3d dram 文章最新資訊

美光計(jì)劃投資約300億元在日本新建DRAM廠

據(jù)日媒報(bào)道，美光科技計(jì)劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動(dòng)工，并安裝極紫外光刻（EUV）設(shè)備。消息稱最快2027年底便可投入營運(yùn)。報(bào)道稱，此前，日本政府已批準(zhǔn)多達(dá)1920億日圓補(bǔ)貼，支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費(fèi)協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片，這些芯片將是推動(dòng)生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
關(guān)鍵字：美光 DRAM 日本 EUV

HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年可望供不應(yīng)求

三星、SK海力士及美光等國際內(nèi)存巨擘，皆積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）制程，法人表示，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下，下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應(yīng)求，預(yù)期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據(jù)TrendForce研究，DRAM原廠提高先進(jìn)制程投片，產(chǎn)能提升將集中今年下半年，預(yù)期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現(xiàn)佳，加上需求續(xù)增，生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來看，2024年HBM3e將是市場主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
關(guān)鍵字： HBM DRAM TrendForce

邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì)上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
關(guān)鍵字： 3D 內(nèi)存存儲(chǔ) 三星

三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3

近兩年，DRAM市場已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡，此外在存儲(chǔ)器市場經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內(nèi)存的市場需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動(dòng)DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
關(guān)鍵字：三星 SK海力士內(nèi)存 DRAM HBM

SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存

IT之家 5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報(bào)道，兩大存儲(chǔ)巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內(nèi)存坐擁更高單價(jià)，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預(yù)計(jì)，不僅 HBM 內(nèi)存，通用 DRAM（如標(biāo)準(zhǔn) DDR5）的價(jià)格年內(nèi)也不會(huì)
關(guān)鍵字：海力士三星 DRAM

SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。
關(guān)鍵字： SK海力士 3D NAND

第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢原先預(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當(dāng)時(shí)從合約價(jià)先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價(jià)格就可看出，現(xiàn)貨價(jià)已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機(jī)
關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash TrendForce

2025年HBM價(jià)格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成

根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價(jià)較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機(jī)會(huì)逾三成。2024年HBM
關(guān)鍵字： HBM DRAM TrendForce

5G加速聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺(tái)上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項(xiàng)國際專利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對頻段數(shù)量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見的射頻干擾問題，將裝置中
關(guān)鍵字： 5G 聯(lián)電 RFSOI 3D IC

聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)

近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會(huì)，公布2024年第一季財(cái)報(bào)，合并營收546.3億元新臺(tái)幣，較2023年第四季549.6億元新臺(tái)幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺(tái)幣成長0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺(tái)幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運(yùn)效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營收
關(guān)鍵字：聯(lián)電 3D IC

SK海力士計(jì)劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地

自SK海力士官網(wǎng)獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應(yīng)對AI半導(dǎo)體需求的急劇增長，計(jì)劃擴(kuò)大AI基礎(chǔ)設(shè)施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示，若理事會(huì)批準(zhǔn)該計(jì)劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產(chǎn)基地，并投資5.3萬億韓元用于建設(shè)新工廠。該工廠計(jì)劃于4月底開始建設(shè)，目標(biāo)是在2025年11月完工，并進(jìn)行早期批量生產(chǎn)。隨著設(shè)備投資的逐步增加，新生產(chǎn)基地的長期總投資將超過20萬億韓元。（圖源：SK海力士官網(wǎng)）SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱，M15X將成
關(guān)鍵字： SK海力士 AI DRAM

如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲

光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
關(guān)鍵字： 3D-IC

Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進(jìn)的點(diǎn)云

Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺相機(jī)的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點(diǎn)云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯(cuò)誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當(dāng)在高端GPU上運(yùn)行時(shí)，我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
關(guān)鍵字： Zivid 3D 機(jī)器人

存儲(chǔ)大廠技術(shù)之爭愈演愈烈

AI、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用催生海量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)需求，也對存儲(chǔ)技術(shù)提出了更高要求，這一背景下，存儲(chǔ)大廠技術(shù)競爭愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數(shù)突破。近期，韓媒報(bào)道，三星電子預(yù)計(jì)將于本月晚些時(shí)候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結(jié)構(gòu)，層數(shù)將達(dá)到290層。另據(jù)業(yè)界預(yù)測，三星未來第十代V-NAND層數(shù)有望達(dá)到430層，屆時(shí)三星將換用三堆棧結(jié)構(gòu)。而更遙遠(yuǎn)的未來，三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計(jì)劃2030年
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM TrendForce

美光：預(yù)計(jì)臺(tái)灣地區(qū)地震對本季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成中等個(gè)位數(shù)百分比影響

IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國證券交易委員會(huì) SEC 遞交 8-K 重大事項(xiàng)公告，預(yù)計(jì)本月初的臺(tái)灣地區(qū)地震對其二季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成“中等個(gè)位數(shù)百分比”的影響。美光在臺(tái)灣地區(qū)設(shè)有桃園和臺(tái)中兩座生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)。根據(jù) TrendForce 集邦咨詢此前報(bào)告，地震導(dǎo)致當(dāng)時(shí)桃園產(chǎn)線上超六成的晶圓報(bào)廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無恙，設(shè)施、基建和生產(chǎn)工具未遭受永久性損害，長期 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)能力也沒有遇到影響。直至公告發(fā)稿時(shí)，美光尚未在震后全面恢復(fù) DRAM 生產(chǎn)，但得
關(guān)鍵字： DRAM 閃存美光