三星文章進(jìn)入三星技術(shù)社區(qū)

三星外包低端光掩模，將資源集中在ArF和EUV上

據(jù) The Elec 報道，三星計劃外包用于存儲芯片制造的光掩模的生產(chǎn)。到目前為止，該公司一直在內(nèi)部生產(chǎn)所有光掩模，以防止技術(shù)泄漏。Elec 表示，據(jù)報道，三星正在評估低端光掩模的潛在供應(yīng)商，例如 i-line 和 KrF。與此同時，消息人士稱，三星計劃將 i-line 和 KrF 光掩模外包，以便將這些資源重新分配給 ArF 和 EUV。正如報告所強調(diào)的那樣，ArF 和 EUV 光掩模更先進(jìn)，將成為增強三星技術(shù)競爭力的關(guān)鍵。據(jù) Business Korea 援引消
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三星被曝將首次外包芯片“光掩模”生產(chǎn)，聚焦ArF和EUV等先進(jìn)技術(shù)

5 月 14 日消息，光掩模（版）系生產(chǎn)集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)構(gòu)，其原理類似于沖洗相片時利用底片將影像復(fù)制到相片上。韓國科技媒體 TheElec 今日報道稱，三星電子正計劃將內(nèi)存芯片制造所需的光掩模生產(chǎn)業(yè)務(wù)進(jìn)行外包。據(jù)稱，目前三星已啟動供應(yīng)商評估流程，候選企業(yè)包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美國 Photronics 旗下 PKL（注：廠址位于京畿道），評估結(jié)果預(yù)計第三季度公布。TheElec 報道稱，三星準(zhǔn)備將低端產(chǎn)品（i-
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三星將采用HBM4內(nèi)存的混合鍵合

三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術(shù)，以減少熱量并實現(xiàn)超寬內(nèi)存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導(dǎo)體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術(shù)，EBN 報道。高帶寬內(nèi)存（HBM）將多個存儲器件堆疊在基礎(chǔ)芯片上。目前，HBM 堆棧中的內(nèi)存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數(shù)據(jù)、電源和控制信號）連接在一起，并使用模塑底部填充質(zhì)量回流（MR-MUF）或使用非導(dǎo)電膜（TC-NCF）的熱壓縮等技術(shù)進(jìn)行鍵合。這些晶粒還使用嵌入在每個晶粒內(nèi)的硅通孔
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良率提高三星接近從NVIDIA、Qualcomm獲得2nm訂單

隨著 2nm 成為芯片制造商的下一個戰(zhàn)場，三星正在像英特爾一樣競相通過獲得重大外部訂單來縮小與臺積電的差距?，F(xiàn)在，它可能只差一步：根據(jù) Chosun Biz 的說法，Samsung Foundry 已經(jīng)進(jìn)入了使用 NVIDIA GPU 和高通 AP 進(jìn)行 2nm 性能測試的最后階段。Chosun Biz 表示，三星在其第一個基于 GAA 的節(jié)點 3nm 上來之不易的經(jīng)驗現(xiàn)在正在得到回報——據(jù)報道，3nm 良率已超過 60%，2nm 良率已攀升至 40% 以上。據(jù) Sedail
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NVIDIA可能會考慮將中國特供H20的HBM換成GDDR

據(jù)稱，繼 NVIDIA H20 的最新出口限制之后，這家美國芯片巨頭正在開發(fā)該芯片的降級版本，以在中國銷售。由于改進(jìn)后的芯片預(yù)計將大幅削減，尤其是在內(nèi)存容量方面，New Daily 的一份報告暗示 NVIDIA 可能會用 GDDR 取代 HBM，這可能會破壞內(nèi)存供應(yīng)鏈。正如路透社所指出的，Team Green 已經(jīng)向中國主要的云提供商提供了有關(guān)即將推出的公告。據(jù)路透社報道，H20 的低調(diào)版本由新設(shè)定的技術(shù)限制塑造，最早可能在 7 月發(fā)布。目前，韓國《數(shù)字時報》報道稱，NVIDIA 堅持從三星和
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韓媒狠揭三星落后臺積電最新差距驚人

臺積電穩(wěn)居全球晶圓代工龍頭寶座，市占率高達(dá)67.1%，而排名第2的三星電子半導(dǎo)體部門，市占僅8.1%。雙方在晶圓代工領(lǐng)域的差距越來越大，韓媒最新報導(dǎo)更指出，兩家公司已存在超過10兆韓元（約新臺幣2268億元）的落差，三星遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后。據(jù)韓國《朝鮮日報》報導(dǎo)，業(yè)界人士于11日透露，三星電子旗下掌管半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的裝置解決方案部門（DS），在今年第1季的營收為25.1兆韓元（約新臺幣5694億元），與去年同期相比成長了9%，然而與上一季相比，卻呈現(xiàn)了17%的下滑。三星電子方面解釋，其代工業(yè)務(wù)部門的業(yè)績表現(xiàn)由于移動
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三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價格，DDR4上漲20%

在特朗普加征關(guān)稅之前囤積數(shù)據(jù)推動的 DRAM 需求激增似乎是真實的。據(jù)韓國 Etnews 報道，三星一年多來首次提高了 DRAM 價格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價條款，已將 DDR4 價格提高了約 20%。與此同時，該報告補充說，DDR5 價格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或?qū)⒌玫教嵴裰档米⒁獾氖?，Etnews 表示，由于 DRAM 價格是以數(shù)月為基礎(chǔ)進(jìn)行談判的，因此最近的上漲預(yù)計將在一段時間內(nèi)支持盈利能力，從而為三星第二
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獨家供應(yīng) 三星為可折疊 iPhone 開發(fā)最薄的 OLED 面板

據(jù)報道，隨著 Apple 的第一款可折疊 iPhone 將于 2026 年上市，有關(guān)該旗艦產(chǎn)品的更多細(xì)節(jié)已經(jīng)浮出水面。據(jù) SamMobile 稱，三星顯示已經(jīng)創(chuàng)造了其有史以來最薄的可折疊 OLED 面板——甚至超越了自己的 Galaxy Z Fold 系列中的面板——為該型號提供動力。值得注意的是，韓國經(jīng)濟日報表示，三星顯示已被選為蘋果首款可折疊 iPhone 的 OLED 顯示器獨家供應(yīng)商。據(jù)報道，此舉預(yù)計將鞏固三星在全球可折疊 OLED 顯示器市場的主導(dǎo)地位，將其份額從 40% 提
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長江存儲主導(dǎo)混合鍵合專利，韓存儲巨頭三星和SK海力士壓力山大

隨著存儲器巨頭加速布局HBM4和多層NAND產(chǎn)品，混合鍵合技術(shù)越來越受到關(guān)注。根據(jù) ZDNet 的一份報告，韓國三星電子和SK海力士在關(guān)鍵專利方面仍然落后。該報告強調(diào)，三星和SK海力士披露的混合鍵合相關(guān)專利相對較少，大幅低于競爭對手長江存儲。據(jù)報道，三星電子已與長江存儲簽署了一項許可協(xié)議，在其下一代NAND中采用混合鍵合技術(shù)。此舉反映了三星希望規(guī)避長江存儲的專利的挑戰(zhàn)，這些專利被認(rèn)為難以避免。報告指出，長江存儲在其“Xtacking”品牌下大規(guī)模生產(chǎn)基于混合鍵合的NAND已有大約四年
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AMD4納米棄三星選臺積電原因曝光

三星電子因良率不佳面臨大挫敗，根據(jù)科技媒體wccftech報導(dǎo)，傳出超微已取消三星4納米制程訂單，超威已改為委托臺積電，以4納米制程生產(chǎn)EPYC服務(wù)器中央處理器。三星晶圓代工事業(yè)面臨大挑戰(zhàn)，根據(jù)報導(dǎo)，超威已將原本交給三星代工的EPYC服務(wù)器，轉(zhuǎn)給臺積電美國亞利桑那州新廠以4納米生產(chǎn)，臺積電美國廠接單頻傳喜訊，包括蘋果、輝達(dá)等都宣布要在該廠區(qū)投片。知名爆料人士@Jukanlosreve指出，超微將把EPYC服務(wù)器處理器轉(zhuǎn)交給臺積電美國亞利桑那州廠生產(chǎn)。目前還不知超微轉(zhuǎn)單理由，但推測是三星晶圓代工事業(yè)表現(xiàn)差
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三星代工再遭棄，救命稻草在哪里？

由于三星尖端制程良率偏低，以及美國特朗普政府關(guān)稅政策影響，處理器大廠AMD可能已經(jīng)取消了三星4nm制程訂單，進(jìn)而轉(zhuǎn)向了向臺積電美國亞利桑那州晶圓廠下單。這一決定標(biāo)志著三星代工業(yè)務(wù)繼失去高通、英偉達(dá)等科技巨頭價值數(shù)十億美元的尖端芯片訂單后，再次遭遇重大挫折。
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芯片巨頭們保持沉默 Marvell和三星因關(guān)稅動蕩暫停預(yù)測未來

隨著美國 232 條款半導(dǎo)體調(diào)查的公眾意見截止日期的臨近，整個芯片行業(yè)的焦慮情緒越來越大。迫在眉睫的關(guān)稅決定給財報旺季蒙上了一層陰影，在地緣政治和貿(mào)易緊張局勢加劇的情況下，科技巨頭不愿發(fā)布明確的預(yù)測。這是非常不尋常的，因為財務(wù)預(yù)測通常是公司方向和戰(zhàn)略的最重要指標(biāo)之一。由于有傳言稱關(guān)稅稅率在 25% 到 100% 之間，芯片制造商發(fā)現(xiàn)很難預(yù)測他們的前景，尤其是 2025 年下半年。Marvell 在一份新聞稿中表示，在全球貿(mào)易緊張局勢和“動態(tài)宏觀經(jīng)濟環(huán)境”的情況下，該公司將其 2025 年 6 月的投資者日
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搶英偉達(dá)訂單？三星提前量產(chǎn)12層堆疊HBM3E

據(jù)韓國媒體ZDNet Korea報道，三星電子在2025年2月左右已提前開始量產(chǎn)12層堆疊的HBM3E高帶寬內(nèi)存，但尚未通過GPU巨頭英偉達(dá)的認(rèn)證，因此目前無法向其供貨。這一決定讓三星面臨積累大量庫存的風(fēng)險。市場消息人士透露，三星對其12層堆疊HBM3E的性能和穩(wěn)定性充滿信心，認(rèn)為能夠順利通過英偉達(dá)的認(rèn)證流程。提前量產(chǎn)的策略旨在通過認(rèn)證后快速供貨，助力實現(xiàn)2025年HBM出貨量達(dá)到2024年兩倍的目標(biāo)。目前，英偉達(dá)最新的AI芯片主要采用SK海力士供應(yīng)的12層堆疊HBM3E。SK海力士憑借其在HBM市場的主
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三星高層緊急訪美，鞏固半導(dǎo)體訂單

據(jù)韓媒《首爾經(jīng)濟》援引業(yè)界消息，三星電子半導(dǎo)體暨裝置解決方案（DS）部門負(fù)責(zé)人全永鉉近日率領(lǐng)高層團(tuán)隊緊急訪問美國硅谷，與蘋果、NVIDIA、博通等美國科技巨頭展開會晤。此次行程為期至少一周，重點在于鞏固DRAM、次世代高帶寬存儲器（HBM）以及晶圓代工領(lǐng)域的訂單，并探討應(yīng)對美國潛在關(guān)稅政策的策略。三星高層團(tuán)隊此次放棄韓國“家庭月”連假，顯示了其在恢復(fù)半導(dǎo)體競爭力方面的緊迫感。2025年第1季，三星在全球DRAM市場失去龍頭地位，被SK海力士超越，因此確保移動DRAM（LPDDR）和次世代DRAM的供應(yīng)顯得
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DDR4加速退場，DDR5成為主流

三星已向其供應(yīng)鏈傳達(dá)消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進(jìn)入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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三星介紹

　韓國三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細(xì) ]