3d 閃存文章最新資訊

疫情之下，長江存儲(chǔ)程衛(wèi)華談閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

6月27日，SEMICON China 2020大會(huì)于上海拉開帷幕。會(huì)上，長江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官程衛(wèi)華發(fā)表《探索閃存發(fā)展可能，共同迎接未來挑戰(zhàn)》主題演講，談及了疫情下閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展、長江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)進(jìn)展等內(nèi)容。程衛(wèi)華認(rèn)為，2020年不平凡的一年，這一年經(jīng)歷了新冠疫情的全球蔓延，國際局勢(shì)的變幻莫測(cè)，全球產(chǎn)業(yè)鏈合作受到了極大的沖擊。與此同時(shí)，疫情給人們的生活方式與半導(dǎo)體技術(shù)帶來了改變。程衛(wèi)華指出，消費(fèi)市場(chǎng)的變化驅(qū)動(dòng)了SSD的需求，以及云上業(yè)務(wù)驅(qū)動(dòng)企業(yè)級(jí)SSD需求增長。從全球市場(chǎng)綜合發(fā)展來看，企業(yè)級(jí)SS
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國產(chǎn)128層QLC閃存問世武漢基地二期開工

4年前的2016年，國家在武漢建設(shè)了國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來科技城正式啟動(dòng)，整個(gè)項(xiàng)目投資高達(dá)240億美元，約合1697億元。在開工儀式上，紫光集團(tuán)、長江存儲(chǔ)董事長趙偉國介紹了項(xiàng)目有關(guān)情況。他表示，國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期開工建設(shè)以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片工廠，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示，國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于2016年12月30日開工，計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND
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Melexis 推出汽車級(jí) 3D 霍爾效應(yīng)傳感器 IC

微電子半導(dǎo)體解決方案全球供應(yīng)商Melexis 近日宣布推出 MLX90395 Triaxis? 磁力計(jì)節(jié)點(diǎn)，這是一款汽車級(jí) (AEC-Q100) 單片傳感器 IC，可利用霍爾效應(yīng)提供三維無接觸式傳感功能。MLX90395 雙裸片版本可實(shí)現(xiàn)冗余，適用于要求苛刻的場(chǎng)景，例如汽車應(yīng)用中的變速換檔桿位置傳感。MLX90395 的功能通過系統(tǒng)處理器定義，而不是硬連線到器件本身。就位置傳感的適用性而言，該產(chǎn)品幾乎不受任何范圍限制。MLX90395 提供 I2C 和 SPI 兩種接口，可輕松在汽車或工業(yè)控制環(huán)境中集成。
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三星電子擬投資8萬億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線

據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子日前表示，計(jì)劃投資8萬億韓元（約合人民幣466億元）在韓國平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產(chǎn)線。三星電子生產(chǎn)線建設(shè)上月已經(jīng)開始，預(yù)計(jì)2021年下半年開始生產(chǎn)三星最先進(jìn)的V-NAND產(chǎn)品。三星電子表示，此次投資旨在應(yīng)對(duì)隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設(shè)生產(chǎn)線，新產(chǎn)線專注于基于極紫外光刻（EUV）技術(shù)的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線已開始建設(shè)，預(yù)計(jì)明年下半年開始量產(chǎn)5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產(chǎn)線，韓國將擁有7條
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閃存顆粒哪家強(qiáng)？最新市場(chǎng)排名出爐

來自統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)TrendForce的最新統(tǒng)計(jì)顯示,剛過去的一季度,主要NAND閃存廠商的營收均有所增長,整體規(guī)模達(dá)到135億美元,環(huán)比增加8.3%。品牌排名方面,三星依舊領(lǐng)銜,營收45億美元,環(huán)比增加1.1個(gè)百分點(diǎn),市場(chǎng)份額33.3%。KIOXIA(鎧俠,原東芝存儲(chǔ))緊隨其后,營收25.66億美元,環(huán)比增加9.7%。市場(chǎng)份額19%。3~6名分別是西數(shù)、美光、SK海力士和Intel,營收20億美元(份額15.3%)、15億美元(11.2%)、14.4億美元(10.7%)和13億美元(9.9%)。報(bào)告稱,一季度
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲(chǔ)3D NAND

電子醫(yī)療設(shè)備、電競(jìng)游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升，不僅刺激了閃存儲(chǔ)存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動(dòng)能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲(chǔ) (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計(jì)生產(chǎn)后，也為市場(chǎng)添增了一股活力。
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128層閃存：中國剛剛突破、SK海力士加速量產(chǎn)

長江存儲(chǔ)近日宣布,已經(jīng)攻克128層堆疊3D QLC閃存技術(shù),單顆容量做到1.33Tb,創(chuàng)造單位面積存儲(chǔ)密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個(gè)世界第一,首次躋身全球第一隊(duì)列水平。當(dāng)前,整個(gè)閃存行業(yè)都在全面轉(zhuǎn)向100+層堆疊,其中東芝、西部數(shù)據(jù)是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。中國的突破顯然讓國際巨頭們有些不安,紛紛開始提速。三星日前就宣布,正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎(chǔ)。在今天的第一季度財(cái)務(wù)會(huì)議期間,同樣來自韓國的SK海
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長江存儲(chǔ)128層QLC閃存今年量產(chǎn) 2021逼迫閃存降價(jià)

從去年下半年到現(xiàn)在,內(nèi)存閃存的漲價(jià)讓存儲(chǔ)廠商重新過上了好日子,想降價(jià)只能靠中國廠商了。上周國內(nèi)的長江存儲(chǔ)宣布攻克128層堆棧的QLC閃存,性能、容量、密度三項(xiàng)世界第一,預(yù)計(jì)今年底量產(chǎn)。據(jù)介紹,長江存儲(chǔ)的128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(
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長江存儲(chǔ)：128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在今年推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長期來看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。今年早些時(shí)候，長江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來，長江存儲(chǔ)將跳過如今業(yè)界常見的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?！L江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存晶圓了解到，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月，總
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瑞薩電子推出全新32位RX72N和RX66N MCU，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接，適用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社近日宣布推出RX產(chǎn)品家族新成員——32位RX72N產(chǎn)品組和RX66N產(chǎn)品組，其單個(gè)芯片集成了設(shè)備控制與網(wǎng)絡(luò)連接。RX72N基于瑞薩專有的RXv3 CPU內(nèi)核，具備240MHz最大工作頻率及雙以太網(wǎng)通道；RX66N具備120MHz最大工作頻率及單個(gè)以太網(wǎng)通道。在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，性能與功能的不斷升級(jí)導(dǎo)致程序代碼愈加龐大。因此，存儲(chǔ)容量和讀取速度是決定實(shí)時(shí)性能的關(guān)鍵因素。全新RX72N和RX66N提供高達(dá)4MB片上閃存，可達(dá)到業(yè)界最高的120MHz讀取頻率，同時(shí)具備1
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國產(chǎn)38nm SLC閃存已量產(chǎn) 兆易創(chuàng)新：推進(jìn)24nm閃存研發(fā)

在NAND閃存市場(chǎng),三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。前不久兆易創(chuàng)新發(fā)布了2019年報(bào),去年?duì)I收32億元,同比增長42%,凈利潤6.07億元,同比大漲50%。兆易創(chuàng)新的主要有三大業(yè)務(wù),最主要的是NOR閃存,全球市場(chǎng)份額在去年Q3季度上升到了第三,主要生產(chǎn)工藝為65nm節(jié)點(diǎn),另有部分55nm工藝產(chǎn)品。兆易創(chuàng)新的NOR閃存累計(jì)出貨量超過100億顆,目前依然供不應(yīng)求
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微軟Surface Duo未來新特性：支持3D深度相機(jī)

新推出的Surface Neo并不是微軟唯一的雙屏設(shè)備。在去年10月份的發(fā)布會(huì)上，微軟還宣布了一款名為“Surface Duo”的Surface手機(jī)，Surface Duo可運(yùn)行Google的Android應(yīng)用，并直接從谷歌Play商店支持Microsoft服務(wù)。Surface Duo是由Panos Panay領(lǐng)導(dǎo)的Surface團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)的，它具有出色的硬件，但是之前有傳言稱Surface Duo設(shè)備將配備中核相機(jī)。與三星Galaxy Fold和華為Mate Xs競(jìng)爭(zhēng)的Surface Duo可能沒有配備出
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紫光存儲(chǔ)解散？國產(chǎn)閃存、內(nèi)存市場(chǎng)人事地震：長江存儲(chǔ)、紫光存儲(chǔ)發(fā)聲

今天國產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)生異動(dòng),傳聞紫光旗下的紫光存儲(chǔ)解散,相關(guān)人員要合并到長江存儲(chǔ)中。隨后這兩家公司分別發(fā)表聲明,辟謠相關(guān)報(bào)道。存儲(chǔ)芯片是近年來國產(chǎn)半導(dǎo)體發(fā)展的重中之重,畢竟一年進(jìn)口的內(nèi)存及閃存芯片超過1000億美元,份量極大,而紫光主導(dǎo)的幾家存儲(chǔ)公司是重點(diǎn),尤其是長江存儲(chǔ),去年首發(fā)量產(chǎn)了國產(chǎn)3D閃存。最新的爆料稱,紫光存儲(chǔ)公司解散,未來重點(diǎn)轉(zhuǎn)向DRAM內(nèi)存,大部分員工正等著長江存儲(chǔ)挑選,沒有挑中的就要自謀生路。針對(duì)這一消息,紫光存儲(chǔ)方面已經(jīng)發(fā)表了聲明,否認(rèn)公司解散,但承認(rèn)公司業(yè)務(wù)有所調(diào)整。紫光存儲(chǔ)表示
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三星量產(chǎn)512GB UFS 3.1手機(jī)閃存

三星近日宣布開始量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，其連續(xù)寫入速度超過1.2GB/s，是其前代產(chǎn)品寫入速度的3倍。
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2000億大基金二期3月底開始投資國產(chǎn)3D閃存仍是重點(diǎn)

為了扶植半導(dǎo)體發(fā)展,多部門推動(dòng)成立了“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”,也就是大基金,一期已經(jīng)完成,二期大基金規(guī)模高達(dá)2041億元,今年3月份將開始實(shí)質(zhì)投資。此前,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(2014.09-2018.05)已經(jīng)投資完畢,共募得普通股987.2億元,同時(shí)發(fā)行優(yōu)先股400億元,總投資額為1387億元(相比于原先計(jì)劃的1200億元超募15.6%),公開投資公司為23家,累計(jì)有效投資項(xiàng)目達(dá)到70個(gè)左右。據(jù)報(bào)道,大基金一期投資范圍涵蓋集成電路產(chǎn)業(yè)上、中、下游各個(gè)環(huán)節(jié),其中67%的投資投向了半導(dǎo)體制造,包括
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