nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例（二）

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關(guān)鍵字： Flash SRAM 觸發(fā)中斷

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例（一）

使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運(yùn)行 ...
關(guān)鍵字： Flash SRAM 觸發(fā)中斷

基于嵌入式MCU數(shù)據(jù)Flash的數(shù)據(jù)存儲及管理方法研究與實(shí)現(xiàn)

摘要：本文設(shè)計(jì)了一種利用MCU內(nèi)部數(shù)據(jù)Flash存儲非易失性數(shù)據(jù)的方法，它將數(shù)據(jù)Flash的若干扇區(qū)劃分為多個(gè)數(shù)據(jù)分區(qū)，不同數(shù)據(jù)分區(qū)存儲數(shù)據(jù)在不同歷史時(shí)間的拷貝，最新數(shù)據(jù)分區(qū)存儲最新的數(shù)據(jù)拷貝;在數(shù)據(jù)讀操作進(jìn)行時(shí)，計(jì)算最新數(shù)據(jù)拷貝的Flash存儲位置，直接讀取該地址;在數(shù)據(jù)寫操作進(jìn)行時(shí)
關(guān)鍵字：嵌入式 MCU Flash 數(shù)據(jù)存儲 EEPROM 201310

狼、羊、草過河與嵌入式固件更新

狼、羊、草過河問題(也有叫狼、羊、白菜過河之類的名字)是說：有一人帶著一只部分馴化的狼(強(qiáng)調(diào)部分馴化是說明，人在場的情況下狼不會吃羊，不然要被指出邏輯漏洞了)、一只山羊和一些草來到河的左岸，欲乘一只很小的船過到河的右岸，每次人只能帶其中一個(gè)過河，當(dāng)有人在時(shí)，狼、羊、草都不會有事;當(dāng)無人在時(shí)，就不允許狼羊在一起，也不允許羊和草在一起，問應(yīng)如何過河?
關(guān)鍵字：嵌入式 Flash RAM 緩沖區(qū)

采取多元化戰(zhàn)略，加強(qiáng)在華合作

編者按：8月初，Spansion宣布兩項(xiàng)重大舉措：一，完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務(wù)的收購;二，簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術(shù)許可協(xié)議?？梢?，Spansion由最大的獨(dú)立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司，并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰(zhàn)略如何?
關(guān)鍵字：富士通 Spansion MCU NAND 201309

三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND

　　三星電子在存儲技術(shù)上的領(lǐng)先的確無可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來。　　三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來連接3D單元陣列。　　三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達(dá)到1xnm N
關(guān)鍵字：三星 V-NAND

半導(dǎo)體廠擴(kuò)產(chǎn) 力成進(jìn)補(bǔ)

　　不讓韓國三星專美于前，日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠，導(dǎo)入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺后段封測廠力成(6239)營運(yùn)挹注成長動能。　　這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后，東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定，因?yàn)樘O果中低價(jià)手機(jī)和大陸手機(jī)的強(qiáng)勁需求。　　研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND

單片機(jī)(MCU)選型的七條軍規(guī)

單片機(jī)的選型是一件重要而費(fèi)心的事，如果選型得當(dāng)，則做出來的產(chǎn)品就會性價(jià)比較高，且工作穩(wěn)定;反之，則可能會造成產(chǎn)品成本過高或影響產(chǎn)品正常運(yùn)行，甚至可能根本就達(dá)不到預(yù)先設(shè)計(jì)要求。
關(guān)鍵字：單片機(jī) MCU 內(nèi)存 FLASH 編譯器

NAND閃存第一季度意外出現(xiàn)短缺

據(jù)IHS公司的移動與嵌入存儲市場追蹤報(bào)告，今年第一季度中國低端智能手機(jī)的需求大增，讓內(nèi)存供應(yīng)商措手不及，刺激了NAND閃存市場的增長并導(dǎo)致其出現(xiàn)供應(yīng)短缺。
關(guān)鍵字： IHS NAND

第一季度SSD出貨勁增，尤其是在超級本與PC平板領(lǐng)域

據(jù)IHS公司的存儲市場追蹤報(bào)告，超薄/超級本PC以及PC平板的使用大增，在第一季度極大地推動了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領(lǐng)域的出貨量同比激增兩倍。
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芯片制造設(shè)備行業(yè)2014年前景看好

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會SemiconWest上透露出的一個(gè)關(guān)鍵信息是，盡管對芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長的預(yù)期落空，但明年的前景要光明得多。　　SEMI(半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會)預(yù)計(jì)，2013年芯片制造設(shè)備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預(yù)測，2014年芯片制造設(shè)備營收將猛增21%。　　當(dāng)然，SEMI以往曾對芯片制造設(shè)備營收作出過高的預(yù)期。1年前，SEMI曾預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營收將增長約1
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2013年：芯片制造業(yè)陷入低谷明年會變好

　　根據(jù)國外媒體的報(bào)道，2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退，預(yù)計(jì)芯片制造設(shè)備的全年?duì)I收下降2%，而此前SEMI曾經(jīng)預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營收會增長10%。　　這次衰退預(yù)計(jì)同樣出自SEMI，這表明此前他們對2013年的樂觀預(yù)計(jì)已經(jīng)落空。實(shí)際上從2012年下半年開始，以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設(shè)備的訂單就已經(jīng)開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩(wěn)定，主要是因?yàn)橄M(fèi)類電子產(chǎn)品對芯片需求量大，三家企業(yè)處于難以撼動的統(tǒng)治地位。　　不過SEMI依然對2014年的發(fā)展
關(guān)鍵字：芯片制造 NAND

中國廠商成全球芯片行業(yè)增長新引擎

　　導(dǎo)語：路透社今天撰文指出，近年來高端手機(jī)市場的需求趨于飽和，曾經(jīng)推動芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長也開始放緩，但隨著華為、聯(lián)想等中國移動廠商的強(qiáng)勢崛起，以及中國移動市場的火爆，中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長的新引擎。　　以下為文章全文：　　重新掌握主動　　隨著中國低端智能手機(jī)和平板電腦的需求激增，以及華為等中國移動設(shè)備廠商的強(qiáng)勢崛起，東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠商有望從這種趨勢中獲得重要回報(bào)。中國目前已取代美國，成為全球第一大智能手機(jī)市場
關(guān)鍵字： DRAM NAND

內(nèi)存芯片商揚(yáng)眉吐氣靠中國企業(yè)賺錢了

　　7月5日消息，由于中國廉價(jià)平板、智能手機(jī)需求增長，由于中國移動設(shè)備商的出現(xiàn)，東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運(yùn)，開始收獲金錢了。　　在高端產(chǎn)品領(lǐng)域，盡管市場增速沒過去那么快了，但是，這些設(shè)備渴望裝上更大的內(nèi)存，也會刺激內(nèi)存銷售的增長。　　兩種趨勢之下，加上2011年以來內(nèi)存商縮減投資，DRAM(動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)和NAND內(nèi)存芯片價(jià)格已經(jīng)開始回升，在廠商面前，內(nèi)存制造商抬起頭來，它們有了更高的議價(jià)能力。　　I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出：“
關(guān)鍵字：內(nèi)存芯片 NAND

基于Flash和JTAG的FPGA系統(tǒng)

基于Flash和JTAG的FPGA系統(tǒng), 引言針對需要切換多個(gè)FPGA配置碼流的場合， Xilinx公司提出了一種名為System ACE的解決方案，它利用CF(Compact Flash)存儲卡來替代配置用PROM,用專門的ACE控制芯片完成CF卡的讀寫，上位機(jī)軟件生成專用的ACE文件并下
關(guān)鍵字：系統(tǒng) FPGA JTAG Flash 基于

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]