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英飛凌推出650V CoolGaN? G5雙向開關，提升功率系統(tǒng)的效率和可靠性
- 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵（GaN）開關——650V CoolGaN? G5雙向開關（BDS）。該產(chǎn)品采用共漏極設計和雙柵極結構，是一款使用英飛凌強大柵極注入晶體管（GIT）技術和CoolGaN?技術的單片雙向開關，能夠有效替代轉換器中常用的傳統(tǒng)背靠背開關。650V CoolGaN? G5雙向開關這款CoolGaN?雙向開關能夠為功率轉換系統(tǒng)帶來多項關鍵優(yōu)勢。它通過將兩個開關集成到一個器件中，簡化了循環(huán)轉換器拓撲結構的設計，實現(xiàn)
- 關鍵字： 英飛凌 650V CoolGaN G5雙向開關
東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
- 關鍵字： 東芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET
英飛凌推出面向高能效電源應用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品
- 英飛凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管，先進的發(fā)射器控制設計結合高速技術，以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導體器件適合用于各種應用，如組串式逆變器、儲能系統(tǒng)（ESS）、電動汽車充電應用以及如工業(yè)UPS和焊接等傳統(tǒng)應用。?在分立式封裝
- 關鍵字： 英飛凌 650V IGBT
ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT
- 全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。據(jù)悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實現(xiàn)無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
- 關鍵字： ROHM 650V GaN HEMT
大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產(chǎn)品的4KW 650V工業(yè)電機驅(qū)動方案
- 致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NFAM5065L4B智能功率整合模塊（IPM）的4KW 650V工業(yè)電機驅(qū)動方案。圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的4KW 650V工業(yè)電機驅(qū)動方案的展示板圖近年來，隨著科技高速發(fā)展以及工業(yè)4.0的加速推進，工業(yè)市場對于電機的需求與日俱增。根據(jù)相關機構調(diào)查顯示電機的耗電量約為全球電力供應的50%。這在節(jié)能減排、實現(xiàn)“雙碳”的統(tǒng)一戰(zhàn)略目標下，是一項亟待解決的問題。為了提升電機運轉效率降低能源損
- 關鍵字： 大聯(lián)大世平集團 onsemi 650V 工業(yè)電機驅(qū)動
Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術
- 半導體基礎元器件生產(chǎn)領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現(xiàn)了更出色的開關和導通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結構并優(yōu)化了器件相關參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場效應管無需復雜的驅(qū)動和控制，應用設計大為簡化；使用標準的硅MOSFET 驅(qū)動器也可以很容易地驅(qū)動它們。 新的氮化鎵技術采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
- 關鍵字： Nexperia 650V 氮化鎵 GaN
科銳推出新型650V MOSFET，提供業(yè)界領先效率，助力新一代電動汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽能應用創(chuàng)新
- 作為碳化硅技術全球領先企業(yè)的科銳公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應用，助力新一代電動汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應用，提供業(yè)界領先的功率效率。
- 關鍵字： 科銳 650V MOSFET 電動汽車
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