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三星 sdi 文章 最新資訊

三星推動2納米技術突破，業(yè)界押注臺積電3納米鰭式場效應晶體管

  • 市場傳言越來越多，稱三星正在積極將資源轉向 2 納米開發(fā)，計劃明年在其德克薩斯州工廠推出下一代工藝，可能試圖超越臺積電。然而，據(jù)半導體行業(yè)內的消息人士稱， 商業(yè)時報報道，三星當前的 3 納米 GAAFET 技術大致與競爭對手的 4 納米鰭式場效應晶體管節(jié)點相當，這引發(fā)了對其即將到來的 2 納米工藝可能仍不及臺積電最強大的 3 納米鰭式場效應晶體管一代的擔憂。同時，臺積電繼續(xù)擴展其 3 納米工藝系列，包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同應用變體。該報告指出，這些節(jié)點預計將仍然是主要客戶的首選。
  • 關鍵字： 三星  臺積電  2nm  制程工藝  

臺積電3納米FinFET 三星2納米恐難敵

  • 市場近期盛傳三星將押注資源發(fā)展2納米，預計最快明年于美國德州廠率先導入2納米制程，企圖彎道超車臺積電。 半導體業(yè)界透露，三星目前以GAAFET打造之3納米，約為目前競爭對手4納米FinFET水平，分析2納米效能恐怕不如臺積電最后也是最強一代之3納米FinFET。 尤其臺積電再針對3納米發(fā)展更多家族成員，包括N3X、N3C、N3A等應用，未來仍會是主流客戶之首選。盤點目前智能手機旗艦芯片，皆使用臺積電第二代3納米（N3E），僅有三星Exynos 2500為自家3納米GAAFET; 各家業(yè)者今年預計迭代進入第
  • 關鍵字： 臺積電  3納米  FinFET  三星  2納米  

搶先臺積電 傳三星將在美國推出2納米

  • 臺積電和三星在晶圓代工領域競爭激烈，兩家大廠相繼赴美國設廠，根據(jù)ZDNet Korea報導，三星可能比臺積電更早在美國推出2納米制程，預計時間點在明年第一季，以增強在美國芯片市場的影響力。 但報導也質疑，三星先進制程的良率偏低，泰勒工廠能否達到芯片生產階段仍存在不確定性。報導指出，三星計劃將在美國推出首個國產2納米制程，以加強競爭力，據(jù)悉公司已開始為在泰勒工廠的生產線做準備。 雖然目前美國2納米制程生產尚處在規(guī)劃階段，但考量大型科技公司對從美國采購芯片展現(xiàn)濃厚興趣，三星對此持樂觀態(tài)度。三星美國廠野心勃勃，
  • 關鍵字： 臺積電  三星  2納米  

如果美國撤銷芯片工具豁免：解析臺積電、三星和 SK 海力的中國業(yè)務

  • 美國商務部正在考慮撤銷此前授予臺積電、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的許可證——這一舉措可能為它們在中國的運營制造新的障礙，據(jù)路透社報道。引自華爾街日報，Wccftech 指出，工業(yè)與安全 Under Secretary 詹姆斯·克勒森正推動結束允許美國芯片設備制造商向這些公司中國工廠出售關鍵工具的豁免。報道補充說，這可能導致它們獲取美國制造設備的規(guī)定更加嚴格。根據(jù) Tom's Hardware，該審查針對的是在美國于 2022 年底限制向中國出口芯片制造工具后授予非中國芯片制造商
  • 關鍵字： 臺積電  晶圓代工  三星  SK海力士  

三星將于二季度恢復泰勒的潔凈室工作;2 納米刀具計劃 2026 年進場

  • 據(jù)報道，三星正在加緊為其美國代工廠的生產做準備。據(jù)韓國媒體 ZDNet 援引 6 月 23 日的消息人士稱，該公司正在討論于 2026 年開始在泰勒晶圓廠安裝其 2nm 工藝設備的計劃。該報告指出，經(jīng)過幾次延誤，三星于 2025 年第二季度恢復了泰勒工廠的潔凈室建設。據(jù)報道，一旦潔凈室完工，該公司正計劃引入相關設備以開始設置生產線。值得注意的是，由于這將是初始生產線，因此預計投資規(guī)模將相對適中。據(jù)韓國媒體 The Elec 報道，當三星于 2021 年底首
  • 關鍵字： 三星  泰勒  2 納米  

如果美國撤銷芯片工具豁免：解析臺積電、三星和 SK 海力士的中國業(yè)務

  • 據(jù)路透社報道，美國商務部正在考慮撤銷之前授予臺積電、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的許可證，此舉可能會給它們在中國大陸的業(yè)務制造新的障礙。
  • 關鍵字： 芯片工具豁免  臺積電  三星  SK海力士  

SK 海力士據(jù)報與英偉達、微軟合作推動定制 HBM4E，三星則與 HBM4 保持差距

  • 隨著三星加速 1c DRAM 開發(fā)，試圖在 HBM4 競爭中奪回失地，當前領導者 SK 海力士正與科技巨頭合作推出定制 HBM 解決方案。據(jù)《 韓國經(jīng)濟日報 》報道，其首款定制 HBM——可能是 HBM4E——預計將在 2026 年下半年推出。報道顯示，SK 海力士已經(jīng)贏得了包括英偉達、微軟和高通在內的主要客戶，使其成為定制和通用 AI 內存市場的領先者。值得注意的是，SK 海力士最近開始根據(jù)客戶需求定制 HBM，報道補充說，英偉達緊張的生產進度影響了其合作伙伴的選擇。定制 HBM 更
  • 關鍵字： 三星  海力士  英偉達  HBM4E  

據(jù)報道三星 1c DRAM 良率高達 70%，為年底推出 HBM4 鋪平道路

  • 隨著將 HBM4 時代的希望寄托在其 1c DRAM 的進展上，據(jù)報道三星在良率方面取得了重大突破。據(jù) sedaily 報道，該公司最近在其第六代 10nm 級 DRAM（1c DRAM）晶圓測試中實現(xiàn)了 50-70%的良率——這一數(shù)字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是，與 SK 海力士和美光等堅持使用更成熟的 1b DRAM 生產 HBM4 不同，三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩(wěn)步提高，該公司計劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產規(guī)模，根據(jù)
  • 關鍵字： 三星  HBM  存儲  

三星4nm工藝UCIe芯片完成性能評估，傳輸帶寬達24Gbpsv

  • 據(jù)韓媒etnews于6月18日報道，三星電子近期在高性能計算（HPC）和人工智能（AI）領域取得重要突破。其基于4nm工藝制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能評估，傳輸帶寬達到24Gbps。這一成果標志著三星在芯粒互聯(lián)技術上的顯著進展。UCIe（統(tǒng)一芯?；ヂ?lián)接口）是一種通用的芯粒互聯(lián)標準，能夠實現(xiàn)不同來源和工藝的芯粒之間的互聯(lián)通信，從而將分散的芯粒生態(tài)系統(tǒng)整合為統(tǒng)一平臺。三星早在去年就對其工藝進行了優(yōu)化，以支持UCIe IP的開發(fā)。此次原型芯片的成功運行，表明其技術已具備向商業(yè)量產邁進的能力。
  • 關鍵字： 三星  4nm  UCIe  傳輸帶寬  24Gbps  

中韓顯示面板廠商再起訴訟

  • 就在三星顯示（Samsung Display）近期接連在美國起訴中國京東方和華星光電之際，韓國另一家顯示面板巨頭LG顯示（LG Display，LGD）也在2025年6月13日，向美國德州東區(qū)地方法院對中國另一家顯示面板巨頭天馬微電子發(fā)起了專利侵權損害賠償和陪審團審理訴訟。與三星顯示和京東方、華星光電爭議的主要是OLED面板不同，此次LGD對天馬微電子提出的訴求主要還是LCD面板，尤其是應用在目前汽車行業(yè)，此外也包括對OLED的投訴。LGD在起訴書中指控天馬微電子侵犯7項美國專利：US8,416,166（
  • 關鍵字： 顯示面板  三星  京東方  LG顯示  天馬  

2納米芯片制造激烈競爭：良率差距顯著

  • 在持續(xù)進行的半導體行業(yè)競爭中，臺積電和三星電子正激烈爭奪2納米芯片制造的領先地位。據(jù)最新報道，兩家公司計劃于2025年下半年開始2納米芯片的大規(guī)模生產。然而，由于良率優(yōu)勢，臺積電在獲取訂單方面處于領先地位。臺積電已開始接收其 2 納米工藝的訂單，預計將在其新竹寶山和高雄晶圓廠進行生產。這標志著該公司首次采用環(huán)繞柵極（GAA）架構。新工藝預計將比當前的 3 納米工藝提升 10%至 15%的性能，降低 25%至 30%的功耗，并增加 15%的晶體管密度。主要客戶據(jù)報包括 AMD、蘋果、英偉達、高通和聯(lián)發(fā)科。值
  • 關鍵字： 制程  2nm  三星  臺積電  

Cadence 和三星將人工智能應用于 SoC、3D-IC 和芯片設計

  • Cadence 和三星晶圓廠擴大了他們的合作，簽訂了一項新的多年 IP 協(xié)議，并在最新的 SF2P 和其他先進工藝節(jié)點上聯(lián)合開發(fā)先進的 AI 驅動流程。具體來說，這項多年的 IP 協(xié)議將擴展 Cadence 內存和接口 IP 在三星晶圓廠的 SF4X、SF5A 和 SF2P 先進工藝節(jié)點上。通過利用 Cadence 的 AI 驅動設計技術和三星的先進 SF4X、SF4U 和 SF2P 工藝節(jié)點，這項合作旨在為 AI 數(shù)據(jù)中心、汽車、ADAS 和下一代射頻連接應用提供高性能、低功耗的解決方案。“我們支持在三
  • 關鍵字： 三星  CAD  人工智能  芯片設計  

DDR4瘋狂漲價，DRAM廠商爆賺

  • 據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，由于DDR4供應減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點，更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報價更高，呈現(xiàn)“價格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大。”根據(jù)DRAM專業(yè)報價網(wǎng)站DRAMeXchange最新報價顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
  • 關鍵字： DDR4  DRAM  三星  美光  南亞科技  華邦電子  HBM  

玻璃基板，陷入白熱化

  • 一塊厚度不足毫米的玻璃板，正引發(fā)英特爾、三星和臺積電之間一場靜悄悄的競賽。
  • 關鍵字： 三星  玻璃基板  

據(jù)報道，三星再次在 NVIDIA 的 12-Hi HBM3E 驗證中受挫，計劃于九月重新測試

  • 作為 Micron——在贏得 NVIDIA HBM 訂單的競爭中關鍵對手——宣布已交付其首批 12 層 HBM4 樣品，據(jù)報道三星在 6 月份第三次嘗試通過 NVIDIA 的 HBM3E 12 層驗證時遇到了挫折。根據(jù) Business Post引用的證券分析師，該公司現(xiàn)在計劃在 9 月份進行重測。盡管 Deal Site 之前表示三星的 12 層 HBM3E 在 5 月份通過了 NVIDIA 的裸片認證，但該產品仍需進行完整封裝驗證。另一方面，SR Times 建
  • 關鍵字： 三星  HBM  英偉達  
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