nand flash 文章進入nand flash技術(shù)社區(qū)

競逐eMMC商機　Flash控制芯片廠陷混戰(zhàn)

2013年eMMC需求在智能手機市場帶動下大幅成長，2014年，平板電腦應(yīng)用需求亦值得期待，尤其在中國大陸銷售的平板電腦中，有90%尚未采用eMMC，這可能進一步擴大eMMC市場規(guī)模，引來業(yè)內(nèi)廠商混戰(zhàn)一片......
關(guān)鍵字： Flash 控制芯片

半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

　　智慧之石　　作為電子工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的電子器件，已經(jīng)歷了三個巨大變革時代：1.?電子管時代――1905～1947(42年);2.?晶體管時代――1947～1958(11年);3.?集成電路時代――1958～…(到2014年已有56年)?！　‰娮庸艿陌l(fā)明拉開了電子時代的序幕，為當時蓬勃發(fā)展的無線電報事業(yè)提供了核心器件，在它存在的40多年的時間里，推動了收音機、電視機、雷達、計算機的發(fā)明和應(yīng)用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表，1920年即開始廣播，也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
關(guān)鍵字： NAND DRAM PC 201404

FPGA中Flash驅(qū)動模塊的設(shè)計及驗證

　　隨著FPGA的功能日益強大和完善，F(xiàn)PGA在項目中的應(yīng)用也越來越廣泛，其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲器件為FPGA的外圍，敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動模塊的設(shè)計，其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求，并且通過實際的讀寫操作驗證
關(guān)鍵字： Flash 驅(qū)動 FPGA

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

　　靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持數(shù)據(jù)不丟失?！　?、VDMS16M32芯片介紹　　VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
關(guān)鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32

2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營收下滑4.5%

　　全球市場研究機構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導(dǎo)致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供應(yīng)商營收較第三季下滑4.5%，來到61億6,800萬美元。　　2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少，因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
關(guān)鍵字： NAND DRAM

基于FPGA的SPI Flash控制器的設(shè)計方案

本文提出一個基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實現(xiàn)方案，該方案利用硬件對SPI Flash進行控制，能夠非常方便地完成Flash的讀寫、擦除、刷新及預(yù)充電等操作，同時編寫的SPI Flash控制器IP核能夠進行移植和復(fù)用，作為SOC芯片的功能模塊。
關(guān)鍵字： FPGA Flash SOC CPU VHDL

基于FPGA的速率自適應(yīng)圖像抽取算法

載荷圖像可視化是深空探測任務(wù)中的重要需求，但受信道帶寬的限制，無法實時傳輸所有載荷數(shù)據(jù)，因此星載復(fù)接存儲器中圖像的抽取下傳是實現(xiàn)任務(wù)可視化的關(guān)鍵。
關(guān)鍵字：存儲器 FPGA 載荷圖像 VCDU FLASH

基于SPI FLASH的FPGA多重配置

通過FPGA的多重配置可以有效地精簡控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計，同時可以用邏輯資源較少的FPGA器件實現(xiàn)需要很大資源才能實現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲器SPI FLASH為基礎(chǔ)，從硬件電路和軟件設(shè)計兩個方面對多重配置進行分析，給出了多重配置實現(xiàn)的具體步驟，對實現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計工程有一定的參考價值。
關(guān)鍵字： FPGA Virtex5 FLASH ICAP IPROG 寄存器

布局存儲器封測臺廠競爭卡位

　　存儲器大廠美光擴大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局，今年存儲器封測競爭卡位，勢必激烈。　　展望今年，國際存儲器大廠集中資源開發(fā)前端制程，包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴大委外，封測臺廠考量自身發(fā)展，積極與國際大廠洽商合作。　　美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。　　為進一步集成DRAM封測業(yè)務(wù)，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
關(guān)鍵字：存儲器 NAND

提高MSP430G單片機的Flash擦寫壽命的方法

在嵌入式設(shè)計中，許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集 ...
關(guān)鍵字： MSP430G 單片機 Flash 擦寫壽命

武漢新芯：定位存儲器制造，兩年后或推3D NAND

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨立經(jīng)營，是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲器制造。近日，武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
關(guān)鍵字： XMC 存儲器 NOR NAND 201401

單片機高手是怎樣煉成的

近來在論壇總是見到一些菜鳥們在大叫：“我想學(xué)單片機”，“我要學(xué)單片機”，“如何入門啊?”，“你們怎么這么厲害，是怎樣學(xué)的??”等等等等一系列的問題，實在是看多了也感到煩了，今天，就由我電子白菜厚著面皮，頂著無數(shù)老蝦的磚頭，在這里寫上一篇單片機學(xué)習(xí)心得，讓菜鳥們勇敢地跨出第一步。
關(guān)鍵字：單片機 LED LCD FLASH USB

ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
關(guān)鍵字： ARM11 DDR NAND flash 寄存器

武漢新芯：已建成IP體系，欲以存儲器為特色

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導(dǎo)體企業(yè)，2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資，并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè)，前幾年委托SMIC(中芯國際)經(jīng)營管理，從2012年底起獨立經(jīng)營。
關(guān)鍵字： XMC 存儲器 NAND

AVR的主要特性

AVR單片機是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡指令集高 ...
關(guān)鍵字： AVR單片機 ATMEL Flash

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]