nand flash 文章 進入nand flash技術(shù)社區(qū)
提高 MSP430G 系列單片機的 Flash 擦寫壽命的方法
- 在嵌入式設計中,許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù),由于成本原因,某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器,在MSP430G 系列單片機中并不具備EEPROM。為了存儲非易失性數(shù)據(jù),MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了256 字節(jié)的Flash 空間作為信息Flash,可用于存儲非易失性數(shù)據(jù),但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距,所以在實際應用中,這種應用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本
- 關(guān)鍵字: 擦寫 壽命 方法 Flash 單片機 MSP430G 系列 提高
蘋果再勝訴 三星特定Galaxy產(chǎn)品在荷蘭禁售
- 11月29日消息,據(jù)國外媒體報道,荷蘭一家法庭周三作出了有利于蘋果的判決,責令禁止出售特定的三星Galaxy平板電腦和智能手機,因為這些產(chǎn)品侵犯了蘋果的專利。 據(jù)悉,這項禁令適用于版本較老的三星Android設備,這些產(chǎn)品使用了通過觸摸屏將圖片拖入相冊的蘋果專利技術(shù)。法庭表示,這些2.2.1版本及以上的Galaxy設備并未使用三星更新后的“藍色閃光”(blue flash)相冊技術(shù)。 這家荷蘭法庭在今周三作出裁決稱,如果三星拒絕執(zhí)行這項判決,那么就必須向蘋果支付每天
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探索TLC閃存壽命:區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)

- 三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個新時代,TLC NAND閃存首次用于消費級產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù),以及三星840的性能、可靠性,我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹,今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。 遺憾的是,沒有任何廠商公開談論過TLC閃存的可靠程度,只能猜測編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次),而且三星不像Intel那樣會告訴你具體的閃存寫入量,再加上寫入放大的緣故,根本無從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。 不過還是有個變通方法
- 關(guān)鍵字: 三星 閃存 TLC NAND
大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系統(tǒng)中的設計與實現(xiàn)
- 1 引 言 隨著嵌人式系統(tǒng)在數(shù)碼相機、數(shù)字攝像機、移動電話、mp3音樂播放器等移動設備中越來越廣泛的應用 ...
- 關(guān)鍵字: NAND FLASH ARM 嵌入式系統(tǒng)
一種基于Flash型FPGA的高可靠系統(tǒng)設計
- 摘要:本文以星載測控系統(tǒng)為背景,提出了一種基于 Actel Flash FPGA的高可靠設計方案。采用不易發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)的 flash FPGA芯片,結(jié)合 FPGA內(nèi)部的改進型三模冗余、分區(qū)設計和降級重構(gòu),實現(xiàn)了高實時、高可靠的系統(tǒng)。
- 關(guān)鍵字: Flash FPGA 系統(tǒng)設計
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
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