Arm? 今日宣布，MediaTek 近期發(fā)布的天璣 9200 移動(dòng)芯片采用了 Arm 旗艦級 GPU Arm Immortalis?-G
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TLC顆粒SSD的好日子不多了廠商放言：必被QLC取代

Intel把閃存業(yè)務(wù)賣給SK海力士后，后者孵化出名為Solidigm的消費(fèi)級/企業(yè)級品牌，關(guān)系類似于美光和英睿達(dá)。日前在Tech Field Day 2022技術(shù)峰會(huì)上，Solidigm預(yù)覽了旗下第4代192層3D閃存芯片，不過是QLC顆粒（4bits/cell）?？磥鞩ntel此前的QLC技術(shù)積累被SK海力士完全保留，后者還指出，雖然當(dāng)前出貨的閃存芯片80%都是TLC，但QLC遲早會(huì)取代它。顯然最重要的原因還是成本效應(yīng)，QLC顆粒存儲密度更高，也更容易做到大容量。
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業(yè)界首個(gè)！華為首發(fā)微存儲新品：1ms穩(wěn)定低時(shí)延

華為全聯(lián)接大會(huì)2022中國深圳站期間上，華為發(fā)布業(yè)界首個(gè)面向數(shù)據(jù)中心Diskless架構(gòu)的微存儲——華為OceanStor Micro系列，打造綠色集約、安全可靠的數(shù)據(jù)中心。據(jù)了解，華為OceanStor Micro微存儲本質(zhì)上是傳統(tǒng)盤框的智能化升級，以基于NOF+技術(shù)的高速網(wǎng)絡(luò)連接Diskless服務(wù)器，支持上層分布式軟件的透明訪問，實(shí)現(xiàn)計(jì)算和存儲資源獨(dú)立彈性擴(kuò)展，消除兩者的生命周期管理差異。華為閃存存儲領(lǐng)域總裁黃濤詳細(xì)闡述了OceanStor Micro微存儲的創(chuàng)新設(shè)計(jì)理念。他
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傳輸速度高達(dá)2400Mtps，三星量產(chǎn)第八代V-NAND閃存

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近期三星電子宣布已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。據(jù)悉，三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達(dá)2400MTps的傳輸速度，搭配高端主控使用可以讓消費(fèi)級SSD的傳輸速度達(dá)到直接越級的12GBps。三星電子表示，第八代V-NAND閃存會(huì)提供128GB+1TB的搭配方案，具體的細(xì)則比如芯片的大小和實(shí)際密度等數(shù)據(jù)并沒有做詳細(xì)介紹，但是三星電子表示其擁有業(yè)界最高的比特密度。官方表示，第八代V-NAND閃存芯片相比于現(xiàn)階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生
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三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品，但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當(dāng)搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費(fèi)級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實(shí)際密度，不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，
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臺積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個(gè)合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟

臺積電10月27日宣布，成立開放創(chuàng)新平臺（OIP）3D Fabric聯(lián)盟以推動(dòng)3D半導(dǎo)體發(fā)展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個(gè)合作伙伴同意加入。據(jù)悉，3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術(shù)，使得他們能夠與臺積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案，也
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IQE 宣布與全球消費(fèi)電子領(lǐng)導(dǎo)者達(dá)成長期戰(zhàn)略協(xié)議

- 長期批量供應(yīng)協(xié)議即刻生效- 為下一代 3D 傳感應(yīng)用開發(fā) VCSEL 技術(shù)- 進(jìn)一步加強(qiáng) IQE 作為 3D 傳感市場領(lǐng)導(dǎo)者的地位 IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡稱“IQE”或“集團(tuán)”），全球領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品和先進(jìn)材
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為什么會(huì)有 80GB / 320GB 這樣 "非標(biāo)準(zhǔn)" 容量的存儲卡

在過去很長時(shí)間里，存儲卡的容量都是 2 的 N 次方，比如 2GB、4GB、8GB、16GB…… 但在 CFast、XQD、CFexpress 卡出現(xiàn)以后，市場上就出現(xiàn)了 80GB、120GB、240GB、325GB…… 等“非標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格”。這背后的原因是什么？正式動(dòng)筆后，我發(fā)現(xiàn)這件事情并不是三言兩語能夠講清楚的……ET 會(huì)盡量剝離掉與大家關(guān)系不大的知識點(diǎn)，大家在閱讀時(shí)也可以忽略括號和 * 內(nèi)的部分?？破沾鎯?、固態(tài)硬盤都以閃存顆粒（NAND Flash）作為存儲介質(zhì)，而閃存顆粒本身是有擦寫次數(shù)限制的（即寫
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西門子推軟件解決方案加快簡化2.5D/3D IC可測試性設(shè)計(jì)

西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案，旨在幫助客戶加快和簡化基于2.5D和3D架構(gòu)的新一代集成電路（IC）關(guān)鍵可測試性設(shè)計(jì)（DFT）。隨著市場對于更小巧、更節(jié)能和更高效能的IC需求日益提升，IC設(shè)計(jì)界也面臨著嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。下一代組件正傾向于采用復(fù)雜的2.5D和3D架構(gòu)，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式連接多個(gè)晶粒，使其能夠作為單一組件運(yùn)作。但是，這種做法為芯片測試帶來巨大的挑戰(zhàn)，因?yàn)榇蟛糠謧鹘y(tǒng)的測試方法都是基于常規(guī)的2D流程。為了解決這些挑戰(zhàn)，西門子推出Tess
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高手在民間世界技能大賽特別賽中國已奪8金位居第一

　　10月17日，2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區(qū)閉幕式舉行，中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個(gè)優(yōu)勝獎(jiǎng)，實(shí)現(xiàn)多個(gè)項(xiàng)目上金牌和獎(jiǎng)牌零的突破?！　”敬翁貏e賽韓國賽區(qū)比賽于10月12日開幕，共舉行8個(gè)項(xiàng)目的比賽，吸引了來自34個(gè)國家和地區(qū)的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個(gè)項(xiàng)目的角逐?！　∑渲?，來自廣州市工貿(mào)技師學(xué)院的選手楊書明獲得移動(dòng)應(yīng)用開發(fā)項(xiàng)目金牌，成為本次大賽該新增項(xiàng)目首個(gè)金牌獲得者?！　碜陨钲诩紟煂W(xué)院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數(shù)字游戲藝術(shù)項(xiàng)目、云計(jì)算項(xiàng)目金牌，實(shí)現(xiàn)我國在這兩個(gè)項(xiàng)目上
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AOI+AI+3D 檢測鐵三角成形

疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型，走向更自動(dòng)化、數(shù)字化的智能化方向。因此，各產(chǎn)業(yè)對自動(dòng)光學(xué)檢測(AOI)技術(shù)的需求更為殷切。疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型，走向更自動(dòng)化、數(shù)字化的智能化方向。導(dǎo)入自動(dòng)化及AI的過程中，傳統(tǒng)人力逐漸被取代，也改變產(chǎn)線人員配置的傳統(tǒng)生態(tài)，其中，可以確保產(chǎn)線及產(chǎn)品質(zhì)量的自動(dòng)檢測儀器不僅發(fā)揮精準(zhǔn)有效的優(yōu)勢，還能針對缺陷或瑕疵及時(shí)修復(fù)、舍棄，降低不必要的時(shí)間成本與人力成本，快速穩(wěn)定且
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西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗(yàn)證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶提供此項(xiàng)新流程。通過在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
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