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cmos.dram 文章 最新資訊

存儲進(jìn)入筑底階段？

  • 伴隨存儲芯片價格筑底，關(guān)于半導(dǎo)體周期拐點(diǎn)將臨近的討論越來越熱。
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地芯科技發(fā)布全球首款基于CMOS工藝的國產(chǎn)化多頻多模線性PA

  • 5月18日，杭州地芯科技有限公司（以下簡稱：地芯科技）在上海發(fā)布了全球首款基于CMOS工藝的支持4G的線性CMOS PA——GC0643。GC0643是一款4*4mm多模多頻功率放大器模塊（MMMB PAM），它應(yīng)用于3G/4G手持設(shè)備（包括手機(jī)及其他手持移動終端）以及Cat1.物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，支持的多頻段多制式應(yīng)用。本模塊還支持可編程MIPI控制。圖片來源：地芯科技CMOS工藝是集成電路中最為廣泛使用的工藝技術(shù)，具有高集成度、低成本、漏電流低、導(dǎo)熱性好、設(shè)計(jì)靈活等特性，但也存在擊穿電壓低、線性度差兩大先天性
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三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)

  • 今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)。三星本次應(yīng)用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內(nèi)先進(jìn)的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計(jì)算市場對大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過商業(yè)化的下一代
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功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%，三星開始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM

  • IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規(guī)模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲芯片行業(yè)當(dāng)前正處于低谷期，三星通過量產(chǎn) 12nm 的 DRAM，希望進(jìn)一步鞏固其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務(wù)器和數(shù)據(jù)中
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三星電子研發(fā)出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM

  • 三星電子今日宣布，研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?（CXL?）2.0的128GB DRAM。同時，三星與英特爾密切合作，在英特爾?至強(qiáng)?平臺上取得了具有里程碑意義的進(jìn)展。繼2022年五月，三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（內(nèi)存擴(kuò)展器）后，又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM，預(yù)計(jì)將加速下一代存儲解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達(dá)每秒35GB的帶寬。可擴(kuò)展內(nèi)存（Memory Expander）“作
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DRAM迎來3D時代？

DDR5 Server DRAM 價格跌幅將收斂

  • 集邦咨詢預(yù)估第二季度 DDR5 Server DRAM（服務(wù)器內(nèi)存）價格跌幅將收斂，由原預(yù)估 15%-20% 收斂至 13%-18%。
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消息稱蘋果 iPhone 15 Pro Max 將搭載全新 48MP 索尼攝像頭，傳感器尺寸比前一代更大

  • IT之家 4 月 23 日消息，據(jù)博主 @數(shù)碼閑聊站 和 @Ice universe 爆料，蘋果今年將推出的 iPhone 15 Pro Max 手機(jī)將采用索尼最新的 4800 萬像素定制攝像頭，比去年的 iPhone 14 Pro Max 的攝像頭傳感器尺寸更大。去年，蘋果在 iPhone 14 Pro 和 iPhone 14 Pro Max 上首次使用了 4800 萬像素的攝像頭，這是蘋果在相機(jī)硬件上的一個巨大飛
  • 關(guān)鍵字： 索尼  CMOS  iphone  

先進(jìn)封裝推動 NAND 和 DRAM 技術(shù)進(jìn)步

  • 先進(jìn)封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來越重要。
  • 關(guān)鍵字： 封裝  NAND  DRAM   

SK海力士開發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM

  • 2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM（內(nèi)存）——HBM3*的技術(shù)界限，全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字節(jié)）**的HBM3 DRAM新產(chǎn)品，并正在接受客戶公司的性能驗(yàn)證。SK海力士強(qiáng)調(diào)“公司繼去年6月全球首次量產(chǎn)HBM3 DRAM后，又成功開發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產(chǎn)品?！?“最近隨著人工智能聊天機(jī)器人（AI Chatbot）產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高端存儲器需求也隨之增長，公司將從今年下半年起將其推向市場，以滿足
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利基型DRAM市場Q2回穩(wěn)

  • 據(jù)媒體報道，盡管消費(fèi)性電子應(yīng)用需求復(fù)蘇緩慢，但華邦電總經(jīng)理陳沛銘指出，第二季與客戶洽談合約價格已看到止穩(wěn)跡象。華邦電是一家利基型存儲器IC設(shè)計(jì)、制造與銷售公司，其產(chǎn)品包括利基型存儲器（Specialty DRAM）、行動存儲器（Mobile DRAM）以及編碼型閃存（Code Storage Flash Memory）。存儲器產(chǎn)品主要以DRAM、NAND Flash為主。從產(chǎn)品價格上看，在NAND Flash方面，此前據(jù)TrendForce集邦咨詢3月30日調(diào)查指出，即便原廠持續(xù)進(jìn)行減產(chǎn)，然需求端如服
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CMOS圖像傳感器簡介

  • 圖像傳感器是數(shù)字成像系統(tǒng)的主要組成部分之一，對整體系統(tǒng)性能有很大影響。圖像傳感器的兩種主要類型是電荷耦合器件 (CCD) 和 CMOS 成像器。在本文中，我們將了解 CMOS 圖像傳感器的基礎(chǔ)知識。圖像傳感器是數(shù)字成像系統(tǒng)的主要組成部分之一，對整體系統(tǒng)性能有很大影響。圖像傳感器的兩種主要類型是電荷耦合器件 (CCD) 和 CMOS 成像器。在本文中，我們將了解 CMOS 圖像傳感器的基礎(chǔ)知識。查看我們的電荷耦合器件 (CCD) 圖像傳感器系列。您可以從CCD 的結(jié)構(gòu)和功能入手。CMOS 光電探測器大多數(shù)
  • 關(guān)鍵字： CMOS，圖像傳感器  

2023年內(nèi)存芯片趨勢

  • 2023 年，存儲芯片的跌勢仍在延續(xù)，何時止跌還是未知數(shù)。
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第二季DRAM均價跌幅收斂至10~15%，仍不見止跌訊號

  • TrendForce集邦咨詢表示，由于部分供應(yīng)商如美光（Micron）、SK海力士（SK hynix）已經(jīng)啟動DRAM減產(chǎn)，相較第一季DRAM均價跌幅近20%，預(yù)估第二季跌幅會收斂至10~15%。不過，由于2023下半年需求復(fù)蘇狀況仍不明確，DRAM均價下行周期尚不見終止，在目前原廠庫存水位仍高的情況下，除非有更大規(guī)模的減產(chǎn)發(fā)生，后續(xù)合約價才有可能反轉(zhuǎn)。PC DRAM方面，由于買方已連續(xù)三季大減采購量，目前買方的PC DRAM庫存約9~13周，而PC DRAM原廠已進(jìn)行減產(chǎn)，TrendForce集
  • 關(guān)鍵字： DRAM  止跌  TrendForce  
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