nand flash 文章進入nand flash技術(shù)社區(qū)

缺少仿真器時avr單片機的開發(fā)方法

對FLASH存貯器單片機，不要仿真機也能方便快速地開發(fā)程序。具體可以從以下幾方面入手：一、盡量使用高級語言開 ...
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ARM編程中Flash ROM驅(qū)動示例

Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64個blocks,4M空間,每個block 64K,第一個64K由8個8*8 ...
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單片機下程序RAM， ROM ，F(xiàn)lash

8K的flash是有8*1024個字節(jié)，一條指令可能有1~4個機器碼，即1~4個字節(jié)，其中1~2機器碼的指令使用最為頻繁，所以這樣 ...
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東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。同時該模塊符合最新的e·MMC?[1]標準，旨在應用于智能手機、平板電腦和數(shù)字攝像機等廣泛的數(shù)字消費品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。
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基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應用

摘要: NAND Flash應用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲器管理接口結(jié)合I/O口來實現(xiàn)NAND Flash存儲結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅(qū)動程序。
關(guān)鍵字： Flash 嵌入式 MCU 存儲器 NAND 寄存器 201312

Marvell擴大固態(tài)硬盤控制器在全球領(lǐng)先OEM中的市場份額

全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達克代碼：MRVL)日前宣布，其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實現(xiàn)全球消費者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當前，Marvell擁有豐富的端到端存儲、網(wǎng)絡、計算、移動和聯(lián)網(wǎng)解決方案，在行業(yè)中占據(jù)著獨一無二的領(lǐng)導地位。
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2014年Flash LED市場走勢將呈現(xiàn)M型化

　　FlashLED在智慧型手機的滲透率已達100%，看準Flash商機，LED業(yè)者積極投入Flash市場。2013年FlashLED的規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA、500mA與350mA為主流，業(yè)內(nèi)人士認為，2014年FlashLED市場將呈現(xiàn)M型化發(fā)展，高階規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA所主導，而低階則會以驅(qū)動電流350mA為主。　　LEDFlash具有高穩(wěn)定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅(qū)動、不需要充電與壽命較長等特性，F(xiàn)lashLED已成為智慧型手機標配，以2013年FlashLED市況來看，主流規(guī)
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可管理NAND：適用于移動設備的嵌入式大容量存儲

與多年前相比，現(xiàn)在的移動消費電子裝置結(jié)構(gòu)復雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲...
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國際廠競搶Flash LED新高地明年恐見殺價潮

　　LED產(chǎn)品價格不斷下滑，壓縮各廠獲利空間，廠商除靠壓低生產(chǎn)成本外，也持續(xù)開發(fā)高毛利產(chǎn)品領(lǐng)域以求生存，因此高毛利的FlashLED(閃光燈)成為各廠欲競逐的市場，除國際大廠PhilipsLumileds、CREE、OSRAM等外，臺廠有億光、新世紀、光寶科等業(yè)者，但近期市場傳出，韓廠三星將走出過去堅守的4139封裝規(guī)格，計劃加入主流的2016規(guī)格戰(zhàn)局。隨著市場競爭者越來越多，估計FlashLED明年將會見到一波價格下殺潮。　　消費者對于智慧型手機要求越來越高，除處理效能要接近電腦外，就連照相功能也向
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高容量Flash MCU需求漲

嵌入式系統(tǒng)智能化商機旺　MCU廠升級eFlash制程　　微控制器（MCU）廠商在嵌入式快閃記憶體（eFlash）新一輪先進制 ...
關(guān)鍵字：高容量 Flash MCU

嵌入式軟件代碼保護系統(tǒng)設計

目前的嵌入式系統(tǒng)中，軟件代碼一般存儲在諸如EEPROM、F lash等存儲器中，但其中存儲的程序代碼易被讀取，非法 ...
關(guān)鍵字：軟件代碼保護 EEPROM FLASH

一步步解決UCGUI漢字字庫

UCGUI設計中漢字字庫也是大家最關(guān)注的問題之一。主要的問題是在于，使用C文件的字庫太大，一個12×12的漢字字庫文件有2M以上，一般的控制器內(nèi)部存儲容量是接受不了的。那么讓UCGUI使用外部FLASH中的字庫就成為大勢所趨。接下來介紹如何讓UCGUI使用外部FLASH中的字庫。
關(guān)鍵字： UCGUI FLASH W25Q64 函數(shù)

10月快閃存儲器NAND供過于求合約價看漲

　　市調(diào)機構(gòu)集邦科技預期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價看漲。　　集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災意外，不僅帶動動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)價格飆漲，同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。　　集邦科技指出，盡管NANDFlash市場銷售并無好轉(zhuǎn)跡象，不過，海力士無錫廠復工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。　　集邦預期，近期1至2個月
關(guān)鍵字：快閃存儲器 NAND

用DNW通過USB燒uboot到nand

燒寫前提：已經(jīng)把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了，這樣我們從NOR啟動才可以使用US...
關(guān)鍵字： DNW USB uboot nand

基于FPGA的SPI Flash控制器的設計方案

本文提出一個基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實現(xiàn)方案，該方案利用硬件對SPI Flash進行控制，能夠非常方便地完成Fl ...
關(guān)鍵字： FPGA SPI Flash 控制器

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]