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3d dram 文章 最新資訊

3D DRAM進入量產倒計時

  • 在 AI 服務器中，內存帶寬問題越來越凸出，已經明顯阻礙了系統(tǒng)計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術產品的成熟和量產還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。據(jù)首爾半導體行業(yè)
  • 關鍵字： 3D DRAM  

3D NAND，1000層競爭加速！

  • 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
  • 關鍵字： 3D NAND  集邦咨詢  

加注西安工廠 美光期待引領創(chuàng)芯長安

  • 怎么證明企業(yè)對某個市場的未來充滿信心？頻繁來華喊口號還是推定制芯片？一邊提升銷售預期一邊減少研發(fā)團隊？或者是縮減產能加大宣傳力度？商業(yè)行為還真是要靠真金白銀才能體現(xiàn)誠意，對中國市場最有信心的表示當然是加大中國市場的投資力度。 3月27日，美光科技舉辦了新廠房動工奠基儀式，宣告2023年6月公布的美光西安工廠價值43億元人民幣的擴建工程正式破土動工，該項目是2020年以來國外半導體企業(yè)在國內最大的工廠投資建設工程。據(jù)悉，這個項目除了加建新廠房，還會引入全新產線，制造更廣泛的產品解決方案，例如移動DRAM、N
  • 關鍵字： 美光  DRAM  

三星否認將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好

  • IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報道，三星電子否認了近日路透社的說法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產 HBM 內存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過回流焊一次性粘合，然后同時用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
  • 關鍵字： 三星  MR-RUF  DRAM  HBM  

又一存儲大廠DRAM考慮采用MUF技術

  • 韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據(jù)悉，MUF 是一種在半導體上打上數(shù)千個微小的孔，然后將上下層半導體連接的硅穿孔 (TSV) 技術后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個半導體牢固地固定并連接起來。而經過測試后獲得的結論，MUF 不適用于高頻寬存儲器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
  • 關鍵字： 存儲  DRAM  MUF技術  

三星發(fā)布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，滿足人工智能時代的更高要求

  • 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產品。                                                      &n
  • 關鍵字： 三星  HBM3E  DRAM  人工智能  

千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

  • 從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業(yè)界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數(shù)字電子設備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
  • 關鍵字： 3D DRAM  存儲  

為什么仍然沒有商用3D-IC？

  • 摩爾不僅有了一個良好的開端，但接下來的步驟要困難得多。
  • 關鍵字： 3D-IC  HBM  封裝  

美光內存與存儲是實現(xiàn)數(shù)字孿生的理想之選

  • 據(jù) IDC 預測，從 2021 年到 2027 年，作為數(shù)字孿生的新型物理資產和流程建模的數(shù)量將從 5% 增加到 60%。盡管將資產行為中的關鍵要素數(shù)字化并非一種全新概念，但數(shù)字孿生技術從精確傳感到實時計算，再到將海量數(shù)據(jù)轉為深度洞察，從多方面進一步推動了設備和運營系統(tǒng)優(yōu)化，從而實現(xiàn)擴大規(guī)模并縮短產品上市時間。此外，啟用人工智能/機器學習 (AI/ML) 模型將有助于提高流程效率、減少產品缺陷，實現(xiàn)出色的整體設備效率 (OEE)。當我們了解了上述需求的復雜性和面臨的挑戰(zhàn)，就能意識到內存與存儲對于實現(xiàn)數(shù)字孿
  • 關鍵字： 數(shù)字孿生  DRAM  機器學習  

三星新設內存研發(fā)機構：建立下一代3D DRAM技術優(yōu)勢

  • 三星稱其已經在美國硅谷開設了一個新的內存研發(fā)（R&D）機構，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。該機構將在設備解決方案部門美國分部（DSA）的硅谷總部之下運營，由三星設備解決方案部門首席技術官、半導體研發(fā)機構的主管Song Jae-hyeok領導。全球最大的DRAM制造商自1993年市場份額超過東芝以來，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開發(fā)新的技術、新的產品，以保持他們在這一領域的優(yōu)勢。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
  • 關鍵字： 三星  內存  DRAM  芯片  美光  

存儲器廠憂DRAM漲勢受阻

  • 韓國存儲器大廠SK海力士透露，因市況好轉，考慮在第一季增產部分特殊DRAM，市場擔心稼動率回升，破壞以往存儲器大廠減產提價共識，恐不利后續(xù)DRAM漲勢。觀察16日存儲器族群股價，包括鈺創(chuàng)、華邦電、南亞科、點序、十銓、品安、晶豪科等，股價跌幅逾2％，表現(xiàn)較大盤弱勢。惟業(yè)界人士認為，包括三星、SK海力士及美光等三大原廠產能，多往1-alpha／beta先進制程升級，以滿足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲器（HBM）需求，預期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢。SK海力士執(zhí)行長郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費性電子
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  TrendForce  

漲勢延續(xù)，預估2024年第一季DRAM合約價季漲幅13~18%

  • TrendForce集邦咨詢表示，2024年第一季DRAM合約價季漲幅約13~18%，其中Mobile DRAM持續(xù)領漲。目前觀察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原廠認為持續(xù)性減產仍有其必要，以維持存儲器產業(yè)的供需平衡。PC DRAM方面，由于DDR5訂單需求尚未被滿足，同時買方預期DDR4價格會持續(xù)上漲，帶動買方拉貨動能延續(xù)，然受到機種逐漸升級至DDR5影響，對DDR4的位元采購量不一定會擴大。不過，由于DDR4及DDR5的售價均尚未達到原廠目標，加上買方仍可接受第一季續(xù)漲，故預估整體PC
  • 關鍵字： 存儲廠商  DRAM  TrendForce  

SSD九個季度以來首次上漲 廠商們要持續(xù)漲價：漲幅55%只是開始

  • 1月1日消息，據(jù)供應鏈最新消息稱，SSD產品九個季度以來首次上漲，而廠商擬2024年1-3月后持續(xù)要求漲價。數(shù)據(jù)顯示，2023年10-12月期間SSD代表性產品TLC 256GB批發(fā)價為每臺25.5美元左右、容量較大的512GB價格為每臺48.5美元，皆較前一季度（2023年7-9月）上漲9%，也都是九個季度以來（2021年7-9月以來）首度上漲。自2023下半年以來，存儲芯片價格一直在上漲。雖然DRAM價格上漲較為溫和，約20%，但NAND閃存價格在過去兩個月飆升了60%-70%。調研機構TrendFo
  • 關鍵字： SSD  漲價  DRAM  

全球汽車半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長

  • 12月22日消息，據(jù)報道，Adroit Market Research預計，全球汽車半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長，到2032年將達到1530億美元，2023年至2032年復合年增長率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示，半導體器件市場將從2022年的$43B增長到2028年的$84.3B，復合年增長率高達11.9%。目前的市場表明，到2022年，每輛汽車的半導體器件價值約為540美元，在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢下，到2028年，該數(shù)字將增長至約912美元。電動化和ADAS是技術變革的主要驅
  • 關鍵字： 汽車電子  半導體  ADAS  碳化硅  DRAM  MCU  

DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

  • IT之家 12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產能目標。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
  • 關鍵字： 存儲  DRAM  NAND Flash  
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3d dram介紹

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