ddr5 dram 文章 最新資訊
內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新:DDR4 價格下滑放緩,韓國內(nèi)存制造商引發(fā)大幅漲價
- 根據(jù) TrendForce 最新內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告,關于 DDR4,由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了顯著的月度價格上調(diào),之前的價格下跌趨勢有所緩解。至于 NAND 閃存,高容量產(chǎn)品受到買方和賣方預期價格差異的限制,實際交易中變得稀缺。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價格:關于 DDR4 產(chǎn)品的現(xiàn)貨價格,由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了大幅度的月度漲價,之前的價格下跌趨勢有所緩和。目前,DDR4 市場顯示現(xiàn)貨價格已停止下跌,交易量有明顯增加。轉(zhuǎn)向 DDR5 產(chǎn)品,隨著合約價
- 關鍵字: 存儲 DRAM DDR4
DDR6 預計將于 2027 年大規(guī)模應用,據(jù)報道內(nèi)存巨頭已最終完成原型設計
- 隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發(fā)布 LPDDR6 標準,內(nèi)存巨頭正競相滿足來自移動和 AI 設備的激增需求。值得注意的是,據(jù)行業(yè)消息人士援引 商業(yè)時報 的報道,DDR6 預計將于 2027 年進入大規(guī)模應用。領先的 DRAM 制造商,包括三星、美光和 SK 海力士,已經(jīng)啟動了 DDR6 開發(fā),重點關注芯片設計、控制器驗證和封裝模塊集成。正如商業(yè)時報所述,三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片設計,現(xiàn)在正與內(nèi)存控制器和平臺參與者如英特爾和 AMD 合作進行接口測試。在
- 關鍵字: DDR6 DRAM 存儲
中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產(chǎn)
- 中國存儲半導體公司長鑫存儲科技 (CXMT) 和長江存儲科技 (YMTC) 正在加強其在全球存儲半導體市場的影響力,在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來,中國內(nèi)存開始在三星電子和 SK 海力士主導的通用 DRAM 市場中嶄露頭角,從傳統(tǒng) DRAM 開始,在國內(nèi)市場需求和政府補貼的推動下,中國內(nèi)存正在提高其競爭力。此外,它還對高帶寬內(nèi)存 (HBM) 和 300 層 3D NAND 閃存等先進產(chǎn)品線提出了挑戰(zhàn),縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
- 關鍵字: CXMT YMTC DRAM NAND
DDR4退場,國產(chǎn)CPU面臨小考
- DDR4 漲瘋了。自 5 月初開始,DDR4 持續(xù)漲價。熱門料號如 DDR4 16Gb 3200MHz 價格由 5 月 6 日當周的 2.4 美元上漲至本周的 6.4 美元,漲幅超過 160%。甚至,相同內(nèi)存條件下,DDR4 的價格比 DDR5 更貴,形成了少見的「價格倒掛」現(xiàn)象。業(yè)內(nèi)人士評價:「從來沒見過,即將停產(chǎn)的 DDR 內(nèi)存芯片在停產(chǎn)時,價格飆得如此之高?!棺鳛榕c CPU 直接交互的存儲介質(zhì),DDR(雙倍數(shù)據(jù)速率隨機存儲器)的技術規(guī)格直接決定了 CPU 算力的釋放上限
- 關鍵字: DDR4 DDR5
SK 海力士據(jù)報道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價格上調(diào) 20%,因 Q3 需求保持強勁
- 隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4,預計出貨將在 2026 年初結(jié)束,合同價格持續(xù)上漲。據(jù)中國的 華爾街見聞 報道,SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價格上調(diào)約 20%,標志著新一輪價格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應,該機構(gòu)指出,三大主要 DRAM 供應商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品,并逐步淘汰 PC、服務器級 DDR4 和移動 LPDDR4X。因此,據(jù) TrendForce 預測,2025 年第三季度主流 DRAM 的平
- 關鍵字: DDR4 DRAM 存儲
內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新:16Gb DDR4 消費者內(nèi)存價格上升,而 PC 內(nèi)存失去動力
- 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告,關于 DRAM,16Gb DDR4 消費者內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲,而 8Gb DDR4 等 PC 內(nèi)存芯片則出現(xiàn)輕微回調(diào)。至于 NAND 閃存,供應商逐步釋放產(chǎn)能資源,加上中國國家補貼的減弱效應,導致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價格:盡管過去一周現(xiàn)貨價格略有下降,但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是,16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現(xiàn)貨價格繼續(xù)上漲,而 8Gb DDR4 等
- 關鍵字: 內(nèi)存 DDR4 DRAM
內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新:DDR4 模塊價格超過 DDR5;關稅擔憂可能引發(fā)恐慌性購買
- 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告,關于 DRAM,DDR4 模塊的價格已經(jīng)超過了 DDR5 模塊的價格。展望未來,短期內(nèi)一個關鍵的關注點是新的美國關稅是否會被實施——這可能會引發(fā)又一波恐慌性購買。至于 NAND 閃存,由于國家補貼驅(qū)動的早期需求拉動,618 購物節(jié)對 NAND 閃存現(xiàn)貨價格和交易的影響弱于預期。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價格:現(xiàn)貨市場價格顯著上漲。此外,DDR4 模塊價格已超過 DDR5 模塊價格,從而本周需求略有放緩。然而,DDR4 產(chǎn)品的供應緊張程度遠比 DDR5
- 關鍵字: 存儲 DDR4 DDR5 市場分析
歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價格飆升,據(jù)報道使 DDR5 翻倍,推動南亞科技的庫存暴利
- 上周,臺灣地區(qū)頂級 DRAM 制造商南亞科技據(jù)報道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報價,因為價格飆升。現(xiàn)在,隨著 DDR4 16Gb 芯片的價格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利,根據(jù)經(jīng)濟日報的最新數(shù)據(jù),引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù),DRAMeXchange 是一個趨勢力旗下的 DRAM 定價平臺。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產(chǎn),南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應商。據(jù)報告稱,南亞科技第一季度庫存飆升至創(chuàng)紀錄的 37.59 億新
- 關鍵字: DDR4 DRAM 存儲
臺灣地區(qū)的 DRAM 供應商南亞科技據(jù)報道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價格報價,庫存緊張
- 隨著三星和美光等主要內(nèi)存制造商減少 DDR4 生產(chǎn)并價格上漲,據(jù)報道,臺灣地區(qū)的主要供應商南亞科技已暫停報價,這表明供應緊張和需求增長,據(jù)經(jīng)濟日報報道。行業(yè)消息人士進一步解釋說,報價暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場,而在合同市場,供應商正在囤積庫存并穩(wěn)步推高價格。TrendForce 的最新調(diào)查發(fā)現(xiàn),由于兩大主要 DRAM 供應商減少 DDR4 生產(chǎn)以及買家在美國關稅變化前加速采購,服務器和 PC 的 DDR4 合同價格預計將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此,服務器 DDR4 合同價格預計環(huán)比將上漲
- 關鍵字: DRAM 存儲 市場分析
DDR4瘋狂漲價,DRAM廠商爆賺

- 據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道,由于DDR4供應減少,再加上市場神秘買家大舉出手掃貨,最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上,不僅跨過DRAM廠損益平衡點,更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲,甚至比更高規(guī)格的DDR5報價更高,呈現(xiàn)“價格倒掛”,業(yè)界直言:“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大。”根據(jù)DRAM專業(yè)報價網(wǎng)站DRAMeXchange最新報價顯示,6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價全面暴漲,DDR4 8Gb(1G×8)3200大漲7.8%,
- 關鍵字: DDR4 DRAM 三星 美光 南亞科技 華邦電子 HBM
英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

- 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手,合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案,以替代高帶寬存儲器(HBM)。據(jù)報道,雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品,該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術以及東京大學持有的數(shù)據(jù)傳輸專利,軟銀則以30億日元注資成為最大股東(總投資約100億日元)。該合作計劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產(chǎn)可行性,目標是在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設計工作以及專利管理,而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負責這種分工模式有助于充分發(fā)揮
- 關鍵字: 英特爾 軟銀 HBM DRAM 三星 SK海力士
三星考慮進行大規(guī)模內(nèi)部重組

- 據(jù)韓媒SEDaily報道,三星半導體部門(即DS設備解決方案部)正對系統(tǒng)LSI業(yè)務的組織運作方式的調(diào)整計劃進行最終審議,相關決定將在不久后公布。預計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負責人全永鉉做出最終決定之前,還將進行更多高層討論,并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務主要負責芯片設計,在三星半導體體系中承擔著為移動業(yè)務(MX)部門開發(fā)Exynos手機SoC的核心任務。然而,近年來Exynos 2x00系列應用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降,不僅削弱了MX部門的利潤空間,
- 關鍵字: 三星 HBM LSI DRAM 半導體 晶圓代工
DDR5上升趨勢放緩;DRAM價格在第三季度將適度上漲
- 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告,DRAM 方面,DDR5 價格已顯現(xiàn)放緩跡象,預計 25 年第三季度整體 DRAM 價格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存,現(xiàn)貨價格在 2 月下旬以來上漲后已達到相對較高的水平,購買勢頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下:DRAM 現(xiàn)貨價格:與 DDR4 產(chǎn)品相比,DDR5 產(chǎn)品仍然會出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價格上漲。然而,DDR5 產(chǎn)品的平均現(xiàn)貨價格已經(jīng)相當高,在某些情況下甚至高于合同價格。因此,上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
- 關鍵字: DDR5 DRAM
用于DDR5 PMIC的屏蔽式功率電感器
- Bourns 開發(fā)了兩款具有納米晶內(nèi)核的屏蔽式功率電感器,以降低 DDR5 內(nèi)存系統(tǒng)的功率損耗。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列屏蔽式功率電感器具有低交流電阻 (ACR) 和低直流電阻 (DCR),可滿足最新的 DDR5 內(nèi)存技術規(guī)格,例如 DDR5 電源管理集成電路 (PMIC) 和臺式電腦、筆記本電腦和平板電腦中的客戶端 DDR5 模塊中的規(guī)格。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列電感器采用屏蔽結(jié)構(gòu)制造,可實現(xiàn)低磁場輻射和納米晶磁芯,以支持高電
- 關鍵字: DDR5 PMIC 屏蔽式功率電感器
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您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對ddr5 dram的理解,并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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