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韓國芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價甩賣：SK海力士、三星虧到家
- 作為韓國的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著幾大財團(tuán)的營收，比如三星、SK海力士等等。據(jù)國外媒體報道，消費電子產(chǎn)品需求下滑，導(dǎo)致對芯片的需求下滑，尤其是存儲芯片，需求與價格雙雙下滑。韓國關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示，在11月份的前20天，韓國芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國重要的出口產(chǎn)品還有智能手機(jī)等移動設(shè)備，但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標(biāo)志性的一個現(xiàn)象是，全球智能手機(jī)老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬部，這也
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美光發(fā)布 HSE 3.0 開源存儲引擎
- IT之家 11 月 20 日消息，2020 年初，美光的軟件工程師宣布了一款專為 SSD 和持久內(nèi)存設(shè)計的開源存儲引擎 HSE，這是一款快速鍵值存儲數(shù)據(jù)庫。去年 HSE 2.0 首次亮相，不再依賴于對 Linux 內(nèi)核的修改，改為完全基于用戶空間的解決方案。本周，美光發(fā)布了 HSE 3.0 開源存儲引擎，帶來了更多功能改進(jìn)。據(jù)介紹，HSE 3.0 改進(jìn)了數(shù)據(jù)管理，提高了各種重要工作負(fù)載的性能。此外，HSE 3.0 引擎圍繞具有單調(diào)遞增鍵（例如時間序列數(shù)據(jù)）的工作負(fù)載、多客戶端工作負(fù)載、將壓縮和未壓縮值存儲
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ADALM2000實驗：CMOS邏輯電路、D型鎖存器
- 本實驗活動的目標(biāo)是進(jìn)一步強化上一個實驗活動 “ADALM2000實驗：使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能” 中探討的CMOS邏輯基本原理，并獲取更多使用復(fù)雜CMOS門級電路的經(jīng)驗。具體而言，您將了解如何使用CMOS傳輸門和CMOS反相器來構(gòu)建D型觸發(fā)器或鎖存器。背景知識為了在本實驗活動中構(gòu)建邏輯功能，需要使用 ADALP2000 模擬部件套件中的CD4007 CMOS陣列和分立式NMOS和PMOS晶體管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3對互補MOSFET組成
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睿感（ScioSense）推出基于CMOS-MEMS工藝的單芯片壓力傳感器
- 荷蘭 埃因霍溫，中國 濟(jì)南，2022年11月15日——業(yè)界領(lǐng)先的環(huán)境和高精度流量和時間測量傳感芯片廠商睿感（ScioSense）今日宣布，推出采用緊湊型封裝的內(nèi)置溫度傳感器的超低功耗壓力傳感器--ENS220，可提供卓越的測量速度、分辨率和精度。 ENS220將在慕尼黑電子展（electronica，11月15-18日慕尼黑）B3.419號ScioSense展臺展出。 該傳感器采用業(yè)界主流的2.0mm×2.0mm尺寸LGA封裝，適用于移動設(shè)備和可穿戴設(shè)備，如智能手表和腕帶、GPS導(dǎo)航系
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芯片巨頭美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺合作伙伴進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備?！ ?β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)?！ ∫粋€值得關(guān)注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！ ∵@意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
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機(jī)構(gòu)預(yù)計今年服務(wù)器 DRAM 需求將達(dá)到 684.86 億 GB，首次超過移動設(shè)備
- 11 月 2 日消息，據(jù)國外媒體報道，受電子消費品續(xù)期下滑影響，當(dāng)前全球存儲芯片市場并不樂觀，DRAM 與 NAND 閃存的需求和價格都有下滑，三星電子、SK 海力士等存儲芯片制造商的業(yè)績，也受到了影響。雖然存儲芯片市場整體的狀況并不樂觀，但部分領(lǐng)域的需求，卻在不斷增長。研究機(jī)構(gòu)在最新的報告中就表示，服務(wù)器 DRAM 的需求在不斷增長，在今年有望首次超過智能手機(jī)、平板電腦等移動設(shè)備對 DRAM 的需求。研究機(jī)構(gòu)在報告中預(yù)計，今年全球服務(wù)器對 DRAM 的需求，會達(dá)到 684.86 億 GB，智能手機(jī)、平板
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功率效率提高15%，美光1β DRAM樣本出貨
- 當(dāng)?shù)貢r間11月1日，美光宣布正在向選定的智能手機(jī)制造商和芯片組運送其1β DRAM技術(shù)的合格樣品合作伙伴，并已通過世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)節(jié)點實現(xiàn)了量產(chǎn)準(zhǔn)備。據(jù)官方介紹，美光于2021年實現(xiàn)1α LPDDR5X DRAM批量出貨，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每區(qū)儲存的位元數(shù)也增加35%。美光表示，隨著LPDDR5X的出樣，移動產(chǎn)品將率先從1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時，消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門副總裁Thy Tran表示，新版
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美光出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點DRAM
- 2022年11月2日——中國上?！獌?nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動應(yīng)用，基于1β節(jié)點的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高
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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存：采用先進(jìn) 1β 工藝，15% 能效提升
- IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存，采用先進(jìn) 1β 工藝，正在向智能手機(jī)制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹，美光 2021 年實現(xiàn) 1α 工藝批量出貨，現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場領(lǐng)先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個 die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時，消
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SK海力士：未研究過“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”相關(guān)具體計劃
- 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉(zhuǎn)移中國工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導(dǎo)致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中，“中國工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復(fù)，SK海力士澄清并未研究過與此相關(guān)的具體計劃。另外，針對美國對芯片設(shè)備出口的管制，SK海力士表示，
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FLIR CMOS 機(jī)器視覺攝像頭使數(shù)字熒光顯微鏡變得經(jīng)濟(jì)實惠
- Zaber Technologies 設(shè)計和制造經(jīng)濟(jì)實惠、集成且易于使用的精確定位和運動控制設(shè)備，適用于光子學(xué)和光學(xué)、生命科學(xué)、顯微鏡和工業(yè)自動化領(lǐng)域的應(yīng)用。其 MVR 電動倒置顯微鏡是一種可連續(xù)使用，且經(jīng)濟(jì)實惠的顯微鏡，降低了自動顯微成像的進(jìn)入壁壘，為研究人員節(jié)省了時間和金錢。降低壁壘Zaber 之所以能開發(fā)出經(jīng)濟(jì)實惠但性能強大的顯微鏡，方法之一是顯著簡化光程。通過取消兩個目鏡筒，僅靠 FLIR Blackfly USB3 攝像頭進(jìn)行圖像的觀察和捕獲，視覺系統(tǒng)設(shè)計人員得以取消顯微鏡中
- 關(guān)鍵字： FLIR CMOS 機(jī)器視覺攝像頭 數(shù)字熒光顯微鏡
使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能
- 本實驗活動的目標(biāo)是使用CD4007晶體管陣列構(gòu)建各種CMOS邏輯功能。CD4007包含三對互補的NMOS和PMOS晶體管。使用CD4007晶體管陣列構(gòu)建反相器圖1顯示了CD4007的原理圖和引腳排列。圖1. CD4007 CMOS晶體管陣列引腳排列多達(dá)三個單獨的反相器可由一個CD4007封裝陣列構(gòu)建而成。第一個配置最簡單，如圖2所示，將引腳8和13連接在一起作為反相器輸出即可構(gòu)建。引腳6將作為輸入端。確保將引腳14(VDD)連接到電源，引腳7(VSS)連接到地。圖2. 三個反相器第二個反相器是通過將引腳2
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8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運行速度創(chuàng)新高
- 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗證，可在驍龍（Snapdragon?）移動平臺上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境，三星超過了自身在今年3月創(chuàng)下的7.5Gbps的最高運行速度，夯實了在內(nèi)存市場的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達(dá)8.5Gbps的運行速度作為十多年來全球移動內(nèi)存（DRAM）市場的推動者，三星一直在努力推進(jìn)高端智能手機(jī)普及，使更多消費者能夠在移動設(shè)備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
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