nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

Android移動設(shè)備明日將正式開始禁用Flash播放器

　　Adobe在去年宣布過將不會再計(jì)劃開發(fā)用于移動瀏覽器版本的Flash Player。相反，他們將會把重心放在HTML5和其他網(wǎng)絡(luò)技術(shù)上。明天，Android移動設(shè)備將正式開始禁止Flash播放器的安裝。　　Adobe曾在移動設(shè)備上做出了很大的努力，但卻被蘋果拒之門外。Steve Jobs曾在2010年4月份發(fā)表過公開信，表示iPhone，iPod和iPad上將不會存在Flash。此外，喬布斯還批評Flash對移動設(shè)備可靠性、安全性、電池壽命和性能的影響，并建議Adobe應(yīng)更加專注于創(chuàng)造個(gè)更偉大的H
關(guān)鍵字： Android Flash

基于DSP在捷聯(lián)慣性制導(dǎo)技術(shù)中的應(yīng)用

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： DSP 慣性制導(dǎo) Flash

三星全球最快嵌入式NAND內(nèi)存芯片投產(chǎn)

　為了適應(yīng)下代移動設(shè)備超輕超薄的特性，SamsungeMMCProClass1500采用了20nm工藝規(guī)范，一塊64GB的芯片厚度僅為1.2毫米，而重量僅有0.6克。

　　三星表示，新一代芯片將會包括16GB，32GB以及64GB等三個(gè)版本。不知道我們能否在下一代三星智能手機(jī)(GalaxyS4?)上看到它的身影呢?
關(guān)鍵字：三星 NAND 內(nèi)存芯片

三星全球最快嵌入式NAND內(nèi)存芯片投產(chǎn)

下代移動設(shè)備超輕超薄的特性，Samsung eMMC Pro Class 1500采用了20nm工藝規(guī)范，一塊64GB的芯片厚度僅為1.2毫米，而重量僅有0.6克。
關(guān)鍵字：三星 NAND

基于多端口串行Flash的條形LED顯示屏控制的工作原理介紹

為了不增加硬件成本而提高顯示數(shù)據(jù)的輸出速度，在分析現(xiàn)有條形LED 顯示屏單元板電路的基礎(chǔ)上，提出了一種基于多端口串行Flash 存儲器的LED 顯示控制系統(tǒng)，該系統(tǒng)由STC12C5616 高速1T 單片機(jī)和帶SPI接口的SST26VF016B
關(guān)鍵字：工作原理介紹控制顯示屏串行 Flash LED 基于

為嵌入式應(yīng)用選擇、實(shí)現(xiàn)NAND閃存海量存儲

標(biāo)簽：NAND POS在嵌入式應(yīng)用中，海量存儲密度正在以前所未有的速度增長。像便攜式媒體播放器、蜂窩電話、數(shù)碼相機(jī)、便攜式導(dǎo)航設(shè)備、無線網(wǎng)卡、閃盤這樣的消費(fèi)產(chǎn)品由于需要處理越來越多的多媒體內(nèi)容而要求更高的海量
關(guān)鍵字：閃存海量存儲 NAND 實(shí)現(xiàn) 應(yīng)用選擇嵌入式

中興Flash將于十月份在美發(fā)售

　　據(jù)外媒報(bào)道，中興手機(jī)將于十月份在美國發(fā)售旗艦版手機(jī)Flash,屆時(shí)將由電信運(yùn)行商Sprint發(fā)行。Flash搭載1.5GHz雙核處理器，內(nèi)置1GB RAM和8GB內(nèi)存卡，支持NFC功能、藍(lán)牙4.0，有一個(gè)MicroSDXC插口槽。該款手機(jī)運(yùn)行Android 4.0系統(tǒng)，有一個(gè)1240萬像素的后置鏡頭和100萬像素的前置鏡頭。　　 ? 　　據(jù)報(bào)道，F(xiàn)lash將在今年10月14號正式登陸Sprint。中興通過針對美國低端市場，目前已經(jīng)在該國的智能手機(jī)市場位居第五。
關(guān)鍵字：中興 Flash Sprint

Linux NAND FLASH驅(qū)動代碼分析

Linux NAND FLASH驅(qū)動代碼分析,FLASH驅(qū)動在嵌入式系統(tǒng)中有著舉足輕重的位置，而目前市場上NAND flash的價(jià)格又要便宜與NOR FLASH,隨著越來越多的平臺支持從NAND FLASH中啟動，掌握NAND flash的驅(qū)動編寫有著重要的現(xiàn)實(shí)意義，由于內(nèi)核已經(jīng)完成了大部分
關(guān)鍵字：代碼分析驅(qū)動 FLASH NAND Linux

東芝將下調(diào)NAND閃存芯片30%產(chǎn)能

　　訊 7月24日消息，據(jù)路透社報(bào)道，東芝公司周二稱，將下調(diào)NAND閃存芯片30%產(chǎn)能。這凸顯了芯片市場供應(yīng)狀況的挑戰(zhàn)性，該公司的股價(jià)也因而出現(xiàn)下挫。　　東芝表示，由于U盤和存儲卡的芯片供過于求，它將削減其在日本西部的四日市工廠的產(chǎn)能。　　資產(chǎn)管理公司Religare Global Asset Management高級科技分析師大衛(wèi)·莫托佐·魯本斯藤(David Motozo Rubenstein)說道，“他們的產(chǎn)能下調(diào)幅度讓我有點(diǎn)意外。大家都知道該類芯片的
關(guān)鍵字：東芝 NAND

采用FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)

采用FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì),1 引言

FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 存儲嵌入式 FLASH 采用

淺析TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫技術(shù)

TMS320F2812(以下簡稱F2812)是美國德州儀器公司(TI)新一代32位定點(diǎn)數(shù)字信號處理器(DSP)，主要應(yīng)用于逆變器控制、電機(jī)控制等領(lǐng)域，并擁有工作頻率高達(dá)150 MHz的32位DSP內(nèi)核處理器，可以高效可靠地實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)控制和狀態(tài)
關(guān)鍵字：在線技術(shù) Flash 片內(nèi) TMS320F2812 淺析

未來的Flash記憶體

　　Flash記憶體加工尺寸正越來越小，容量越來越高，耗電量越來越低，但與CPU類似，到達(dá)某個(gè)尺寸后它也會迎來瓶頸，優(yōu)勢將變成劣勢。現(xiàn)在市場上已有基于25nm或20nm制造工藝的SSD，東芝在上個(gè)月宣布了基于19nm制造工藝的SSD生產(chǎn)線。目前估計(jì)Flash記憶體制造尺寸最小為8nm，可能要到20年代后期才可能出現(xiàn)。　　加州圣迭戈和微軟研究人員的一篇論文假設(shè)NAND浮置柵極晶體管可用6.5nm制造工藝生產(chǎn)，那么一塊SLC(單層存儲單元)Flash芯片容量能超過500 GB，而TCL(三層存儲單元)F
關(guān)鍵字： Flash SSD

基于TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲器接口系統(tǒng)設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： TMS320C6201 DSP Flash 存儲器接口

關(guān)于FLASH媒體報(bào)道的非官方辟謠

　　最近關(guān)于Flash的媒體報(bào)道真是越來越不靠譜了。這事兒本來就是內(nèi)行看門道，外行看熱鬧，之前一些媒體發(fā)的通過貶低Flash來肉麻吹捧HTML5的片面報(bào)道，我們大多數(shù)做過幾年Flash的開發(fā)者都一笑了之了，懶得計(jì)較。　　大家心里都有數(shù)，兩個(gè)平臺各有優(yōu)缺點(diǎn)，項(xiàng)目選型的時(shí)候，哪個(gè)合適就上哪個(gè)。就拿游戲來說，F(xiàn)lash還是占統(tǒng)治地
關(guān)鍵字： FLASH HTML5

基于FPGA和FLASH ROM的圖像信號發(fā)生器設(shè)計(jì)

摘要：以XC2V1500-FPGA為硬件架構(gòu)，設(shè)計(jì)了一種圖像信號發(fā)生器，作為自適應(yīng)光學(xué)系統(tǒng)波前處理機(jī)的信號源，為波前處理機(jī)的調(diào)試和算法驗(yàn)證提供支持。系統(tǒng)采用大容量的NAND型FLASH存儲數(shù)據(jù)，存儲容量為1 GB。圖像數(shù)據(jù)通過
關(guān)鍵字： FLASH FPGA ROM 圖像信號發(fā)生器

共1479條 53/99 |‹ « 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 » ›|

nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]