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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

因中國價格戰(zhàn)和Wolfspeed不確定性 瑞薩電子放棄SiC生產(chǎn)計(jì)劃

  • 根據(jù) MoneyDJ 援引日經(jīng)新聞的一份報告，電動汽車 （EV） 市場增長放緩，加上中國制造商增產(chǎn)導(dǎo)致供應(yīng)過剩，導(dǎo)致價格下跌，據(jù)報道，這促使日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩電子放棄了生產(chǎn)電動汽車碳化硅功率半導(dǎo)體的計(jì)劃。日經(jīng)新聞指出，瑞薩電子最初計(jì)劃于 2025 年初在其位于群馬縣的高崎工廠開始生產(chǎn)用于電動汽車的 SiC 功率芯片。然而，該公司此后解散了高崎工廠的 SiC 團(tuán)隊(duì)。日經(jīng)新聞補(bǔ)充說，預(yù)計(jì)與中國競爭對手的價格競爭將在中長期內(nèi)加劇，這使得瑞薩電子作為后來者很難從 SiC 芯片生產(chǎn)中快速獲利。根
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中國最大碳化硅工廠點(diǎn)火，可供應(yīng)本地30%需求，Wolfspeed壓力很大

  • 據(jù)當(dāng)?shù)孛襟w《一財全球》和IT之家報道，據(jù)報道，美國碳化硅 （SiC） 巨頭 Wolfspeed 在與快速崛起的中國競爭對手的激烈競爭中徘徊在破產(chǎn)邊緣，中國最大的碳化硅晶圓廠已在武漢正式投產(chǎn)，旨在供應(yīng)該國國內(nèi)產(chǎn)量的 30%。YiCai 報告稱，一個 SiC 晶圓模型的車載測試最快將于下個月開始，而另外近 10 個模型已經(jīng)在驗(yàn)證中。不久之后將進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)和交付。IT Home 表示，該工廠的一期重點(diǎn)是功率器件，計(jì)劃年產(chǎn) 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圓。另一方面，益財國際補(bǔ)充說，這足以支持超過 1
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Wolfspeed破產(chǎn)傳聞使瑞薩電子20億SiC供應(yīng)交易面臨風(fēng)險

  • 據(jù)日本媒體《日刊工業(yè)新聞》報道，據(jù)報道，總部位于美國的碳化硅晶圓生產(chǎn)商 Wolfspeed 正在申請第 11 章破產(chǎn)保護(hù)。報告指出，這一發(fā)展促使日本公司（包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應(yīng)協(xié)議的瑞薩電子以及 Rohm）重新評估其戰(zhàn)略計(jì)劃。正如日刊工業(yè)新聞所說，瑞薩電子可能會受到影響，因?yàn)槠渑c Wolfspeed 于 2023 年簽署了 20 億美元的預(yù)付款 10 年碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議。報告指出，如果 Wolfspeed 根據(jù)美國破產(chǎn)法第 11 章申請破產(chǎn)保護(hù)，瑞薩電子可能
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將電流傳感器集成到EV用SiC功率模塊中

  • 功率半導(dǎo)體研究實(shí)驗(yàn)室 Silicon Austria Labs （SAL） 完成了將電流傳感器集成到電源模塊中的概念驗(yàn)證，該模塊旨在用于電動汽車牽引逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。該實(shí)驗(yàn)室表示，這項(xiàng)技術(shù)可以提高效率，同時減小牽引逆變器和其他基于下一代碳化硅 （SiC） 功率器件的超大電流電力電子設(shè)備的尺寸和重量。新功率模塊的核心是由 Asahi Kasei Microdevices 設(shè)計(jì)的非接觸式、無磁芯電流傳感器。新芯片取代了當(dāng)今許多電動汽車中部署的基于磁芯的電流傳
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東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
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東芝在SiC專利申請中挑戰(zhàn)泰科天潤

  • 中國功率芯片開發(fā)商泰克天潤（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技術(shù)專利申請排名中面臨東芝的挑戰(zhàn)。法國分析機(jī)構(gòu) KnowMade 的最新數(shù)據(jù)顯示，2025 年第一季度全球申請了 840 多個新專利族。本季度的專利申請活動以東芝在 SiC 功率器件專利領(lǐng)域的加速發(fā)展為標(biāo)志，以匹配 Global Power Technology的專利數(shù)量。這家中國公司在過去四個季度一直是排名靠前的專利申請人，幾乎完全專注于 SiC MOSFET 結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。第一季度授予了 420 多個
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CHIPS 法案、電動汽車關(guān)稅加劇了Wolfspeed的現(xiàn)金危機(jī)

  • 在特朗普政府縮減美國《芯片法案》并提升汽車關(guān)稅后，Wolfspeed（歐勝）的新任首席執(zhí)行官需要面臨更為嚴(yán)峻的現(xiàn)金危機(jī)。作為車用碳化硅行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，Wolfspeed近年來投入數(shù)十億美元在美國建立SiC制造能力，可惜備受汽車經(jīng)濟(jì)低迷和關(guān)稅前景的打擊陷入持續(xù)虧損中，現(xiàn)在公司轉(zhuǎn)向提供AI數(shù)據(jù)中心電源以促進(jìn)增長，不過該公司正在尋求第11章法規(guī)的債權(quán)保護(hù)?！白鳛槲覀冑J方談判的一部分，我們可能會選擇在法庭內(nèi)或庭外尋求選擇，”兩周前接任首席執(zhí)行官的羅伯特·費(fèi)爾 （Robert Feurle） 說。據(jù)報道，資產(chǎn)管理公
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SiC開始加速批量上車

  • 在新能源汽車技術(shù)的演進(jìn)歷程中，碳化硅（SiC）技術(shù)已成為推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。作為第三代半導(dǎo)體的代表材料，SiC 憑借其卓越的性能優(yōu)勢，已深度融入新能源汽車的核心系統(tǒng)，開啟了新能源汽車性能提升與技術(shù)創(chuàng)新的新篇章。從高端豪華車型到大眾普及款，從純電動到混合動力，SiC 技術(shù)的應(yīng)用范圍不斷拓展，正以前所未有的速度實(shí)現(xiàn)批量上車，重塑新能源汽車的技術(shù)格局與市場競爭態(tài)勢。碳化硅實(shí)現(xiàn)多價格區(qū)間車型覆蓋SiC 技術(shù)已成為車企在新能源汽車賽道上差異化競爭的核心要素，如今已廣泛覆蓋 10 萬至 150 萬元價格區(qū)間的車型
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SiC襯底市場 去年?duì)I收減9%

  • TrendForce最新研究，2024年汽車、工業(yè)需求走弱，SiC基板出貨量成長放緩，與此同時，市場競爭加劇，產(chǎn)品價格大幅下跌，導(dǎo)致2024年全球N-type（導(dǎo)電型）SiC基板產(chǎn)業(yè)營收年減9%，為10.4億美元。進(jìn)入2025年，即便SiC基板市場持續(xù)面臨需求疲軟、供給過剩的雙重壓力，然而，長期成長趨勢依舊不變，隨著成本逐漸下降、半導(dǎo)體元件技術(shù)不斷提升，未來SiC應(yīng)用將更為廣泛，特別是在工業(yè)領(lǐng)域的多樣化。 同時，市場競爭激烈的環(huán)境下，加速企業(yè)整合，重新塑造產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局。TrendForce分析各供應(yīng)商營收
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內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統(tǒng)采用

  • 全球先進(jìn)的太陽能發(fā)電及儲能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?！癝unny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設(shè)施、儲能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計(jì)的模塊化平臺，旨在進(jìn)一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導(dǎo)體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實(shí)
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英飛凌重返SiC JFET，實(shí)現(xiàn)更智能、更快速的固態(tài)配電

  • Infineon Technologies 開發(fā)了用于固態(tài)保護(hù)和配電設(shè)計(jì)的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場來控制電導(dǎo)率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著降低導(dǎo)通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
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利用 SMFA 系列非對稱 TVS 二極管實(shí)現(xiàn)高效 SiC MOSFET 柵極保護(hù)

  • 引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。隨著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，開關(guān)損耗也在不斷降低。隨著開關(guān)速度的不斷提高，設(shè)計(jì)人員應(yīng)更加關(guān)注MOSFET的柵極驅(qū)動電路，確保對MOSFET的安全控制，防止寄生導(dǎo)通，避免損壞功率半導(dǎo)體。必須保護(hù)敏感的MOSFET柵極結(jié)構(gòu)免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護(hù)解決方案，有助于最大限度地延長電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅(qū)動器設(shè)計(jì)措施關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動器電路的穩(wěn)健性，有幾個問題值得考慮。除了驅(qū)動器安全切換半導(dǎo)
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新型SiC模塊，可將安裝面積減少一半

  • ROHM宣稱其新型SiC模塊已「達(dá)到業(yè)界頂級水平」，這使得安裝面積顯著減少。
  • 關(guān)鍵字： SiC  功率器件  ROHM  

格力家用空調(diào)搭載SiC芯片突破100萬臺

  • 4月22日下午，格力電器召開2025年第一次臨時股東大會，相比過往歷次股東大會都被安排在格力地產(chǎn)總部辦公樓，本次股東大會首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠舉行。據(jù)悉，該工廠自2024年投產(chǎn)以來，其碳化硅功率芯片在家用空調(diào)中的裝機(jī)量已經(jīng)突破100萬臺。SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優(yōu)勢，能夠顯著提升空調(diào)的能效。搭載SiC芯片后，空調(diào)的電能轉(zhuǎn)換效率得到優(yōu)化，制冷制熱效果增強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)能耗降低，同時可以提升產(chǎn)品性能、降低能耗，增強(qiáng)格力空調(diào)的市場競爭力。格力該工廠是全球第二座、亞洲首座全自動化6英寸碳化硅
  • 關(guān)鍵字： 格力  家用空調(diào)  SiC  

碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相

  • 全社會都在積極推動低碳化轉(zhuǎn)型，而低碳化的背后其實(shí)是電氣化。在 新型電氣能源架構(gòu) 中，相比于從前，一次能源到終端用戶的 能源轉(zhuǎn)換次數(shù)增多 。雖然可再生能源是免費(fèi)的，但是這種多層級的能源轉(zhuǎn)換，每一步都會帶來一定的能耗損失，因此 追求更高效的能源轉(zhuǎn)化效率至關(guān)重要 。SiC正是功率半導(dǎo)體的 能效提升技術(shù) ，它的出現(xiàn)滿足了低碳化時代兩大全新的市場需求：1能效創(chuàng)新： SiC技術(shù)在光伏、儲能、數(shù)據(jù)中心等大功率電源管理領(lǐng)域，能夠顯著
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  碳化硅  溝槽柵技  
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碳化硅（sic）介紹

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