根據(jù)韓國媒體 outlet ETNews 的報道，美國和日本正積極通過政府主導的舉措將極紫外(EUV)光刻機引入公共研究機構。相比之下，韓國政府在這一領域的推動工作落后于美國和日本，報道暗示。

美國 – 國家半導體技術中心加速 EUV 技術采用

報告援引行業(yè)消息人士稱，美國國家半導體技術中心（NSTC）已在紐約的阿爾巴尼納米技術園區(qū)完成了 EUV 光刻設備的安裝，并計劃從 2025 年 7 月開始為企業(yè)提供服務。報告還指出，據(jù)稱 NSTC 計劃在 2026 年推出高 NA EUV 設備——這是制造 2 納米及以下半導體工藝所必需的先進工具。

由于成本高昂，報告解釋說，SoC 材料和設備（M&E）公司通常無法獨立負擔或操作 EUV 設備。相反，他們依賴于像 NSTC 這樣的開放研究中心以獲得開發(fā)支持。據(jù)報告稱，NSTC 去年 2 月啟動，獲得了 50 億美元的美國政府資金，以支持芯片制造商和 SoC M&E 公司的研發(fā)。

日本通過政府主導計劃擴大 EUV 技術推進

日本也正通過政府支持的努力采用 EUV 設備來提升其技術競爭力。據(jù)報道，日本政府正在國家先進工業(yè)科學技術研究所（AIST）建設一個配備 EUV 光刻設備的研發(fā)設施，預計將于 2027 年開始運營。

有報道稱韓國在 EUV 研發(fā)方面難以保持步伐

同時，據(jù)報道，韓國兩年前宣布計劃建立一個“韓國版 imec”，配備先進設施，但該項目現(xiàn)已暫停。

它還強調，正在建設中的“微型晶圓廠”（Trinity Fab）——由貿易、工業(yè)和能源部、SK hynix 和其他芯片制造商領導——計劃采用氬氟化物（ArF）浸沒式設備，而不是 EUV 工具。