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東芝正式宣布半導(dǎo)體業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)改革計劃

  • 　　東芝于2015年10月28日正式發(fā)布了半導(dǎo)體業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)改革相關(guān)事宜。改革方針有以下幾點。 　　第一，退出CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)。將把生產(chǎn)該產(chǎn)品的大分工廠的300mm晶圓生產(chǎn)線及相關(guān)資產(chǎn)轉(zhuǎn)讓給索尼。完成轉(zhuǎn)讓后，該工廠將成為索尼全資子公司——索尼半導(dǎo)體(SCK)的生產(chǎn)基地之一，主要用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器。 　　另外，利用300mm晶圓生產(chǎn)線生產(chǎn)的CMOS圖像傳感器以外的半導(dǎo)體產(chǎn)品將委托SCK生產(chǎn)。隨著300mm晶圓生產(chǎn)線轉(zhuǎn)讓，與之相關(guān)的東芝及其相關(guān)公司的員工(大約1100人)
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手機鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？　大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI

  • 　　DIGITIMES Research觀察，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會關(guān)鍵晶圓片底材供應(yīng)商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
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最簡單的上下拉的問題

  • 　　本文介紹了上下拉電阻的作用、使用方法等問題。 　　重要信號線的上下拉問題 　　一般說來，不光是重要的信號線，只要信號在一段時間內(nèi)可能出于無驅(qū)動狀態(tài)，就需要處理。 　　比如說，一個CMOS門的輸入端阻抗很高，沒有處理，在懸空狀況下很容易撿拾到干擾，如果能量足夠甚至?xí)?dǎo)致?lián)舸┗蛘唛V鎖，導(dǎo)致器件失效。祈禱輸入的保護二極管安全工作吧。如果電平一直處于中間態(tài)，那輸出就可能是不確定的情況，也可能是上下MOS都導(dǎo)通，對器件壽命造成影響。 　　總線上當所有的器件都處于高阻態(tài)時也容易有干擾出現(xiàn)。因為這時讀寫控制
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中國借力美國矽谷“超越摩爾定律”

  • 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)因為創(chuàng)投社群對硬件開發(fā)領(lǐng)域興趣缺缺而沮喪了好長一段時間，“超越摩爾定律”有足夠的吸引力嗎?
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Sony欲強化CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù) 不排除并購可能

  • 　　Sony于8月推出全球首款內(nèi)建4K錄影功能的數(shù)位相機α7R II后，將續(xù)推高階α7R系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品不采用化學(xué)低通濾鏡(bandpass filter)，故圖像更為銳利。像素自3，640萬提高至4，240萬，同時加強自動對焦(AF)與防手震功能。 　　日本經(jīng)濟新聞(Nikkei)報導(dǎo)，該相機并有399個相位對焦點、5軸圖像穩(wěn)定系統(tǒng)與4K錄影等特色，感光值(ISO)最高可達ISO 102，400，結(jié)合了高解析、高感光及高速對焦的機種，實際售價約45.1萬日圓(約3，800美
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臺積電16nm好過三星14nm的真相

  • 最近，關(guān)于iPhone6s A9處理器版本的事情的話題很熱，最后都鬧到蘋果不得不出來解釋的地步，先不評判蘋果一再強調(diào)的整機綜合續(xù)航差2~3%的準確性，但是三星14nm工藝相比臺積電16nm工藝較差已經(jīng)可以說是板上釘釘?shù)氖铝恕?/li>
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Intel憑何獨步天下!

  • Intel曾經(jīng)自己高調(diào)宣揚過，整個世界也都承認，無與倫比的先進制造工藝是這家芯片巨頭永遠令人眼紅的優(yōu)勢。14nm工藝雖然從年初拖到了年底，但到時候仍然是這個地球上最先進的。其他半導(dǎo)體企業(yè)紛紛減緩腳步或者合縱連橫的同時，Intel仍在堅持獨行，仍在引領(lǐng)世界。
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一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路

  • 　　在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩(wěn)定尤為重要，因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。 　　傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡單、實用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統(tǒng)在正常工作時，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負擔，影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 　　基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過HSPICE仿真。此電路可以在1.
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艾邁斯半導(dǎo)體推出可拓展的高壓CMOS晶體管

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進一步擴展其行業(yè)領(lǐng)先的0.35µm高壓CMOS專業(yè)制程平臺?；谠摳邏褐瞥唐脚_的先進“H35”制程工藝，使艾邁斯半導(dǎo)體能涵蓋一整套可有效節(jié)省空間并提升設(shè)備性能的電壓可拓展的晶體管。 　　新的電壓可拓展的高壓NMOS和PMOS晶體管器件針對20V至100V范圍內(nèi)的各種漏源電壓進行了優(yōu)化，顯著降低了導(dǎo)通電阻，因此可節(jié)省器件空間。在電源管理應(yīng)用中，用優(yōu)化的30V NMOS晶體管代替固定的50V晶
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使用CMOS集成電路需注意的幾個問題

  • 　　集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時，除了認真閱讀產(chǎn)品說明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個問題： 　　1、電源問題 　　(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應(yīng)用電路中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路
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一些常用的電平標準

  • 　　現(xiàn)在常用的電平標準有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡單介紹一下各自的供電電源、電平標準以及使用注意事項。 　　TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結(jié)構(gòu)。 　　Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 　　因為2.4V與5V之間還有很大空閑
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CMOS電路中ESD保護結(jié)構(gòu)的設(shè)計要求

  • 　　簡介：大部分的ESD電流來自電路外部，因此ESD保護電路一般設(shè)計在PAD旁，I/O電路內(nèi)部。典型的I/O電路由輸出驅(qū)動和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過PAD導(dǎo)入芯片內(nèi)部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線，再由電壓線分布到芯片各個管腳，降低ESD的影響。 　　引言 　　靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧 厚度越來越薄，芯片的面
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學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計算出來的

  • 　　簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結(jié)!希望大家堅持下去! 　　1、CS單管放大電路 　　共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
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CMOS和TTL集成門電路多余輸入端的處理方法

  • 　　簡介：CMOS和TTL集成門電路在實際使用時經(jīng)常遇到這樣一個問題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作?本文給出了解決這個問題的方法，供大家參考。 　　CMOS門電路 　　CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應(yīng)采用以下
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TTL與CMOS電路的區(qū)別

  • 　　簡介：本文介紹了TTL電平和CMOS電平之間的區(qū)別以及使用注意事項等內(nèi)容。 　　TTL：雙極型器件，一般電源電壓 5V，速度快(數(shù)ns)，功耗大(mA級)，負載力大，不用端多數(shù)不用處理。 　　CMOS：單級器件，一般電源電壓 15V，速度慢(幾百ns)，功耗低，省電(uA級)，負載力小，不用端必須處理。 　　CMOS 和 TTL 電平的主要區(qū)別在于輸入轉(zhuǎn)換電平。 　　CMOS：它的轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2，因為 CMOS 的輸入時互補的，保證了轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2。 　　TTL：
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