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英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

  • 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術以及東京大學持有的數(shù)據(jù)傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產(chǎn)可行性，目標是在2030年前實現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設計工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負責這種分工模式有助于充分發(fā)揮
  • 關鍵字： 英特爾  軟銀  HBM  DRAM  三星  SK海力士  

三星考慮進行大規(guī)模內部重組

  • 據(jù)韓媒SEDaily報道，三星半導體部門（即DS設備解決方案部）正對系統(tǒng)LSI業(yè)務的組織運作方式的調整計劃進行最終審議，相關決定將在不久后公布。預計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負責人全永鉉做出最終決定之前，還將進行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務主要負責芯片設計，在三星半導體體系中承擔著為移動業(yè)務（MX）部門開發(fā)Exynos手機SoC的核心任務。然而，近年來Exynos 2x00系列應用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
  • 關鍵字： 三星  HBM  LSI  DRAM  半導體  晶圓代工  

DDR5上升趨勢放緩;DRAM價格在第三季度將適度上漲

  • 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，DRAM 方面，DDR5 價格已顯現(xiàn)放緩跡象，預計 25 年第三季度整體 DRAM 價格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現(xiàn)貨價格在 2 月下旬以來上漲后已達到相對較高的水平，購買勢頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：與 DDR4 產(chǎn)品相比，DDR5 產(chǎn)品仍然會出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價格上漲。然而，DDR5 產(chǎn)品的平均現(xiàn)貨價格已經(jīng)相當高，在某些情況下甚至高于合同價格。因此，上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
  • 關鍵字： DDR5  DRAM  

Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設計中

  • 存儲設備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術能夠實現(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
  • 關鍵字： Neo Semiconductor  IGZO  3D DRAM  

三星因關稅前囤積而提高DRAM價格，DDR4上漲20%

  • 在特朗普加征關稅之前囤積數(shù)據(jù)推動的 DRAM 需求激增似乎是真實的。據(jù)韓國 Etnews 報道，三星一年多來首次提高了 DRAM 價格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價條款，已將 DDR4 價格提高了約 20%。與此同時，該報告補充說，DDR5 價格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或將得到提振值得注意的是，Etnews 表示，由于 DRAM 價格是以數(shù)月為基礎進行談判的，因此最近的上漲預計將在一段時間內支持盈利能力，從而為三星第二
  • 關鍵字： 三星  DRAM  DDR4  

3D打印高性能射頻傳感器

  • 中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結構。該技術以 1：4 的寬高比實現(xiàn)了深溝槽，同時還實現(xiàn)了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術不僅提高了 RF 超結構的品質因數(shù) （Q 因子） 和頻率可調性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領域的下一代應用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術難以滿足對超精細、高縱橫比結構的需求。厚度控制不佳、側壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術
  • 關鍵字： 3D  射頻傳感器  

撐不住, SK海力士DRAM漲12%

  • 全球存儲器市場近期出現(xiàn)顯著價格上漲，消費級存儲器產(chǎn)品價格持續(xù)攀升。 根據(jù)最新市場動態(tài)，SK海力士消費級DRAM顆粒價格已上漲約12%，落實先前市場的漲價傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價格上調通知，自4月1日起，對所有通路商及零售客戶的產(chǎn)品實施價格調整，漲幅將超過10%。市場分析人士指出，存儲器價格近期上漲主要受到全球供應鏈瓶頸、晶圓產(chǎn)能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運算及5G技術的快速發(fā)展，持續(xù)推動了對高性能內存的強勁需求，存儲器國際大廠集中資源，生
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  

三星電子將引入VCT技術，未來2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品

  • 據(jù)最新消息，三星電子已制定明確的技術路線圖，計劃在第7代10nm級DRAM內存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術。相關產(chǎn)品預計將在未來2到3年內問世。在規(guī)劃下一代DRAM工藝時，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術。經(jīng)過深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術。相較于1e nm，VCT技術在性能和效率方面表現(xiàn)更優(yōu)。為加快研發(fā)進度，三星電子還將原1e nm的先行研究團隊并入1d nm研發(fā)團隊，集中力量推進1d nm工藝的開發(fā)。VCT DRAM技術是一種新型存儲
  • 關鍵字： 三星電子  VCT  DRAM  

閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實現(xiàn) AI

  • Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內存）用于 AI 推理應用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲公司 Western Digital 分拆出來時，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時追求新興顛覆性內存技術的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內存技術高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內存的東西。在同
  • 關鍵字： Sandisk  3D-NAND  

高速數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展，DRAM內存接口功不可沒

  • 高性能人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心正在以前所未有的方式重塑半導體設計版圖和投資方向。早在2022年，AI基礎設施方面的支出規(guī)模就已接近150億美元。而今年這一數(shù)字可能輕松突破600億美元大關。沒錯，“吸金”，各種資金正從各種投資計劃中向數(shù)據(jù)中心涌入。顯然，我們正處在一個人工智能資本支出空前高漲的時代——盡管DeepSeek等新入局者的潛在影響尚難以被準確估量。但不可否認的是，就在英偉達（Nvidia）、AMD等公司的高性能計算（HPC）處理器成為行業(yè)焦點的同時，用于存儲訓練和推理模型的高帶寬內存同樣迎來了屬于
  • 關鍵字： 數(shù)據(jù)中心  DRAM  

SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營收第一：HBM市占率高達70%

  • 4月9日消息，根據(jù)Counterpoint Research的2025年第一季度內存追蹤報告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領導者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營收市占率達到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計占據(jù)剩余的5%。SK海力士預期，營收與市占率的增長至少會持續(xù)到下一季度，其還表示，公司在關鍵的HBM市場占有率高達70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
  • 關鍵字： SK海力士  三星  DRAM  

美光、SK海力士跟隨中！三星對內存、閃存產(chǎn)品提價3-5%：客戶已開始談判新合同

  • 4月7日消息，據(jù)國外媒體報道稱，三星公司領導層將對主要全球客戶提高內存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價格上漲，預計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業(yè)內人士表示：去年全年供應過剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構DRAMeXchange給出的統(tǒng)計顯示，
  • 關鍵字： 內存  DRAM  NAND  HBM  三星  美光  SK海力士  

下游客戶庫存去化順利，預計2Q25 DRAM價格跌幅將收斂

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應國際形勢變化，此舉有助供應鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預估Conventional DRAM（一般型DRAM）價格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預計均價為季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM價格皆持平上季因應國際形勢變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機組裝量，將加速去化OEM手中的DRAM庫存。為確保2025年下半年產(chǎn)線供料穩(wěn)定，庫存水
  • 關鍵字： TrendForce  集邦咨詢  DRAM  

美光1γ DRAM開始出貨，用上了EUV

  • 美光經(jīng)過多代驗證的 DRAM 技術和制造策略促成了這一優(yōu)化的 1γ節(jié)點的誕生。
  • 關鍵字： 美光1γ DRAM  

新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

  • 3D DRAM 將成為未來內存市場的重要競爭者。
  • 關鍵字： 3D DRAM  
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3d dram介紹

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