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ddr5 dram 文章 最新資訊

存儲廠商持續(xù)減產(chǎn)，市場何時迎來供需平衡？

  • 受高通貨膨脹、消費電子需求疲軟等因素影響，存儲市場發(fā)展“遇冷”，鎧俠、美光等原廠陸續(xù)于去年第四季度啟動減產(chǎn)，2023年三星宣布加入減產(chǎn)行列。不過，由于市場需求持續(xù)衰弱，2023年存儲市況仍未復蘇，價格不斷下跌，廠商業(yè)績承壓。這一背景下，部分存儲廠商期望通過繼續(xù)減產(chǎn)維穩(wěn)價格，推動市場供需平衡。近日，臺灣地區(qū)《工商時報》等媒體報道，DRAM廠商南亞科將跟進大廠減產(chǎn)策略，調(diào)整產(chǎn)能、降低稼動率、彈性調(diào)整產(chǎn)品組合和資本支出，根據(jù)客戶需求和市場變化動態(tài)調(diào)整，以應對市場疲軟，預計產(chǎn)能將動態(tài)調(diào)降20％以內(nèi)。此前，全球市場
  • 關鍵字： 存儲廠商  DRAM  TrendForce  

3D DRAM 設計能否實現(xiàn)？

  • 3D DRAM 的使用在未來或許是可能的。
  • 關鍵字： DRAM  

DRAM的變數(shù)

  • 一路暴跌的半導體行業(yè)在 8 月終于傳來了好消息。TrendForce 集邦咨詢研究發(fā)布最新數(shù)據(jù)，第二季 DRAM 產(chǎn)業(yè)營收約 114.3 億美元，環(huán)比增長 20.4%，終結連續(xù)三個季度的跌勢。存儲作為行業(yè)的風向標，止跌是大家喜聞樂見的。這樣的好消息背后，不知道還有多少變數(shù)，又何時傳遞給整個半導體行業(yè)呢？經(jīng)歷低谷根據(jù) TrendForce 發(fā)布報告，2022 年第三季度 DRAM 行業(yè)營收為 181.9 億美元，環(huán)比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供應商庫存快速堆積，為搶占第四季度的出貨市
  • 關鍵字： DRAM  

美光 1-gamma 制程內(nèi)存預計 2025 年上半年在臺量產(chǎn)

  • IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)臺灣 《中央通訊社》 報道，臺灣美光董事長盧東暉表示，美光有多達 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在臺灣生產(chǎn)，其中臺日團隊一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺中廠量產(chǎn)，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術。據(jù)悉，美光現(xiàn)在只有在臺中有 EUV 的制造工廠，1-gamma 制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn)，日本廠未來也會導入 EUV 設備。盧東暉強調(diào)，臺灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達 65% 的動態(tài)隨機存取記憶體（DRAM
  • 關鍵字： 美光  DRAM  

三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

  • 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術領域中的地位，并開啟了大容量內(nèi)存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內(nèi)存的基礎上，我們可以研發(fā)出實現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
  • 關鍵字： 三星  12納米  DDR5  DRAM  

3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來架構

  • 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節(jié)點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l  這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l  DRAM技
  • 關鍵字： 3D DRAM  泛林  

DRAM教父高啟全職業(yè)生涯又有新進展

  • 高啟全是全球 DRAM 領域最資深的人士之一。
  • 關鍵字： DRAM  

三季度DRAM和NAND閃存價格跌幅放緩

  • 今年 Q3，存儲產(chǎn)品價格有望迎來拐點。
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

三星電子 DRAM 內(nèi)存和代工部門業(yè)績低迷，負責人雙雙被換

  • IT之家 7 月 5 日消息，據(jù)多個韓國媒體報道，三星電子昨日突然在非常規(guī)人事季更換了代工（DS）部門和 DRAM 部門負責人，被解讀為“彌補今年上半年存儲半導體表現(xiàn)低迷、強化代工業(yè)務的手段”。首先，三星代工事業(yè)部技術開發(fā)部門副社長鄭基泰（Jegae Jeong）被任命為事業(yè)部最高技術負責人（CTO），而他的繼任者則是 Jahun Koo。與此同時，負責存儲半導體中 DRAM 開發(fā)的部門負責人也被更換，由原本擔任戰(zhàn)略營銷部門副社長的黃相俊（Hwang Sang-jun）接管，被業(yè)界解讀為對 HB
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

瑞薩電子推出業(yè)界首款客戶端時鐘驅動器CKD和第3代RCD以支持嚴苛的DDR5客戶端與服務器DIMMs應用

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時鐘驅動器（CKD）和第三代DDR5寄存時鐘驅動器（RCD）。憑借這些全新驅動器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應用提供完整DDR5存儲器接口組合的供應商。DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達7200MT/s的速度，是業(yè)內(nèi)首款與小型DIMM
  • 關鍵字： 瑞薩  時鐘驅動器  RCD  DDR5  DIMM  

美光宣布推出高容量 96GB DDR5-4800 RDIMM 內(nèi)存

  • IT之家 6 月 7 日消息，內(nèi)存廠商在今年第一季度推出了單條 48GB 的非二進制內(nèi)存，雙槽即可實現(xiàn) 96GB，四個內(nèi)存插槽全插滿可實現(xiàn) 192GB 的內(nèi)存容量。美光今天宣布開始量產(chǎn) 4800MT/s 的 96GB 大容量 DDR5 RDIMM，其帶寬相當于 DDR4 內(nèi)存的兩倍，并且完全符合第四代 AMD EPYC 處理器的要求。IT之家注：目前在服務器領域主要使用的內(nèi)存類型 (DIMM) 有三種 ——UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM。RDIMM 全稱為 Registered DIM
  • 關鍵字： 美光  DDR5  

DRAM大廠：Q3產(chǎn)品價格可望回穩(wěn)？

  • 6月5日，DRAM大廠南亞科公布2023年5月自結合并營收為新臺幣23.09億元，月增加2.17%、年減少62.74%，仍創(chuàng)下今年新高水準。累計前5月合并營收為新臺幣109.94億元，年減少66.42%。據(jù)中國臺灣媒體《中時新聞網(wǎng)》引述南亞科總經(jīng)理提到，DRAM市況預期第三季產(chǎn)品價格可望回穩(wěn)。南亞科總經(jīng)理認為，以今年整體狀況而言，DRAM需求成長率可能低于長期平均值，但DRAM是電子產(chǎn)品智能化的關鍵元件，未來各種消費型智能電子產(chǎn)品的推陳出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工廠、智能汽車、智能家庭、智能穿戴
  • 關鍵字： DRAM  TrendForce  

DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價格未見回暖

  • 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預期不太樂觀。
  • 關鍵字： NAND Flash  NAND  DDR5  

海力士完成業(yè)界首個 1bnm DDR5 服務器 DRAM 兼容性驗證流程

  • IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經(jīng)完成了 1bnm 的開發(fā)，這是 10 納米工藝技術的第五代，并對針對英特爾至強處理器的 DDR5 產(chǎn)品的內(nèi)存程序進行驗證。海力士的 DRAM 開發(fā)主管 Jonghwan Kim 說，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產(chǎn)品所采用。英特爾內(nèi)存和 IO 技術副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內(nèi)存行業(yè)合作，以確保 DDR5 內(nèi)存在英特爾至強可擴展平臺上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個針對
  • 關鍵字： 海力士  DDR5  

韓媒：三星已組建開發(fā)團隊，以量產(chǎn)4F2結構DRAM

  • 5月26日，韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱，三星電子近日在其半導體研究中心內(nèi)組建了一個開發(fā)團隊，以量產(chǎn)4F2結構DRAM。4F2結構DRAM能夠大大提高DRAM的存儲密度，方便研究團隊克服DRAM線寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。報道稱，如果三星4F2 DRAM存儲單元結構研究成功，在不改變節(jié)點的情況下，與現(xiàn)有的6F2 DRAM存儲單元結構相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結構是大約10年前DRAM產(chǎn)業(yè)未能商業(yè)化的單元結構技術，據(jù)說工藝難點頗多。不過三星認為，與SK海力士和美
  • 關鍵字： 三星  4F2結構  DRAM  
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ddr5 dram介紹

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