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mosfet器件 文章 最新資訊

復旦大學研發(fā)新型SiC MOSFET器件

  • 在功率半導體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高臨界電場強度和優(yōu)異的熱導率，被廣泛應用于新能源汽車、智能電網(wǎng)和軌道交通等高壓高頻場景。然而，如何在確保擊穿電壓（BV）的同時優(yōu)化導通電阻（Ron），一直是行業(yè)亟待解決的難題。近日，復旦大學研究團隊在這一領(lǐng)域取得重要突破。據(jù)復旦大學研究團隊透露，他們基于電荷平衡理論，通過對離子注入工藝的深度優(yōu)化，成功設(shè)計并制備出正交結(jié)構(gòu)和平行結(jié)構(gòu)兩種布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。實驗數(shù)據(jù)顯示，這兩種新型器件在維持約2.0kV擊
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MOSFET器件的高壓CV測試詳解

  • _____MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計一個高效的開關(guān)電源將要求設(shè)計者知道設(shè)備的電容，因為這將影響開關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。圖1 功率MOSFET的組件級電容三端功率半導體器件的電容可以在兩種不同的量級上看待：組件和電路。在組件上查看電容涉及到表征每個設(shè)備終端之間的電容。在電路上觀察電容涉及到描述組件級電容的組合。例如，圖1說明了一個功率MOSFET的組件級電容
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技術(shù)知識：嵌入式功率系統(tǒng)的100V MOSFET器件

  • 高效的AC/DCSMPS與DC/DC轉(zhuǎn)換器是現(xiàn)代功率架構(gòu)的主干，用于驅(qū)動電信或計算機等系統(tǒng)。為了滿足市場對這些轉(zhuǎn)換...
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mosfet器件介紹

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