用于DDR5 PMIC的屏蔽式功率電感器
加入技術(shù)交流群
Bourns 開發(fā)了兩款具有納米晶內(nèi)核的屏蔽式功率電感器，以降低 DDR5 內(nèi)存系統(tǒng)的功率損耗。
本文引用地址：http://www.bjwjmy.cn/article/202505/470911.htmSRP2512CL 和 SRP3212CL 系列屏蔽式功率電感器具有低交流電阻 （ACR） 和低直流電阻 （DCR），可滿足最新的 DDR5 內(nèi)存技術(shù)規(guī)格，例如 DDR5 電源管理集成電路 （PMIC） 和臺(tái)式電腦、筆記本電腦和平板電腦中的客戶端 DDR5 模塊中的規(guī)格。
SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列電感器采用屏蔽結(jié)構(gòu)制造，可實(shí)現(xiàn)低磁場輻射和納米晶磁芯，以支持高電流和低蜂鳴噪聲。Bourns 開發(fā)了新的納米晶粉末構(gòu)建技術(shù)，并將其與最新的電感器制造工藝技術(shù)相結(jié)合。
這些電感器的工作溫度范圍為 -40 至 +125 °C，電感范圍高達(dá) 1.5 微亨 （μH），提供 3030 和 2520 封裝尺寸。
評(píng)論