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臺積電20納米 提前一季投片

作者: 時間:2013-07-11 來源:工商時報 收藏

  可程序邏輯閘陣列(FPGA)大廠賽靈思(Xilinx)9日宣布,已經(jīng)開始在投片業(yè)界首款米可編程邏輯元件(PLD),以及業(yè)界首款米全編程(AllProgrammable)元件。業(yè)界指出,賽靈思宣布進入米世代,代表20納米已提前一季進入投片階段。

本文引用地址:http://www.bjwjmy.cn/article/147379.htm

  20納米已經(jīng)研發(fā)完成,正在積極建置20納米生產(chǎn)線,包括竹科超大型晶圓廠(GigaFab)Fab12第6期,以及南科Fab14第5期及第6期。臺積電原本預計今年第4季才會開始投片,明年首季進入量產(chǎn)階段,但賽靈思提前在第3季宣布20納米芯片開始投片,代表臺積電20納米投產(chǎn)進度已較原本規(guī)畫提前一季進行。

  賽靈思宣布,20納米PLD芯片及全編程元件已經(jīng)開始在臺積電投片,同時,賽靈思亦著手建置業(yè)界第一個特殊應用芯片(ASIC)等級可編程架構(gòu)UltraScale,將由28納米快速轉(zhuǎn)進20納米世代。同時,最新開發(fā)的UltraScale架構(gòu)可將20納米平面制程,擴展至16納米及更先進的鰭式場效晶體管(FinFET)技術(shù),并可從單芯片進展到3DIC。

  業(yè)界人士認為,在賽靈思的協(xié)力合作下,臺積電今年底應該可開始進行16納米試產(chǎn),成功將20納米微縮至16納米的時間提前一年,亦即2015年就會如期進入16納米FinFET量產(chǎn),臺積電與英特爾間技術(shù)時間差距,將因此縮短到1年,如此一來就不必再怕英特爾搶單。



關(guān)鍵詞: 臺積電 20納

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