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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

碳化硅（sic） 文章 進入碳化硅（sic）技術社區(qū)

基本半導體完成股份改制，正式更名

  • 為適應公司戰(zhàn)略發(fā)展需要，經(jīng)深圳市市場監(jiān)督管理局核準，深圳基本半導體有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商變更登記手續(xù)，公司名稱正式變更為“深圳基本半導體股份有限公司”。此次股份改制是基本半導體發(fā)展的重要里程碑，標志著公司治理結構、經(jīng)營機制和組織形式得到全方位重塑，將邁入全新的發(fā)展階段。從即日起，公司所有業(yè)務經(jīng)營活動將統(tǒng)一采用新名稱“深圳基本半導體股份有限公司”。公司注冊地址變更至青銅劍科技集團總部大樓，詳細地址為：深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值览峡由鐓^(qū)光科一路6號青銅劍科技大廈1棟801。股改完成后
  • 關鍵字： 基本半導體  銅燒結  碳化硅  功率芯片  

全球 33 家 SiC 制造商進展概覽

  • SiC 功率器件市場規(guī)模逐年擴大，并將保持高速增長。
  • 關鍵字： SiC  功率器件  

意法半導體先進的電隔離柵極驅(qū)動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能

  • 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅(qū)動器集成了意法半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅(qū)動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動化、家電等工業(yè)電機驅(qū)動裝置的可靠性。新驅(qū)動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
  • 關鍵字： 意法半導體  電隔離柵極驅(qū)動器  IGBT  SiC MOSFET  

東芝推出具有低導通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結構可實現(xiàn)低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測試樣品，供客戶評估。當?shù)湫蚐iC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因?qū)娮柙黾佣档?。東芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結構來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
  • 關鍵字： 東芝  低導通電阻  牽引逆變器  SiC MOSFET  驅(qū)動逆變器  

業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列

  • Littelfuse公司是一家工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管，這是市場上首款非對稱瞬態(tài)抑制解決方案，專為保護碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設計。與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開關速度更快、效率更高，因此越來越受到歡迎，對穩(wěn)健柵極保護的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創(chuàng)新的單元件解決方案，在簡化設計的同時顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
  • 關鍵字： SiC MOSFET柵極保護  非對稱瞬態(tài)抑制二極管  Littelfuse  

碳化硅6吋基板供過于求 價格崩盤

  • 碳化硅（SiC）6吋基板新產(chǎn)能大量開出，嚴重供過于求，報價幾乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（約中國大陸制造成本價），第四季價格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。產(chǎn)業(yè)人士指出，價格崩盤已讓絕大多數(shù)業(yè)者陷入賠錢銷售，而買家不敢輕易出手撿便宜，因為買方預期SiC價格還會再下降。而明日之星的8吋SiC基板，雖未到真正量產(chǎn)，但2024年報價已快速下滑，尤其是中國大陸價格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。業(yè)者分析，8吋SiC基板并沒有標準價格，供應鏈端仍屬于試產(chǎn)階段，供給
  • 關鍵字： 碳化硅  基板  

聚焦碳化硅項目，鉅芯半導體等三方達成合作

  • 據(jù)“融中心”消息，大連市中韓經(jīng)濟文化交流協(xié)會、韓中文化協(xié)會及安徽鉅芯半導體科技有限公司（以下簡稱：鉅芯半導體）在安徽省池州市舉行了一場簽約儀式。此次簽約標志著三方在碳化硅領域的合作正式開始。據(jù)悉，三方本次合作的核心內(nèi)容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車空調(diào)關鍵零部件的生產(chǎn)展開，將共同打造高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)品生產(chǎn)線。據(jù)了解，今年以來，部分韓國半導體廠商正在持續(xù)發(fā)力碳化硅產(chǎn)業(yè)，并不斷取得新進展。據(jù)韓媒ETnews報道，今年3月26日，半導體設計公司Power Cube Semi宣布，已在韓國首次成功開發(fā)出2
  • 關鍵字： 碳化硅  鉅芯半導體  

進擊的中國碳化硅

  • 中國碳化硅廠商把價格打下來了。
  • 關鍵字： SiC  

全球有多少個8英寸碳化硅晶圓廠？

  • 全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
  • 關鍵字： SiC  

高功率SiC模塊助力實現(xiàn)可持續(xù)軌道交通

  • 國際能源署（IEA）今年發(fā)布的報告稱，2023年全球與能源相關的二氧化碳排放量達到374億噸，較2022年增加4.1億噸，再創(chuàng)新的記錄。其中，交通運輸排放增長最為顯著，激增近2.4億噸，位居第一。軌道交通的溫室氣體排放約為航空出行的五分之一，對于由可再生能源發(fā)電驅(qū)動的電氣化列車，這一比率則更低。因此，擴建軌道交通基礎設施及電氣化改造是減少CO2排放和實現(xiàn)氣候目標的關鍵。與電動汽車不同的是，電力機車已被廣泛使用了一百多年。然而，全球范圍內(nèi)的軌道交通電氣化轉型仍然方興未艾，不同國家和地區(qū)的軌道交通電氣化率存在
  • 關鍵字： 碳化硅  功率模塊  軌道交通  

利用SiC模塊進行電動壓縮機設計要點

  • 壓縮機是汽車空調(diào)的一部分，它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經(jīng)冷凝器，節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱，實現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動機為動力，通過皮帶帶動壓縮機轉動。而新能源汽車脫離了發(fā)動機，以電池為動力，通過逆變電路驅(qū)動無刷直流電機，從而帶動壓縮機轉動，實現(xiàn)空調(diào)的冷熱交換功能。電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件，除了可以提高車廂內(nèi)的環(huán)境舒適度（制冷，制熱）以外，對電驅(qū)動系統(tǒng)的溫度控制發(fā)揮著重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續(xù)航里程都至關重要。圖1.電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件電動壓縮機需
  • 關鍵字： 壓縮機  汽車空調(diào)  SiC  

意法半導體第四代碳化硅功率技術問世！為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制

  • 意法半導體（簡稱ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術。公司計劃在2027年前推出更多先進的SiC技術創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術，推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
  • 關鍵字： STPOWER  SiC  MOSFET  驅(qū)動逆變器  

劍指8英寸碳化硅！兩大廠官宣合作

  • 9月24日，Resonac（原昭和電工）在官網(wǎng)宣布，其與Soitec簽署了一項合作協(xié)議，雙方將共同開發(fā)用于功率半導體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開發(fā)中，Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶，Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術加速碳化硅8英寸轉型據(jù)悉，Soitec擁有一種獨有的SmartSiC?技術，該技術通過處理高質(zhì)量的碳化硅單晶襯底，將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底，然后將單晶襯底分割成薄膜，從而從一個碳化硅單晶襯底生產(chǎn)出多個高質(zhì)量的碳化硅晶圓，由此顯著提
  • 關鍵字： 8英寸  碳化硅  Resonac  

東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設備實現(xiàn)高效率

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業(yè)設備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進型結勢壘肖特基（JBS）結構[1]。在結勢壘中使用新型金屬，有
  • 關鍵字： 東芝  SiC  肖特基勢壘二極管  工業(yè)電源  

美印宣布將在印度建立半導體工廠，生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片

  • 美國和印度達成協(xié)議，將共同在印度建立一家半導體制造廠，助力印度總理莫迪加強該國制造業(yè)的雄心計劃。據(jù)白宮消息人士稱，擬建的工廠將生產(chǎn)紅外、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體，這是美國總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會晤后發(fā)布的。消息人士稱，該工廠的建立將得到印度半導體計劃（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰(zhàn)略技術伙伴關系的支持。印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國及其在技術領域所能提供的機會提供了新的關注點。在過去十年中，莫迪曾多次表示，他將把印度定位為中國的替代品，并
  • 關鍵字： 半導體  氮化鎵  碳化硅  
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碳化硅（sic）介紹

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