nand flash 文章最新資訊

基于SPI FLASH的FPGA多重配置

通過FPGA的多重配置可以有效地精簡控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計，同時可以用邏輯資源較少的FPGA器件實現(xiàn)需要很大資源才能實現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲器SPI FLASH為基礎(chǔ)，從硬件電路和軟件設(shè)計兩個方面對多重配置進行分析，給出了多重配置實現(xiàn)的具體步驟，對實現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計工程有一定的參考價值。
關(guān)鍵字： FPGA Virtex5 FLASH ICAP IPROG 寄存器

布局存儲器封測臺廠競爭卡位

　　存儲器大廠美光擴大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局，今年存儲器封測競爭卡位，勢必激烈。　　展望今年，國際存儲器大廠集中資源開發(fā)前端制程，包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴大委外，封測臺廠考量自身發(fā)展，積極與國際大廠洽商合作。　　美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。　　為進一步集成DRAM封測業(yè)務(wù)，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
關(guān)鍵字：存儲器 NAND

提高MSP430G單片機的Flash擦寫壽命的方法

在嵌入式設(shè)計中，許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集 ...
關(guān)鍵字： MSP430G 單片機 Flash 擦寫壽命

武漢新芯：定位存儲器制造，兩年后或推3D NAND

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨立經(jīng)營，是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲器制造。近日，武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
關(guān)鍵字： XMC 存儲器 NOR NAND 201401

單片機高手是怎樣煉成的

近來在論壇總是見到一些菜鳥們在大叫：“我想學(xué)單片機”，“我要學(xué)單片機”，“如何入門啊?”，“你們怎么這么厲害，是怎樣學(xué)的??”等等等等一系列的問題，實在是看多了也感到煩了，今天，就由我電子白菜厚著面皮，頂著無數(shù)老蝦的磚頭，在這里寫上一篇單片機學(xué)習(xí)心得，讓菜鳥們勇敢地跨出第一步。
關(guān)鍵字：單片機 LED LCD FLASH USB

ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
關(guān)鍵字： ARM11 DDR NAND flash 寄存器

武漢新芯：已建成IP體系，欲以存儲器為特色

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導(dǎo)體企業(yè)，2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資，并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè)，前幾年委托SMIC(中芯國際)經(jīng)營管理，從2012年底起獨立經(jīng)營。
關(guān)鍵字： XMC 存儲器 NAND

AVR的主要特性

AVR單片機是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡指令集高 ...
關(guān)鍵字： AVR單片機 ATMEL Flash

缺少仿真器時avr單片機的開發(fā)方法

對FLASH存貯器單片機，不要仿真機也能方便快速地開發(fā)程序。具體可以從以下幾方面入手：一、盡量使用高級語言開 ...
關(guān)鍵字：仿真器時 avr單片機 FLASH

ARM編程中Flash ROM驅(qū)動示例

Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64個blocks,4M空間,每個block 64K,第一個64K由8個8*8 ...
關(guān)鍵字： ARM編程 Flash ROM驅(qū)動

單片機下程序RAM， ROM ，F(xiàn)lash

8K的flash是有8*1024個字節(jié)，一條指令可能有1~4個機器碼，即1~4個字節(jié)，其中1~2機器碼的指令使用最為頻繁，所以這樣 ...
關(guān)鍵字：單片機 RAM ROM Flash

東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。同時該模塊符合最新的e·MMC?[1]標準，旨在應(yīng)用于智能手機、平板電腦和數(shù)字攝像機等廣泛的數(shù)字消費品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。
關(guān)鍵字：東芝嵌入式 NAND

基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

摘要: NAND Flash應(yīng)用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲器管理接口結(jié)合I/O口來實現(xiàn)NAND Flash存儲結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅(qū)動程序。
關(guān)鍵字： Flash 嵌入式 MCU 存儲器 NAND 寄存器 201312

Marvell擴大固態(tài)硬盤控制器在全球領(lǐng)先OEM中的市場份額

全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達克代碼：MRVL)日前宣布，其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實現(xiàn)全球消費者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當(dāng)前，Marvell擁有豐富的端到端存儲、網(wǎng)絡(luò)、計算、移動和聯(lián)網(wǎng)解決方案，在行業(yè)中占據(jù)著獨一無二的領(lǐng)導(dǎo)地位。
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2014年Flash LED市場走勢將呈現(xiàn)M型化

　　FlashLED在智慧型手機的滲透率已達100%，看準Flash商機，LED業(yè)者積極投入Flash市場。2013年FlashLED的規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA、500mA與350mA為主流，業(yè)內(nèi)人士認為，2014年FlashLED市場將呈現(xiàn)M型化發(fā)展，高階規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA所主導(dǎo)，而低階則會以驅(qū)動電流350mA為主。　　LEDFlash具有高穩(wěn)定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅(qū)動、不需要充電與壽命較長等特性，F(xiàn)lashLED已成為智慧型手機標配，以2013年FlashLED市況來看，主流規(guī)
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]