臺(tái)積電:1nm都不是問(wèn)題,中芯:14nm剛量產(chǎn),差距在哪?
近期,在2020年世界半導(dǎo)體大會(huì)上,臺(tái)積電稱(chēng):3nm芯片工藝制程將在明年上市,在后年將大規(guī)模量產(chǎn),并且2nm、1nm制程根本不是問(wèn)題。
本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/202008/417687.htm消息一出,很多人對(duì)此感到震驚,要知道我們國(guó)內(nèi)的中芯國(guó)際14nm制程才剛剛量產(chǎn),看來(lái)我們的差距不是一丁半點(diǎn)啊,那么為什么會(huì)有這么大的差距呢?差距到底在哪?據(jù)悉,一直以來(lái)我們都是"研發(fā)不如買(mǎi)"的思想,沒(méi)有研發(fā)出更好的技術(shù),所以一直都是依賴(lài)于美國(guó)高通等企業(yè),但是最近兩年美國(guó)對(duì)我國(guó)的芯片進(jìn)口進(jìn)行了限制,使得我國(guó)的很多企業(yè)被卡了脖子。
也因?yàn)檫@些原因,中芯國(guó)際一直處于較低端水平,直到現(xiàn)在,我國(guó)的中芯國(guó)際還處在14nm制程水平,而臺(tái)積電5nm芯片已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)。兩者不論從技術(shù)、市場(chǎng)還是營(yíng)收、利潤(rùn),差距都比較大,在營(yíng)收中,臺(tái)積電主要是靠先進(jìn)的工藝,50%以上的營(yíng)收來(lái)自16nm以下,而中芯國(guó)際主要靠落后的技術(shù),96%的營(yíng)收來(lái)自28nm以前的技術(shù),導(dǎo)致中芯國(guó)際的營(yíng)收和臺(tái)積電差距越來(lái)越大,其原因就在于我國(guó)中芯國(guó)際生產(chǎn)的全是落后工藝芯片,單價(jià)低,利潤(rùn)也低。
總之,差距還是在于我們的工藝水平太差,技術(shù)水平不行,臺(tái)積電主要靠先進(jìn)工藝,而中芯國(guó)際靠的是落后技術(shù),自然差距就越拉越大。雖然這次遇上了麻煩,但是也給我們提了個(gè)醒,那就是核心科技、核心技術(shù)一定要掌握在自己手中,這樣才不會(huì)被別人卡了脖子,我們不能再有以前"研發(fā)不如買(mǎi)"的思想,因?yàn)檫@樣遲早會(huì)被限制的。
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