臺積電正在開發(fā)多個 N3 節(jié)點(diǎn)，目前至少 N3、N3B 和 N3E 正在開發(fā)中。N3 計劃于 2023 年投產(chǎn)，N3E 節(jié)點(diǎn)原定于 2024 年投產(chǎn)。N3E 節(jié)點(diǎn)原本是 N3 節(jié)點(diǎn)的增強(qiáng)版本，基于更少的 EUV 層的的設(shè)計，據(jù)說從 25 層降至 21 層，這將使其更容易制造。據(jù)悉據(jù)說 N3E 節(jié)點(diǎn)的密度比原始 N3 節(jié)點(diǎn)低 8% 左右，但仍比 N5 節(jié)點(diǎn)高 60% 左右。相比之下，據(jù)說 N3 節(jié)點(diǎn)的邏輯密度比 N5 節(jié)點(diǎn)高 70%。

   最新的報告顯示， 臺積電N3E 節(jié)點(diǎn)可能會在本月底完成，這意味著從 23 年第 3 季度到 23 年第 2 季度可能會投產(chǎn)。

    據(jù)說 N3E 節(jié)點(diǎn)“具有改進(jìn)的制造工藝窗口，具有更好的性能、功率和產(chǎn)量”，產(chǎn)量也高于 N3B 節(jié)點(diǎn)， N3B 是針對某些客戶的 N3 的改進(jìn)版本。目前對 N3B 節(jié)點(diǎn)知之甚少。