臺(tái)積電昨日在一份聲明中表示，將在未來兩年內(nèi)逐步淘汰其化合物半導(dǎo)體氮化鎵 （GaN） 業(yè)務(wù)，并援引市場(chǎng)動(dòng)態(tài)。

這家全球最大的合同芯片制造商表示，這一決定不會(huì)影響其之前宣布的財(cái)務(wù)目標(biāo)。

“我們正在與客戶密切合作，以確保平穩(wěn)過渡，并在此期間繼續(xù)致力于滿足他們的需求，”它說?！拔覀兊闹攸c(diǎn)仍然是為我們的合作伙伴和市場(chǎng)提供持續(xù)的價(jià)值?！?/p>

臺(tái)積電的最新舉措出乎意料，因?yàn)檫@家芯片制造商在其年度報(bào)告中表示，它已經(jīng)開發(fā)了第二代 650 伏和 100 伏 GaN 芯片，預(yù)計(jì)將于今年開始生產(chǎn)，同時(shí)它正在開發(fā) 8 英寸 650 伏增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管，計(jì)劃明年生產(chǎn)。

基于 GaN 的芯片正在成為硅基芯片的替代品，適用于需要高功率效率、更快開關(guān)速度和更小外形尺寸的應(yīng)用。這些芯片用于汽車行業(yè)、數(shù)據(jù)中心和光電子領(lǐng)域。

納微半導(dǎo)體在周二的一份聲明中表示，力晶半導(dǎo)體制造有限公司（Powerchip Semiconductor Manufacturing Co.）將接替臺(tái)積電成為納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor Inc.）的高壓氮化鎵芯片供應(yīng)商。

Powerchip 已與 Navitas 達(dá)成協(xié)議，在其位于苗栗縣湖南科學(xué)園的 200 毫米工廠生產(chǎn) GaN 芯片。

納微半導(dǎo)體表示，Powerchip 將制造納微半導(dǎo)體的 GaN 產(chǎn)品組合，額定電壓從 100 伏到 650 伏不等，以支持超大規(guī)模人工智能數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車不斷增長(zhǎng)的需求。

納微半導(dǎo)體表示，預(yù)計(jì)今年第四季度將對(duì)初始器件進(jìn)行認(rèn)證，100 伏系列預(yù)計(jì)將于明年上半年在 Powerchip 開始生產(chǎn)，而 650 伏器件將在未來 12 至 24 個(gè)月內(nèi)從臺(tái)積電過渡到 Powerchip。

該公司補(bǔ)充說，Powerchip 的晶圓廠自 2019 年開始運(yùn)營(yíng)，支持從 micro-LED 到射頻 GaN 器件的大批量制造工藝。