nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

六大NAND Flash廠商：東芝最“吸金”

　　2014第三季度 NAND Flash廠商營(yíng)收排名出爐，其中東芝最為亮眼，原因是因?yàn)樗顫q勢(shì)最猛。
關(guān)鍵字： NAND Flash 東芝三星

美光咬蘋果大單力成同樂(lè)

　　蘋果公司繼推出iPhone 6/6 Plus新款智能手機(jī)后，今年底或明年初，將緊接推出Apple Watch智能手表，目前正展開一波拉貨，力成最大客戶美光傳出大啖蘋果Apple Watch存儲(chǔ)器絕大部分訂單，力成受惠度看漲，也激勵(lì)今天股價(jià)逆勢(shì)上漲;另一檔美光受惠股華東則維持小跌與平盤間的狹幅震蕩。　　據(jù)了解，Apple Watch采用512MB LPDDR3，內(nèi)建4GB或8GB容量的NAND Flash，美光包辦絕大部分的訂單，而在下游后段封測(cè)代工制程方面，目前多半由力成與華東共同負(fù)責(zé)，由于測(cè)試時(shí)
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臺(tái)IC設(shè)計(jì)前3季聯(lián)發(fā)科穩(wěn)居每股獲利王敦泰群聯(lián)位居二三名

　　IC設(shè)計(jì)第3季財(cái)報(bào)全數(shù)公布完畢，累計(jì)前3季，聯(lián)發(fā)科(2454-TW)每股稅后盈余23.41元，穩(wěn)居IC設(shè)計(jì)每股盈余獲利王，也是稅后凈利獲利王，其次是觸控IC廠F-敦泰(5280-TW)，前3季每股稅后盈余為13.67元，排名第二，第三名則是FLASH控制晶片廠群聯(lián)(8299-TW)，前3季每股盈余為13.34元，排名第三。　　根據(jù)公開資訊站資料顯示，聯(lián)發(fā)科前3季稅后凈利與每股稅后盈余穩(wěn)居IC設(shè)計(jì)之冠，表現(xiàn)亮眼，顯示行動(dòng)裝置需求持續(xù)升溫，第3季旺季效應(yīng)加持發(fā)威下，相關(guān)廠商營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)都相當(dāng)亮眼，聯(lián)發(fā)科第
關(guān)鍵字：聯(lián)發(fā)科觸控IC FLASH

Spansion：eMMC填補(bǔ)市場(chǎng)需求和閃存發(fā)展缺口

　　昨天，Spansion舉行媒體發(fā)布會(huì)，推出面向消費(fèi)電子、通信和工業(yè)嵌入式系統(tǒng)的工業(yè)級(jí)eMMC閃存產(chǎn)品，并向記者介紹了eMMC閃存的市場(chǎng)定位和需求情況。　　與其他Spansion產(chǎn)品一樣，這次發(fā)布的eMMC閃存主要是針對(duì)嵌入式客戶設(shè)計(jì)的，這類客戶通常對(duì)于工作溫度范圍、數(shù)據(jù)保護(hù)和支持工具有嚴(yán)格的測(cè)試和要求，這樣讓OEM能夠更容易地?fù)?jù)此設(shè)計(jì)自己的產(chǎn)品。　　據(jù)Spansion公司NAND閃存產(chǎn)品營(yíng)銷及業(yè)務(wù)拓展總監(jiān)Touhid Raza介紹，eMMC是一種在行業(yè)使用比較普遍的存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)，而Spansio
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下游需求高企 2014年中國(guó)內(nèi)存芯片市場(chǎng)將占全球兩成

　　TrendForce最新研究報(bào)告顯示，隨著中國(guó)市場(chǎng)近幾年的蓬勃發(fā)展與政策開放，GDP成長(zhǎng)率呈現(xiàn)高度的成長(zhǎng)，所伴隨而來(lái)的就是驚人的消費(fèi)潛力，無(wú)論是PC、智能型手機(jī)與平板市場(chǎng)都把中國(guó)市場(chǎng)列入第一戰(zhàn)區(qū)。TrendForce旗下權(quán)威內(nèi)存研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示，以2Gb顆粒來(lái)?yè)Q算，2014年中國(guó)市場(chǎng)在DRAM與NAND的消化量已經(jīng)高達(dá)47.89億與70.36億，分別占全球產(chǎn)能19.2%與20.6%。　　從DRAM市場(chǎng)來(lái)觀察，PC-DRAM在中國(guó)市場(chǎng)的消化量已經(jīng)來(lái)到15%，內(nèi)需市場(chǎng)的強(qiáng)勁
關(guān)鍵字：內(nèi)存 DRAM Flash

基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲(chǔ)方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

　　引言　　FLASH(閃速存儲(chǔ)器)作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲(chǔ)介質(zhì)有較大區(qū)別，使用FLASH時(shí)必須根據(jù)其自身特性，對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì)，以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。　　FLASH的特點(diǎn) 　　FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)器NVM(Non-VolatileMemory)，根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
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全球半導(dǎo)體市況良好　韓廠火熱、日廠躊躇

　　全球半導(dǎo)體市場(chǎng)第3季，以870億美元?jiǎng)?chuàng)下史上最高營(yíng)收紀(jì)錄，景氣持續(xù)樂(lè)觀。其中亞太地區(qū)比前年增加12.0%成長(zhǎng)最多，南韓業(yè)者營(yíng)收屢創(chuàng)新高，然而日本地區(qū)卻出現(xiàn)成長(zhǎng)衰退跡象。　　據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo)，日前美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)宣布，第3季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球營(yíng)收，與前年同期相比成長(zhǎng)8.0%，以870億美元?jiǎng)?chuàng)下史上單季最高紀(jì)錄。不但比第2季增加5.7%，也高于世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)在7月預(yù)測(cè)的年度成長(zhǎng)值6.5%。　　SIA CEO Brian C. Toohey表示，第3季半導(dǎo)
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Spansion 推出面向消費(fèi)電子、通信和工業(yè)嵌入式系統(tǒng)的工業(yè)級(jí)e.MMC 存儲(chǔ)產(chǎn)品

　　全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion公司今日宣布推出面向消費(fèi)、通信和工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的工業(yè)級(jí)e.MMC NAND閃存系列。Spansion的e.MMC NAND閃存提供8GB和16GB存儲(chǔ)密度，工作溫度范圍為-40度到+85度，可滿足上述市場(chǎng)對(duì)可靠、更高密度存儲(chǔ)日益增長(zhǎng)的需求。最新推出的Spansione.MMC閃存系列完善了Spansion領(lǐng)先業(yè)界的并行和串行NOR閃存以及面向嵌入式應(yīng)用的SLC NAND閃存產(chǎn)品組合。　　Spansione.MMC閃存采用高密度的MLC NA
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OEM需求拉貨動(dòng)能增溫，第三季NAND Flash品牌營(yíng)收季增12.2%

　　第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下，eMMC/eMCP與SSD的成長(zhǎng)力道均高于上半年，NAND Flash價(jià)格表現(xiàn)也相對(duì)穩(wěn)健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營(yíng)收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流，有助于各家業(yè)者成本結(jié)構(gòu)的改善，而隨著蘋果第四季iPhone表現(xiàn)持續(xù)亮眼以及新產(chǎn)品的問(wèn)世，整體N
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LED產(chǎn)業(yè)推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體時(shí)代的來(lái)臨

　　過(guò)去媒體與業(yè)界常講最尖端、先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)不會(huì)到中國(guó)投資，某些國(guó)家的政府對(duì)于輸出特定半導(dǎo)體技術(shù)到中國(guó)投資都有設(shè)定限制，因此過(guò)去國(guó)際半導(dǎo)體廠在中國(guó)投資半導(dǎo)體相關(guān)事業(yè)，以芯片封裝測(cè)試廠、8 寸以下晶圓廠為主。不過(guò)，這個(gè)局面在中國(guó)市場(chǎng)打開，中國(guó)政府近期又積極招商，宣示要花大筆人民幣來(lái)買技術(shù)、買設(shè)備與外資合作建立中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新局后，有了重大改變。　　英特爾才剛于 2014 年 9 月 26 日和中國(guó)手機(jī)芯片廠展訊聯(lián)合宣布，以 15 億美元入股紫光集團(tuán)，持股占比約為 20%。而前身是 AMD 快閃內(nèi)存事
關(guān)鍵字： AMD Spansion NAND

中芯國(guó)際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程

　　中芯國(guó)際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準(zhǔn)備就緒，中芯國(guó)際憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺(tái)完全由中芯國(guó)際自主研發(fā)，可滿足特殊存儲(chǔ)器無(wú)晶圓廠客戶對(duì)高質(zhì)量、低密度 NAND 閃存持續(xù)增長(zhǎng)的需求，使中芯國(guó)際占據(jù)該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。　　NAND 閃存是近年來(lái)發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(chǔ)(NVM)產(chǎn)品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動(dòng)計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機(jī)頂盒等多種大需求量的特殊應(yīng)用領(lǐng)域?？蛻粢部衫么思夹g(shù)帶動(dòng)串行外設(shè)接
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 NAND

iPhone 6推升智能手機(jī)NAND搭載容量

　　TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查報(bào)告顯示，蘋果(Apple) 9月份推出大螢?zāi)怀叽绲?iPhone 6 / 6 Plus在全球熱銷，帶動(dòng) 2014全年 iPhone 銷售量提升至1.88支，年成長(zhǎng)率高達(dá)22%，成功扭轉(zhuǎn)過(guò)去一年來(lái)iPhone趨緩的銷售動(dòng)能，重新站穩(wěn)高階智慧型手機(jī)領(lǐng)導(dǎo)廠商的地位;值得注意的是，蘋果這次的改變除了將螢?zāi)怀叽鐝囊恢眻?jiān)守的4寸，向上突破至4.7與5.5寸，在儲(chǔ)存容量與價(jià)格上也開始展現(xiàn)更積極的策略。　　DRAMeXchange
關(guān)鍵字：智能手機(jī) NAND

提高M(jìn)SP430G 系列單片機(jī)的Flash 擦寫壽命方法

　　在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒(méi)有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機(jī)中并不具備EEPROM。為了存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了256 字節(jié)的Flash 空間作為信息Flash，可用于存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距，所以在實(shí)際應(yīng)用中，這種應(yīng)用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本應(yīng)
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FLASH和反熔絲類型的FPGA你了解多少

　　由于航天應(yīng)用對(duì)可靠性提出了更高的要求，這是與一般的FPGA開發(fā)最大的不同。當(dāng)高能粒子撞擊可編程邏輯器件時(shí)，撞擊的能量會(huì)改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數(shù)據(jù)，使系統(tǒng)運(yùn)行到無(wú)法預(yù)知的狀態(tài)，從而引起整個(gè)系統(tǒng)失效。這在航天設(shè)備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎(chǔ)的FPGA與以SRAM為基礎(chǔ)的FPGA相比，在抗單粒子事件方面具有很大的優(yōu)勢(shì)，可靠性高。　　ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應(yīng)商。它提供了多種服務(wù)，包括基于反熔絲和閃存技術(shù)的FPGA、高性能IP核、軟件開發(fā)工具和設(shè)計(jì)服務(wù)，定位
關(guān)鍵字： FPGA FLASH 反熔絲

新蘋效應(yīng) NAND下月涌急單

　　儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián) (8299)董事長(zhǎng)潘健成表示，智慧手機(jī)市場(chǎng)本季需求不振，主要是受到市場(chǎng)上迷漫觀望氣氛影響，直到蘋果公布iPhone 6系列產(chǎn)品規(guī)格之后，其它手機(jī)品牌廠出現(xiàn)搶零組件熱潮。　　他說(shuō)，10月的急單火紅，第4季零組件拉貨力道優(yōu)于本季。　　潘健成表示，先前消費(fèi)者期待iPhone 6上市，導(dǎo)致iPhone 5系列產(chǎn)品，自今年3月起就銷售不佳;其它品牌的Android系統(tǒng)也在第2季出現(xiàn)清庫(kù)存的情況，上游供應(yīng)商不敢備貨、通路商也不愿意拉貨囤積庫(kù)存
關(guān)鍵字： NAND 控制晶片

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]