三星文章進(jìn)入三星技術(shù)社區(qū)

三星外包低端光掩模，將資源集中在ArF和EUV上

據(jù) The Elec 報(bào)道，三星計(jì)劃外包用于存儲(chǔ)芯片制造的光掩模的生產(chǎn)。到目前為止，該公司一直在內(nèi)部生產(chǎn)所有光掩模，以防止技術(shù)泄漏。Elec 表示，據(jù)報(bào)道，三星正在評(píng)估低端光掩模的潛在供應(yīng)商，例如 i-line 和 KrF。與此同時(shí)，消息人士稱，三星計(jì)劃將 i-line 和 KrF 光掩模外包，以便將這些資源重新分配給 ArF 和 EUV。正如報(bào)告所強(qiáng)調(diào)的那樣，ArF 和 EUV 光掩模更先進(jìn)，將成為增強(qiáng)三星技術(shù)競爭力的關(guān)鍵。據(jù) Business Korea 援引消
關(guān)鍵字：三星低端光掩模 ArF EUV

三星被曝將首次外包芯片“光掩?！鄙a(chǎn)，聚焦ArF和EUV等先進(jìn)技術(shù)

5 月 14 日消息，光掩模（版）系生產(chǎn)集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)構(gòu)，其原理類似于沖洗相片時(shí)利用底片將影像復(fù)制到相片上。韓國科技媒體 TheElec 今日?qǐng)?bào)道稱，三星電子正計(jì)劃將內(nèi)存芯片制造所需的光掩模生產(chǎn)業(yè)務(wù)進(jìn)行外包。據(jù)稱，目前三星已啟動(dòng)供應(yīng)商評(píng)估流程，候選企業(yè)包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美國 Photronics 旗下 PKL（注：廠址位于京畿道），評(píng)估結(jié)果預(yù)計(jì)第三季度公布。TheElec 報(bào)道稱，三星準(zhǔn)備將低端產(chǎn)品（i-
關(guān)鍵字：三星外包芯片光掩模 ArF EUV 半導(dǎo)體

三星將采用HBM4內(nèi)存的混合鍵合

三星計(jì)劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術(shù)，以減少熱量并實(shí)現(xiàn)超寬內(nèi)存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導(dǎo)體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對(duì)手 SK 海力士可能會(huì)推遲采用混合鍵合技術(shù)，EBN 報(bào)道。高帶寬內(nèi)存（HBM）將多個(gè)存儲(chǔ)器件堆疊在基礎(chǔ)芯片上。目前，HBM 堆棧中的內(nèi)存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數(shù)據(jù)、電源和控制信號(hào)）連接在一起，并使用模塑底部填充質(zhì)量回流（MR-MUF）或使用非導(dǎo)電膜（TC-NCF）的熱壓縮等技術(shù)進(jìn)行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個(gè)晶粒內(nèi)的硅通孔
關(guān)鍵字：三星 HBM4 內(nèi)存混合鍵合

良率提高三星接近從NVIDIA、Qualcomm獲得2nm訂單

隨著 2nm 成為芯片制造商的下一個(gè)戰(zhàn)場，三星正在像英特爾一樣競相通過獲得重大外部訂單來縮小與臺(tái)積電的差距?，F(xiàn)在，它可能只差一步：根據(jù) Chosun Biz 的說法，Samsung Foundry 已經(jīng)進(jìn)入了使用 NVIDIA GPU 和高通 AP 進(jìn)行 2nm 性能測試的最后階段。Chosun Biz 表示，三星在其第一個(gè)基于 GAA 的節(jié)點(diǎn) 3nm 上來之不易的經(jīng)驗(yàn)現(xiàn)在正在得到回報(bào)——據(jù)報(bào)道，3nm 良率已超過 60%，2nm 良率已攀升至 40% 以上。據(jù) Sedail
關(guān)鍵字：良率三星 NVIDIA Qualcomm

NVIDIA可能會(huì)考慮將中國特供H20的HBM換成GDDR

據(jù)稱，繼 NVIDIA H20 的最新出口限制之后，這家美國芯片巨頭正在開發(fā)該芯片的降級(jí)版本，以在中國銷售。由于改進(jìn)后的芯片預(yù)計(jì)將大幅削減，尤其是在內(nèi)存容量方面，New Daily 的一份報(bào)告暗示 NVIDIA 可能會(huì)用 GDDR 取代 HBM，這可能會(huì)破壞內(nèi)存供應(yīng)鏈。正如路透社所指出的，Team Green 已經(jīng)向中國主要的云提供商提供了有關(guān)即將推出的公告。據(jù)路透社報(bào)道，H20 的低調(diào)版本由新設(shè)定的技術(shù)限制塑造，最早可能在 7 月發(fā)布。目前，韓國《數(shù)字時(shí)報(bào)》報(bào)道稱，NVIDIA 堅(jiān)持從三星和
關(guān)鍵字：三星 NVIDIA H20 HBM GDDR

韓媒狠揭三星落后臺(tái)積電最新差距驚人

臺(tái)積電穩(wěn)居全球晶圓代工龍頭寶座，市占率高達(dá)67.1%，而排名第2的三星電子半導(dǎo)體部門，市占僅8.1%。雙方在晶圓代工領(lǐng)域的差距越來越大，韓媒最新報(bào)導(dǎo)更指出，兩家公司已存在超過10兆韓元（約新臺(tái)幣2268億元）的落差，三星遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后。據(jù)韓國《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，業(yè)界人士于11日透露，三星電子旗下掌管半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的裝置解決方案部門（DS），在今年第1季的營收為25.1兆韓元（約新臺(tái)幣5694億元），與去年同期相比成長了9%，然而與上一季相比，卻呈現(xiàn)了17%的下滑。三星電子方面解釋，其代工業(yè)務(wù)部門的業(yè)績表現(xiàn)由于移動(dòng)
關(guān)鍵字：三星臺(tái)積電

三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價(jià)格，DDR4上漲20%

在特朗普加征關(guān)稅之前囤積數(shù)據(jù)推動(dòng)的 DRAM 需求激增似乎是真實(shí)的。據(jù)韓國 Etnews 報(bào)道，三星一年多來首次提高了 DRAM 價(jià)格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報(bào)告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價(jià)條款，已將 DDR4 價(jià)格提高了約 20%。與此同時(shí)，該報(bào)告補(bǔ)充說，DDR5 價(jià)格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或?qū)⒌玫教嵴裰档米⒁獾氖牵珽tnews 表示，由于 DRAM 價(jià)格是以數(shù)月為基礎(chǔ)進(jìn)行談判的，因此最近的上漲預(yù)計(jì)將在一段時(shí)間內(nèi)支持盈利能力，從而為三星第二
關(guān)鍵字：三星 DRAM DDR4

獨(dú)家供應(yīng) 三星為可折疊 iPhone 開發(fā)最薄的 OLED 面板

據(jù)報(bào)道，隨著 Apple 的第一款可折疊 iPhone 將于 2026 年上市，有關(guān)該旗艦產(chǎn)品的更多細(xì)節(jié)已經(jīng)浮出水面。據(jù) SamMobile 稱，三星顯示已經(jīng)創(chuàng)造了其有史以來最薄的可折疊 OLED 面板——甚至超越了自己的 Galaxy Z Fold 系列中的面板——為該型號(hào)提供動(dòng)力。值得注意的是，韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)表示，三星顯示已被選為蘋果首款可折疊 iPhone 的 OLED 顯示器獨(dú)家供應(yīng)商。據(jù)報(bào)道，此舉預(yù)計(jì)將鞏固三星在全球可折疊 OLED 顯示器市場的主導(dǎo)地位，將其份額從 40% 提
關(guān)鍵字：三星可折疊iPhone OLED面板

長江存儲(chǔ)主導(dǎo)混合鍵合專利，韓存儲(chǔ)巨頭三星和SK海力士壓力山大

隨著存儲(chǔ)器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產(chǎn)品，混合鍵合技術(shù)越來越受到關(guān)注。根據(jù) ZDNet 的一份報(bào)告，韓國三星電子和SK海力士在關(guān)鍵專利方面仍然落后。該報(bào)告強(qiáng)調(diào)，三星和SK海力士披露的混合鍵合相關(guān)專利相對(duì)較少，大幅低于競爭對(duì)手長江存儲(chǔ)。據(jù)報(bào)道，三星電子已與長江存儲(chǔ)簽署了一項(xiàng)許可協(xié)議，在其下一代NAND中采用混合鍵合技術(shù)。此舉反映了三星希望規(guī)避長江存儲(chǔ)的專利的挑戰(zhàn)，這些專利被認(rèn)為難以避免。報(bào)告指出，長江存儲(chǔ)在其“Xtacking”品牌下大規(guī)模生產(chǎn)基于混合鍵合的NAND已有大約四年
關(guān)鍵字：長江存儲(chǔ) 混合鍵合三星 SK海力士

AMD4納米棄三星選臺(tái)積電原因曝光

三星電子因良率不佳面臨大挫敗，根據(jù)科技媒體wccftech報(bào)導(dǎo)，傳出超微已取消三星4納米制程訂單，超威已改為委托臺(tái)積電，以4納米制程生產(chǎn)EPYC服務(wù)器中央處理器。三星晶圓代工事業(yè)面臨大挑戰(zhàn)，根據(jù)報(bào)導(dǎo)，超威已將原本交給三星代工的EPYC服務(wù)器，轉(zhuǎn)給臺(tái)積電美國亞利桑那州新廠以4納米生產(chǎn)，臺(tái)積電美國廠接單頻傳喜訊，包括蘋果、輝達(dá)等都宣布要在該廠區(qū)投片。知名爆料人士@Jukanlosreve指出，超微將把EPYC服務(wù)器處理器轉(zhuǎn)交給臺(tái)積電美國亞利桑那州廠生產(chǎn)。目前還不知超微轉(zhuǎn)單理由，但推測是三星晶圓代工事業(yè)表現(xiàn)差
關(guān)鍵字： AMD 4納米三星臺(tái)積電

三星代工再遭棄，救命稻草在哪里？

由于三星尖端制程良率偏低，以及美國特朗普政府關(guān)稅政策影響，處理器大廠AMD可能已經(jīng)取消了三星4nm制程訂單，進(jìn)而轉(zhuǎn)向了向臺(tái)積電美國亞利桑那州晶圓廠下單。這一決定標(biāo)志著三星代工業(yè)務(wù)繼失去高通、英偉達(dá)等科技巨頭價(jià)值數(shù)十億美元的尖端芯片訂單后，再次遭遇重大挫折。
關(guān)鍵字：三星代工臺(tái)積電 AMD 2nm HBM

芯片巨頭們保持沉默 Marvell和三星因關(guān)稅動(dòng)蕩暫停預(yù)測未來

隨著美國 232 條款半導(dǎo)體調(diào)查的公眾意見截止日期的臨近，整個(gè)芯片行業(yè)的焦慮情緒越來越大。迫在眉睫的關(guān)稅決定給財(cái)報(bào)旺季蒙上了一層陰影，在地緣政治和貿(mào)易緊張局勢加劇的情況下，科技巨頭不愿發(fā)布明確的預(yù)測。這是非常不尋常的，因?yàn)樨?cái)務(wù)預(yù)測通常是公司方向和戰(zhàn)略的最重要指標(biāo)之一。由于有傳言稱關(guān)稅稅率在 25% 到 100% 之間，芯片制造商發(fā)現(xiàn)很難預(yù)測他們的前景，尤其是 2025 年下半年。Marvell 在一份新聞稿中表示，在全球貿(mào)易緊張局勢和“動(dòng)態(tài)宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境”的情況下，該公司將其 2025 年 6 月的投資者日
關(guān)鍵字：芯片巨頭 Marvell 三星關(guān)稅

搶英偉達(dá)訂單？三星提前量產(chǎn)12層堆疊HBM3E

據(jù)韓國媒體ZDNet Korea報(bào)道，三星電子在2025年2月左右已提前開始量產(chǎn)12層堆疊的HBM3E高帶寬內(nèi)存，但尚未通過GPU巨頭英偉達(dá)的認(rèn)證，因此目前無法向其供貨。這一決定讓三星面臨積累大量庫存的風(fēng)險(xiǎn)。市場消息人士透露，三星對(duì)其12層堆疊HBM3E的性能和穩(wěn)定性充滿信心，認(rèn)為能夠順利通過英偉達(dá)的認(rèn)證流程。提前量產(chǎn)的策略旨在通過認(rèn)證后快速供貨，助力實(shí)現(xiàn)2025年HBM出貨量達(dá)到2024年兩倍的目標(biāo)。目前，英偉達(dá)最新的AI芯片主要采用SK海力士供應(yīng)的12層堆疊HBM3E。SK海力士憑借其在HBM市場的主
關(guān)鍵字：英偉達(dá) 三星 12層堆疊 HBM3E

三星高層緊急訪美，鞏固半導(dǎo)體訂單

據(jù)韓媒《首爾經(jīng)濟(jì)》援引業(yè)界消息，三星電子半導(dǎo)體暨裝置解決方案（DS）部門負(fù)責(zé)人全永鉉近日率領(lǐng)高層團(tuán)隊(duì)緊急訪問美國硅谷，與蘋果、NVIDIA、博通等美國科技巨頭展開會(huì)晤。此次行程為期至少一周，重點(diǎn)在于鞏固DRAM、次世代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）以及晶圓代工領(lǐng)域的訂單，并探討應(yīng)對(duì)美國潛在關(guān)稅政策的策略。三星高層團(tuán)隊(duì)此次放棄韓國“家庭月”連假，顯示了其在恢復(fù)半導(dǎo)體競爭力方面的緊迫感。2025年第1季，三星在全球DRAM市場失去龍頭地位，被SK海力士超越，因此確保移動(dòng)DRAM（LPDDR）和次世代DRAM的供應(yīng)顯得
關(guān)鍵字：三星半導(dǎo)體訂單

DDR4加速退場，DDR5成為主流

三星已向其供應(yīng)鏈傳達(dá)消息，多款基于1y nm（第二代10nm級(jí)別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級(jí)別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時(shí)，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
關(guān)鍵字： DDR4 DDR5 三星 SK海力士內(nèi)存 HBM

共5511條 2/368 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

三星介紹

　韓國三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經(jīng)成為對(duì)中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價(jià)值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評(píng)選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細(xì) ]