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Finwave籌集820萬美元短期投資以推動市場發(fā)展

  • 美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領投，技術合作伙伴 GlobalFoundries 戰(zhàn)略參與。Finwave 認為，新一輪融資表明投資者和行業(yè)領導者對其獨特的硅基氮化鎵技術的市場潛力充滿信心，因為它正在從以技術為中心的創(chuàng)新者轉變?yōu)楫a品驅動型公司。這家科技公司由麻省理工學院 （MIT） 的研究人員于 2012
  • 關鍵字： Finwave  短期投資  GaN  FinFET  

革新電力電子：氮化鎵雙向開關

  • 傳統(tǒng)方法的局限性多年來，工程師們一直致力于解決單向開關的基本限制。當需要雙向電壓阻斷時，設計人員必須使用多個分立元件實現(xiàn)背靠背配置，導致系統(tǒng)復雜性增加、尺寸增大和成本上升。這些配置還會引入額外的寄生元件，從而影響開關性能和效率。此外，傳統(tǒng)的三端 UDS 設備無法獨立控制雙向電流流，限制了它們在高級電源轉換拓撲中的應用。 圖片由 Adobe Stock 提供 隨著行業(yè)向更高功率密度、更高效率和更低系統(tǒng)成本發(fā)展，這些挑戰(zhàn)變得越來越重要。傳統(tǒng)的使用背靠背分立開關的方法，在
  • 關鍵字： Gan  電源開關  

GaN可靠性里程碑突破硅天花板

  • 半導體行業(yè)正處于性能、效率和可靠性必須同步發(fā)展的階段。AI 基礎設施、電動汽車、電源轉換和通信系統(tǒng)的需求正在將材料推向極限。氮化鎵 （GaN） 越來越受到關注，因為它可以滿足這些需求。該行業(yè)已經到了這樣一個地步，人們的話題不再是 GaN 是否可行，而是如何可靠、大規(guī)模地部署它。二十多年來，我專注于外延生長，見證了 GaN 從一種利基研究驅動型材料轉變?yōu)殡娏﹄娮宇I域的領先競爭者。進展是穩(wěn)定的，不是一蹴而就的?，F(xiàn)在傾向于 GaN 的公司和工程師是為下一代系統(tǒng)定位自己的公司。設備性能從外延開始對于 G
  • 關鍵字： GaN  可靠性  硅  

通過集成驅動器和高級保護功能簡化GaN電源設計

  • 高效率和高功率密度是為當今產品設計電源時的關鍵特性。為了實現(xiàn)這些目標，開發(fā)人員正在轉向氮化鎵 （GaN），這是一種可實現(xiàn)高開關頻率的寬帶隙半導體技術。與競爭對手的功率半導體技術相比，GaN 最大限度地減少了所需無源元件的尺寸，同時降低了柵極驅動和反向恢復損耗。此外，半導體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業(yè)標準封裝中，從而縮小印刷電路板 （PCB） 的占地面積要求，同時簡化供應鏈。GaN 應用在 650 V AC-DC 轉換領域，變壓器外形無鉛 （TOLL） 封裝是電源設計的有效選擇。采用此封
  • 關鍵字： 集成驅動器  高級保護  GaN  電源設計  

GaN FET在人形機器人中的應用

  • 引言人形機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內，同時保持此復雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機器人內空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實現(xiàn)與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約 40 個伺服電機 (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源
  • 關鍵字： GaN FET  人形機器人  

【對話前沿專家】香港科技大學黃文海教授談氧化鎵器件的突破與展望

  • _____在超寬禁帶半導體領域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。我們有幸與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀、應用前景及測試測量挑戰(zhàn)展開深入交流。香港科技大學在氧化鎵研究領域取得了顯著的成果，涵蓋了材料生長、器件設計、性能優(yōu)化和應用開發(fā)等多個方面。通過與國際科研機構和企業(yè)的合作，港科大團隊不僅推動了氧化鎵技術的發(fā)展，也為相關領域的應用提供了重要的技術支持。黃文海教授的團隊主要致力于氧化鎵器件全鏈條的研究。在材料生長方面，聚焦優(yōu)化晶體生長工藝，通過改進熔體生長技術，成
  • 關鍵字： 香港科技大學  氧化鎵器件  GaN  

英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產品系列

  • 英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開關應用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD?）較大，基于GaN的拓撲結構可能產生較高的功率損耗。如果控制器的死區(qū)時間較長，那么這種情況就會更加嚴重，導致效率低于目標值。目前功率器件設
  • 關鍵字： 英飛凌  肖特基二極管  工業(yè)用  GaN  晶體管  

德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護級別、功率密度和效率水平

  • 新聞亮點：新款發(fā)布的具有電源路徑保護功能的 48V 集成式熱插拔電子保險絲簡化了數(shù)據(jù)中心設計，助力設計人員達到 6kW 以上的功率水平。新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級采用行業(yè)標準的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝，將德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅動器與先進的保護功能相結合。中國上海（2025 年4 月 9 日）— 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長的電源需求。隨著高性能計算和人工智能 (AI) 的采用率越來越高，數(shù)據(jù)中心需要更
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN  數(shù)據(jù)中心  電源管理芯片  保險絲  

Nexperia擴展GaN FET產品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求

  • Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產品組合新增12款新器件。本次產品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業(yè)、服務器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內少有、同時提供級聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應商，為設計人員在應對設計過程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。Nexperia
  • 關鍵字： Nexperia  GaN FET  

芯向未來，2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會成功舉辦

  • 3月14日，?“2025?英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會”（ICIC 2025，以下同）在深圳舉行。本屆大會匯聚600多位業(yè)界精英，就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應用等話題展開了精彩探討，首次在國內展示了英飛凌兩款突破性技術——300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，彰顯了英飛凌在技術創(chuàng)新領域的領先地位，并解讀最新產品與解決方案，為行業(yè)注入新動能，助力企業(yè)在低碳數(shù)字變革的浪潮中把握先機。2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會（ICIC 2025）在深圳舉行2024年，
  • 關鍵字： 英飛凌  MCU  GaN  

GaN HEMT為開關應用帶來低噪聲功率

  • 氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 是場效應晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時結合了高水平的性能和低噪聲系數(shù)。不過，HEMT 與其他類型的 FET 器件有些不同，它的性能優(yōu)于標準結或 MOSFET。這些獨特的器件在微波射頻 （RF） 應用中表現(xiàn)出色。來自 n 型區(qū)域的電子穿過晶格，許多電子保持在異質結附近（異質結是指通過兩個或多個半導體的接觸耦合形成的界面區(qū)域）。這種只有一層厚的電子形成二維電子氣體。650V GaN HEMT 的開關能量 （Esw） 是在硬開關條
  • 關鍵字： GaN  HEMT  開關應用  低噪聲功率  

CGD 官宣突破100KW以上技術，推動GAN挺進超100億美元的電動汽車逆變器市場

  • 無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產品非常易于設計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術滿足100kW 以上的電動汽車動力系統(tǒng)應用，該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組合在同一個模塊或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，為昂
  • 關鍵字： CGD  GAN  電動汽車  驅動逆變器  

基于GaN的汽車應用的最新進展是什么？

  • 電動汽車 （EV） 越來越受歡迎，因為精明的消費者，尤其是在加利福尼亞州，認識到出色的加速性能的優(yōu)勢，例如，當紅綠燈變綠時，汽油動力汽車可能會被塵土甩砸。這是因為電動機在駕駛員踩下油門的那一刻就會產生峰值扭矩。然而，與內燃機 （ICE） 汽車相比，電動汽車的主要動機是能源效率。EV 車載電池充電器EV1 的車載電池充電器 （OBC） 完全能夠為來自交流電網的高壓牽引電池充電（圖 1）。停放的車輛插入 EV 1 級和 2 級交流充電站之一，這些充電站出現(xiàn)在停車場、家庭、公司、購
  • 關鍵字： GaN  汽車應用  OBC  高壓 DC-DC轉換器  

氮化鎵（GaN）賦能D類音頻放大器的未來

  • 了解如何將氮化鎵（GaN）功率晶體管技術應用于D類音頻放大器，可以提高信號保真度，降低功耗，并提供比硅更輕、更具成本效益的解決方案。在音頻工程中，放大器是傳遞強大、沉浸式聲音的核心設備。這些設備將低功率音頻信號轉換為豐富、高功率的輸出，從而驅動從便攜式揚聲器到專業(yè)音響系統(tǒng)的一切設備。在過去十年中出現(xiàn)的各種放大器設計中，有一種脫穎而出：D類放大器。以其高效性和廣泛使用而聞名，D類技術主導了現(xiàn)代音頻領域。然而，即使是最受歡迎的放大器也有其局限性。當前的D類音頻系統(tǒng)雖然效率很高，但在性能上仍面臨挑戰(zhàn)。D類放大器
  • 關鍵字： GaN  放大器  

GaN功率FET及背后柵極驅動器在LiDAR傳感器中的作用

  • 氮化鎵 （GaN） 功率器件因其超快的開關速度和有限的寄生效應而成為 LiDAR 傳感器的核心構建模塊之一，從而在高總線電壓和窄脈沖寬度下實現(xiàn)高峰值電流。為了迎來自動駕駛汽車的未來，必須在車輛系統(tǒng)內使用更先進的傳感器。LiDAR 是檢測自動駕駛汽車周圍物體存在的更廣泛使用的傳感器之一，它是光檢測和測距的縮寫，它從激光射出光并測量場景中的反射，有點像基于光的雷達。車輛的車載計算機可以使用這些數(shù)據(jù)來解釋汽車與周圍環(huán)境的關系以及道路上是否存在其他汽車和物體。LiDAR 傳感器必須基于一個非?？焖俚拈_關，該開關為
  • 關鍵字： GaN  功率FET  柵極驅動器  LiDAR  傳感器  
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　GaN 　　即氮化鎵，屬第三代半導體材料。 [ 查看詳細 ]

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