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英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

  • 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產(chǎn)可行性，目標(biāo)是在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設(shè)計工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負(fù)責(zé)這種分工模式有助于充分發(fā)揮
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三星考慮進行大規(guī)模內(nèi)部重組

  • 據(jù)韓媒SEDaily報道，三星半導(dǎo)體部門（即DS設(shè)備解決方案部）正對系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運作方式的調(diào)整計劃進行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負(fù)責(zé)人全永鉉做出最終決定之前，還將進行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負(fù)責(zé)芯片設(shè)計，在三星半導(dǎo)體體系中承擔(dān)著為移動業(yè)務(wù)（MX）部門開發(fā)Exynos手機SoC的核心任務(wù)。然而，近年來Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
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DDR5上升趨勢放緩;DRAM價格在第三季度將適度上漲

  • 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，DRAM 方面，DDR5 價格已顯現(xiàn)放緩跡象，預(yù)計 25 年第三季度整體 DRAM 價格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現(xiàn)貨價格在 2 月下旬以來上漲后已達到相對較高的水平，購買勢頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：與 DDR4 產(chǎn)品相比，DDR5 產(chǎn)品仍然會出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價格上漲。然而，DDR5 產(chǎn)品的平均現(xiàn)貨價格已經(jīng)相當(dāng)高，在某些情況下甚至高于合同價格。因此，上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
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用于DDR5 PMIC的屏蔽式功率電感器

  • Bourns 開發(fā)了兩款具有納米晶內(nèi)核的屏蔽式功率電感器，以降低 DDR5 內(nèi)存系統(tǒng)的功率損耗。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列屏蔽式功率電感器具有低交流電阻 （ACR） 和低直流電阻 （DCR），可滿足最新的 DDR5 內(nèi)存技術(shù)規(guī)格，例如 DDR5 電源管理集成電路 （PMIC） 和臺式電腦、筆記本電腦和平板電腦中的客戶端 DDR5 模塊中的規(guī)格。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列電感器采用屏蔽結(jié)構(gòu)制造，可實現(xiàn)低磁場輻射和納米晶磁芯，以支持高電
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內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DDR4供應(yīng)緊張大幅漲價 DDR5 逐步啟動

  • 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于 DRAM，現(xiàn)貨市場顯示，由于預(yù)期未來供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價格相比 DDR5 產(chǎn)品的價格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買家放慢了詢價和交易的速度。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：與合約市場的情況類似，現(xiàn)貨市場顯示，由于預(yù)期未來供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價格與 DDR5 產(chǎn)品的價格相比上漲幅度更大。DDR5 產(chǎn)品的價格也繼續(xù)逐步上漲，因為模塊公司急于增加庫存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現(xiàn)貨價格在整個 2Q25
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計中

  • 存儲設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設(shè)計的測試芯片預(yù)計將于 2026 年推出
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三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價格，DDR4上漲20%

  • 在特朗普加征關(guān)稅之前囤積數(shù)據(jù)推動的 DRAM 需求激增似乎是真實的。據(jù)韓國 Etnews 報道，三星一年多來首次提高了 DRAM 價格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價條款，已將 DDR4 價格提高了約 20%。與此同時，該報告補充說，DDR5 價格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或?qū)⒌玫教嵴裰档米⒁獾氖?，Etnews 表示，由于 DRAM 價格是以數(shù)月為基礎(chǔ)進行談判的，因此最近的上漲預(yù)計將在一段時間內(nèi)支持盈利能力，從而為三星第二
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Cadence推出突破性DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2內(nèi)存IP系統(tǒng)解決方案，助力云端AI技術(shù)升級

  • 楷登電子（美國 Cadence 公司）近日宣布率先推出基于臺積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足業(yè)內(nèi)對于更大內(nèi)存帶寬的需求，能適應(yīng)企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中前沿的 AI 處理需求，包括云端 AI。Cadence? DDR5 MRDIMM IP 基于 Cadence 經(jīng)過驗證且非常成功的 DDR5 和 GDDR6 產(chǎn)品線，擁有全新的可擴展、可調(diào)整的高性能架構(gòu)。此 IP 解決方案已與人工智能、高性能計算和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的多家領(lǐng)先客戶建立合作
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撐不住, SK海力士DRAM漲12%

  • 全球存儲器市場近期出現(xiàn)顯著價格上漲，消費級存儲器產(chǎn)品價格持續(xù)攀升。 根據(jù)最新市場動態(tài)，SK海力士消費級DRAM顆粒價格已上漲約12%，落實先前市場的漲價傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價格上調(diào)通知，自4月1日起，對所有通路商及零售客戶的產(chǎn)品實施價格調(diào)整，漲幅將超過10%。市場分析人士指出，存儲器價格近期上漲主要受到全球供應(yīng)鏈瓶頸、晶圓產(chǎn)能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運算及5G技術(shù)的快速發(fā)展，持續(xù)推動了對高性能內(nèi)存的強勁需求，存儲器國際大廠集中資源，生
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三星電子將引入VCT技術(shù)，未來2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品

  • 據(jù)最新消息，三星電子已制定明確的技術(shù)路線圖，計劃在第7代10nm級DRAM內(nèi)存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術(shù)。相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計將在未來2到3年內(nèi)問世。在規(guī)劃下一代DRAM工藝時，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術(shù)。經(jīng)過深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術(shù)。相較于1e nm，VCT技術(shù)在性能和效率方面表現(xiàn)更優(yōu)。為加快研發(fā)進度，三星電子還將原1e nm的先行研究團隊并入1d nm研發(fā)團隊，集中力量推進1d nm工藝的開發(fā)。VCT DRAM技術(shù)是一種新型存儲
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DDR4加速退場，DDR5成為主流

  • 三星已向其供應(yīng)鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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瀾起科技Q1利潤翻倍！DDR5市占全球第一

  • 4月23日晚間，瀾起科技披露一季報，2025年第一季度實現(xiàn)營業(yè)收入12.22億元，同比增長65.78%；凈利潤5.25億元，同比增幅達135.14%；扣非后凈利潤為5.03億元，同比增長128.83%。瀾起科技目前擁有互連類芯片和津逮?服務(wù)器平臺兩大產(chǎn)品線。該季度，瀾起科技互連類芯片產(chǎn)品線銷售收入為11.39億元，同比增長63.92%；津逮?服務(wù)器平臺產(chǎn)品線銷售收入為0.8億元，同比增長107.38%。對于業(yè)績大幅增長原因，瀾起科技指出，主要得益于2024年第4季人工智能（AI）市場成長強勁，高效運算（H
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SK海力士完成基于CXL 2.0的DDR5客戶驗證， 引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心存儲技術(shù)創(chuàng)新

  • 2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產(chǎn)品的客戶驗證，是基于CXL* 2.0標(biāo)準(zhǔn)的DRAM解決方案產(chǎn)品。SK海力士表示：“將此產(chǎn)品應(yīng)用于服務(wù)器系統(tǒng)，相較于現(xiàn)有的DDR5模組，其容量增長了50%，寬帶擴展了30%，可處理每秒最多36GB的數(shù)據(jù)。該產(chǎn)品有望顯著降低客戶在構(gòu)建并運營數(shù)據(jù)中心時所需的總體擁有成本*。”繼96GB產(chǎn)品驗證，公司正在與其他客戶開展128GB產(chǎn)品的驗證流程。該產(chǎn)品搭載第五代10納米級（1b）32Gb
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高速數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展，DRAM內(nèi)存接口功不可沒

  • 高性能人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心正在以前所未有的方式重塑半導(dǎo)體設(shè)計版圖和投資方向。早在2022年，AI基礎(chǔ)設(shè)施方面的支出規(guī)模就已接近150億美元。而今年這一數(shù)字可能輕松突破600億美元大關(guān)。沒錯，“吸金”，各種資金正從各種投資計劃中向數(shù)據(jù)中心涌入。顯然，我們正處在一個人工智能資本支出空前高漲的時代——盡管DeepSeek等新入局者的潛在影響尚難以被準(zhǔn)確估量。但不可否認(rèn)的是，就在英偉達（Nvidia）、AMD等公司的高性能計算（HPC）處理器成為行業(yè)焦點的同時，用于存儲訓(xùn)練和推理模型的高帶寬內(nèi)存同樣迎來了屬于
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SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營收第一：HBM市占率高達70%

  • 4月9日消息，根據(jù)Counterpoint Research的2025年第一季度內(nèi)存追蹤報告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領(lǐng)導(dǎo)者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營收市占率達到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計占據(jù)剩余的5%。SK海力士預(yù)期，營收與市占率的增長至少會持續(xù)到下一季度，其還表示，公司在關(guān)鍵的HBM市場占有率高達70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
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ddr5 dram介紹

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