基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板
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NCP51752是隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。 它們?cè)O(shè)計(jì)用于快速切換以驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關(guān)。 NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關(guān)閉，NCP51752具有嵌入式負(fù)偏置軌機(jī)制在GND2和VEE引腳之間。
本用戶指南支持NCP51752的評(píng)估板。 它應(yīng)該與NCP51752數(shù)據(jù)表以及onsemi的應(yīng)用說明和技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)一起使用。
本文檔描述了孤立單體的擬議解決方案使用NCP51752系列的通道門驅(qū)動(dòng)器。 本用戶指南還包括有關(guān)操作程序、輸入/輸出連接、電氣原理圖、印刷電路板（PCB）布局以及評(píng)估板的物料清單（BOM）。
這些評(píng)估板可用于評(píng)估：
?NCP51752xDR2G
?NCV51752xyDR2G
典型應(yīng)用圖：
?場(chǎng)景應(yīng)用圖
?展示板照片
?方案方塊圖
?核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)
? VCC UVLO參考GND2 ? GND2和VEE引腳之間的內(nèi)置負(fù)偏壓 ? 通過微調(diào)可選擇的負(fù)偏差水平 ? 3?V至20?V輸入電源電壓 ? 輸出電源電壓為6.5 V至30 V，6?V和8?V ,MOSFET，SiC為12?V和17?V，閾值 ? 4.5?A峰值源，9?A峰谷輸出電流能力 ? 最小CMTI為200 V/ns dV/dt ? 輸入引腳具有負(fù)5-V處理能力 ? 傳播延遲典型值為36 ns ? 5 ns最大延遲匹配 ? 隔離和安全
?方案規(guī)格
? 窄體（4毫米）SOIC-8封裝中NCP51752產(chǎn)品系列的評(píng)估板 ? 3 V至20 V輸入電源電壓 ? 輸出電源電壓為6.5 V至30 V，MOSFET為6 V和8 V，SiC為12 V和17 V，閾值 ? 4.5 A和9 A源/匯電流驅(qū)動(dòng)能力 ? TTL兼容輸入和允許的輸入電壓上升，帶IN+和IN-引腳的VDD ? 3位插頭，帶IN+和IN-引腳 ? 支持使用MOSFET和連接到外部功率級(jí)的SiC MOSFET進(jìn)行測(cè)試
評(píng)論