ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配備 0.55 NA 鏡頭，實現(xiàn) 8 納米分辨率——而當前 Low-NA EUV 工具的分辨率僅為 13 納米——使得單次曝光下晶體管尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提高 2.9 倍。雖然 Low-NA 工具可以通過昂貴的多重圖形匹配來達到這一效果，但 High-NA EUV 簡化了光刻步驟，盡管這帶來了新的技術挑戰(zhàn)。

鑒于 High-NA EUV 機器的能力，芯片制造商可以避免雙重或三重 EUV 圖形匹配，因此 NXE:5200B 將首先用于快速推進下一代 DRAM 的原型設計，這些 DRAM 將使用依賴現(xiàn)有 Low-NA EUV 和 DUV 工具的工藝技術制造。只有到那時，該工具才會用于開發(fā)實際需要 High-NA EUV 設備才能獲得良好產(chǎn)率和循環(huán)時間的制造工藝。ASML 在一次面向投資者的演示中估計，DRAM 制造商將在 2030 年代過渡到 High-NA EUV 工具。

快速原型制作大大加快了下一代工藝技術的開發(fā)速度。高 NA EUV 設備能夠比現(xiàn)有的低 NA EUV 工具更快地詳細原型制作 DRAM 結(jié)構（例如，電容器溝槽、位線、字線），這為 SK hynix 的研發(fā)提供了關鍵推動力。

從長遠來看（到 2030 年代），SK hynix 可以使用該工具測試圖形極限，開發(fā)新的布局，并評估它將在需要使用高 NA EUV 工具的制造節(jié)點中需要的材料，遠遠早于需要承諾全面基于高 NA EUV 的生產(chǎn)。

SK hynix 和 ASML 于周三早些時候宣布，他們在韓國伊川的公司 M16 工廠組裝了業(yè)界首款 Twinscan NXE:5200B 高數(shù)值孔徑 EUV 光刻系統(tǒng)。該設備最初將作為下一代工藝技術的開發(fā)工具，但幾年后它將用于采用尖端工藝技術的 DRAM 大規(guī)模生產(chǎn)。

對于 SK hynix 來說，組裝業(yè)界首批 Twinscan NXE:5200B EUV 系統(tǒng)（配備 0.55 數(shù)值孔徑光學系統(tǒng)）意味著它超越了其主要競爭對手美光和三星，以及半導體行業(yè)絕大多數(shù)公司，這些公司中許多仍然必須采用現(xiàn)有的 0.33 數(shù)值孔徑 EUV 系統(tǒng)。

“我們預計，關鍵基礎設施的添加將使我們所追求的技術愿景變?yōu)楝F(xiàn)實，”SK hynix 研發(fā)負責人 Cha Seon Yong 表示?！拔覀冎荚诮柚焖侔l(fā)展的 AI 和下一代計算市場所需的尖端技術，增強我們在 AI 存儲領域的領導地位。”

ASML 在客戶現(xiàn)場（在此案例中為 SK hynix 的 M16，確實是一個大規(guī)模量產(chǎn)工廠）組裝其首臺 Twinscan NXE:5200B 機器，標志著該公司的一個里程碑，因為此前它曾在俄勒岡州希爾茲伯勒附近的英特爾 D1X 開發(fā)工廠建造了 Twinscan NXE:5000 機器 ，在那里他們 已經(jīng)生產(chǎn)了數(shù)萬片晶圓 。NXE:5000 系統(tǒng)被認為是預生產(chǎn)系統(tǒng)，但可以升級以獲得高容量制造所需的性能。

"高 NA EUV 是一項關鍵技術，它開啟了半導體產(chǎn)業(yè)的下一章，”ASML 客戶團隊負責人金丙燦表示?！癆SML 將密切與 SK hynix 合作，推動下一代內(nèi)存的創(chuàng)新?！?/p>