英飛凌文章進(jìn)入英飛凌技術(shù)社區(qū)

EMC與成本雙優(yōu)解車載燈光域控制器集成方案落地

TLD7002-16ES網(wǎng)關(guān)應(yīng)用示例在現(xiàn)代汽車中，眾多電子控制單元（ECU）負(fù)責(zé)控制各種功能，如發(fā)動(dòng)機(jī)管理、傳動(dòng)控制、制動(dòng)系統(tǒng)和信息娛樂系統(tǒng)。每個(gè)ECU通常都配備有自己的MCU，這增加了汽車電氣架構(gòu)的總體復(fù)雜性和成本。車燈的情況也是如此，前后左右的車燈通常都有各自獨(dú)立的ECU。尤其在一些車燈包含成百上千個(gè)像素，或者燈是由多塊分散的印刷電路板（PCB）組成時(shí)，以市場(chǎng)現(xiàn)存大量量產(chǎn)的LED驅(qū)動(dòng)解決方案而言，每個(gè)燈板都需要使用一片MCU來作為控制的轉(zhuǎn)發(fā)點(diǎn)來提升系統(tǒng)的可靠性，通訊速度以及電磁兼容（EMC）性能。本文
關(guān)鍵字：英飛凌 EMC 車載燈光域控制器

英飛凌重返SiC JFET，實(shí)現(xiàn)更智能、更快速的固態(tài)配電

Infineon Technologies 開發(fā)了用于固態(tài)保護(hù)和配電設(shè)計(jì)的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)來控制電導(dǎo)率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場(chǎng)。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss）和 2.3 mΩ （1200 V BDss）的超低 R DS（ON），可顯著降低導(dǎo)通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
關(guān)鍵字：英飛凌 SiC JFET 固態(tài)配電

功率器件新突破！氮化鎵實(shí)現(xiàn)單片集成雙向開關(guān)

氮化鎵（GaN）單片雙向開關(guān)正重新定義功率器件的電流控制范式。傳統(tǒng)功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動(dòng)導(dǎo)通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實(shí)現(xiàn)第三象限傳導(dǎo)。這種被動(dòng)式反向?qū)ú粌H缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導(dǎo)致效率損失。為實(shí)現(xiàn)雙向可控傳導(dǎo)，工程師常采用背對(duì)背（B2B）拓?fù)浼?jí)聯(lián)兩個(gè)器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統(tǒng)復(fù)雜度。由于有效的州電阻（RDSON）加倍，因此需要這些設(shè)備的平行組，以使返回到使用單向開關(guān)獲得的值。可以執(zhí)行此類四季度操作的單片設(shè)備可以通過用單個(gè)設(shè)備替換四個(gè)活
關(guān)鍵字：英飛凌氮化鎵雙向開關(guān)

英飛凌發(fā)布2025財(cái)年第二季運(yùn)營(yíng)成果

●? ?2025財(cái)年第二季度：營(yíng)收為?35.91?億歐元，利潤(rùn)為6.01?億歐元，利潤(rùn)率16.7%●? ?2025財(cái)年第三季度展望：假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.125，預(yù)計(jì)營(yíng)收將達(dá)到?37?億歐元。在此基礎(chǔ)上，利潤(rùn)率預(yù)計(jì)為14%~16%左右●? ?2025財(cái)年展望：假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.125（之前假設(shè)為1:1.05），預(yù)計(jì)營(yíng)收較上一年將略有下降。這包括了對(duì)關(guān)稅政策潛在影響的估算。調(diào)整后的毛
關(guān)鍵字：英飛凌 2025財(cái)年第二季度

關(guān)稅削減，英飛凌德累斯頓晶圓廠終獲10億歐元資金

英飛凌科技股份公司已獲得德國(guó)聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)事務(wù)部（German Federal Ministry for Economic Affairs）的最終批準(zhǔn)，為其位于德累斯頓的智能發(fā)電廠提供資金。與此同時(shí)，該公司預(yù)計(jì)，由于美國(guó)對(duì)汽車征收關(guān)稅，到 2025 年銷量將減少 10%。該晶圓廠的 10 億歐元資金將推動(dòng)該公司對(duì)智能功率器件生產(chǎn)的 50 億歐元投資。這是歐盟芯片法案和 IPCEI ME/CT 創(chuàng)新計(jì)劃（微電子和通信技術(shù)方面歐洲共同利益的重要項(xiàng)目）資助的一部分，該計(jì)劃于 2 月通過德國(guó)政府獲得批準(zhǔn)?！拔覀兊闹悄茈?/li>
關(guān)鍵字：英飛凌晶圓廠歐盟芯片法案

英飛凌2EP EiceDRIVER? Power系列全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品全員到齊，收藏這篇就夠了！

英飛凌憑借其高性能功率開關(guān)器件和EiceDRIVER?列的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器而聞名，每個(gè)功率開關(guān)都需要驅(qū)動(dòng)器，對(duì)于驅(qū)動(dòng)器的選擇，英飛凌共有441個(gè)不同的型號(hào)（截止2025年1月16日），分別屬于非隔離型、電平位移型和采用無磁芯變壓器的隔離型。《好物下載丨《英飛凌柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)選型指南》——92頁(yè)產(chǎn)品信息和技術(shù)資料》為了實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)能力，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都需要電源。對(duì)于電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動(dòng)器，電源通常是由自舉電路提供。對(duì)于隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，需要一個(gè)同樣具有隔離功能的隔離電源供電。接下來，你將了解到我們的&
關(guān)鍵字：英飛凌

英飛凌SiC超結(jié)技術(shù)樹立新標(biāo)準(zhǔn)，加速電動(dòng)汽車普及與工業(yè)效率提升

英飛凌科技股份公司作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，始終以卓越性能與高可靠性相結(jié)合的解決方案引領(lǐng)行業(yè)。目前，CoolSiC?產(chǎn)品系列覆蓋了400 V至3.3 kV的電壓范圍，應(yīng)用領(lǐng)域包括汽車動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能及高功率牽引逆變器等?，F(xiàn)在，英飛凌又憑借豐富的SiC業(yè)務(wù)開發(fā)經(jīng)驗(yàn)以及在硅基電荷補(bǔ)償器件（CoolMOS?）領(lǐng)域的創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，推出了SiC溝槽型超結(jié)（TSJ）技術(shù)。ID-PAK封裝MDIP-04-01英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter W
關(guān)鍵字：英飛凌 SiC超結(jié)技術(shù)

英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電

近日，為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導(dǎo)通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進(jìn)固態(tài)保護(hù)與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強(qiáng)大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業(yè)和汽車應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠且高效的系統(tǒng)性能，包括固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數(shù)據(jù)中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機(jī)軟啟動(dòng)器、工業(yè)安全繼電器以及汽車電池隔離開關(guān)等。英飛凌科技零碳工業(yè)功率
關(guān)鍵字：英飛凌 CoolSiC JFET 固態(tài)配電

英飛凌與馬瑞利展示MEMS激光束掃描技術(shù)，用于汽車座艙設(shè)計(jì)

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司與全球頂尖汽車系統(tǒng)制造商馬瑞利宣布聯(lián)合推出創(chuàng)新的MEMS激光束掃描（LBS）系統(tǒng)，共同推進(jìn)汽車顯示技術(shù)的發(fā)展。這一基于英飛凌LBS技術(shù)的解決方案助力馬瑞利突破傳統(tǒng)顯示屏的限制，創(chuàng)造沉浸式的座艙體驗(yàn)。這項(xiàng)前沿技術(shù)已在2025上海車展的馬瑞利展臺(tái)首次亮相。英飛凌MEMS LBS系統(tǒng)目標(biāo)應(yīng)用場(chǎng)景英飛凌科技傳感器與射頻業(yè)務(wù)部門負(fù)責(zé)人Thomas Schafbauer博士表示：“汽車行業(yè)座艙設(shè)計(jì)對(duì)創(chuàng)新光學(xué)解決方案的需求正在加速增長(zhǎng)，英飛凌致力于比以往更快地為客
關(guān)鍵字：英飛凌馬瑞利上海車展 MEMS激光束掃描汽車座艙

英飛凌將參加PCIM Europe 2025，助力低碳化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型

英飛凌科技股份公司將在德國(guó)紐倫堡舉行的歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展（PCIM Europe 2025）上展示最新的半導(dǎo)體、軟件及工具解決方案，這些解決方案有助于解決當(dāng)前的環(huán)保與數(shù)字化轉(zhuǎn)型挑戰(zhàn)。公司將在7號(hào)展廳470號(hào)展臺(tái)展示豐富的功率器件產(chǎn)品組合中的重點(diǎn)產(chǎn)品，涵蓋硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等所有相關(guān)功率技術(shù)。以“數(shù)字低碳，共創(chuàng)未來”為主題，英飛凌將舉辦多場(chǎng)展示和演講，并提供與專家交流的機(jī)會(huì)。英飛凌將參加PCIM Europe 2025英飛凌將在PCIM 2025上重點(diǎn)展示：●?
關(guān)鍵字：英飛凌 PCIM Europe PCIM 低碳化

英飛凌以全面解決方案應(yīng)對(duì)智能座艙設(shè)計(jì)趨勢(shì)挑戰(zhàn)

智能座艙不僅是汽車智能化的重要組成部分，更是智能汽車與駕乘人員交互的核心應(yīng)用場(chǎng)景。隨著汽車電子電氣化結(jié)構(gòu)的發(fā)展和智能化方向的演進(jìn)，對(duì)智能座艙技術(shù)不斷提出全新的技術(shù)挑戰(zhàn)。在2025慕尼黑電子展現(xiàn)場(chǎng)，EEPW專門采訪了來自汽車半導(dǎo)體排名第一的英飛凌科技智能座艙負(fù)責(zé)人Robin Qiu，一起來暢談智能座艙技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)和英飛凌提供的全面解決方案。英飛凌在智能座艙方面擁有全面的產(chǎn)品和解決方案，涵蓋了微控制器、3D TOF傳感器和各種環(huán)境參數(shù)傳感器，以及各類投影芯片等。談到英飛凌產(chǎn)品和方案的特點(diǎn)，Robin Qi
關(guān)鍵字： 202505 英飛凌智能座艙 MCU

碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相

全社會(huì)都在積極推動(dòng)低碳化轉(zhuǎn)型，而低碳化的背后其實(shí)是電氣化。在新型電氣能源架構(gòu) 中，相比于從前，一次能源到終端用戶的能源轉(zhuǎn)換次數(shù)增多。雖然可再生能源是免費(fèi)的，但是這種多層級(jí)的能源轉(zhuǎn)換，每一步都會(huì)帶來一定的能耗損失，因此追求更高效的能源轉(zhuǎn)化效率至關(guān)重要。SiC正是功率半導(dǎo)體的能效提升技術(shù) ，它的出現(xiàn)滿足了低碳化時(shí)代兩大全新的市場(chǎng)需求：1能效創(chuàng)新： SiC技術(shù)在光伏、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心等大功率電源管理領(lǐng)域，能夠顯著
關(guān)鍵字：英飛凌碳化硅溝槽柵技

馬瑞利將采用英飛凌激光掃描顯示技術(shù)

Marelli 已簽署協(xié)議，將 Infineon Technologies 的激光束掃描（LBS）技術(shù)用于車載顯示器?；?MEMS 的 LBS 技術(shù)將使 Marelli 能夠在本周的上海車展上為其客戶創(chuàng)造身臨其境的駕駛艙體驗(yàn)，擺脫傳統(tǒng)顯示器的限制。Infineon MEMS LBS 系統(tǒng)完全符合汽車標(biāo)準(zhǔn)，具有抗沖擊和抗振動(dòng)能力，最高符合 ASIL-B 標(biāo)準(zhǔn)。芯片級(jí)封裝易于集成到各種應(yīng)用中，通過反射激光束創(chuàng)建具有大景深的無聚焦投影顯示，即使在高環(huán)境光條件下也能實(shí)現(xiàn)更亮的顯示。這簡(jiǎn)化了光學(xué)設(shè)計(jì)，降低了功
關(guān)鍵字：馬瑞利英飛凌激光掃描顯示技術(shù)

英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列

英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開關(guān)應(yīng)用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD?）較大，基于GaN的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可能產(chǎn)生較高的功率損耗。如果控制器的死區(qū)時(shí)間較長(zhǎng)，那么這種情況就會(huì)更加嚴(yán)重，導(dǎo)致效率低于目標(biāo)值。目前功率器件設(shè)
關(guān)鍵字：英飛凌肖特基二極管工業(yè)用 GaN 晶體管

OBC應(yīng)用中如何選擇一款合適的產(chǎn)品—碳化硅混合器件詳解

作者：李紀(jì)明、張浩、李劭陽(yáng)、徐宇暄應(yīng)用背景：隨著新能源汽車(xEV)的普及，車載充電機(jī)(OBC)得到了非常廣泛的應(yīng)用。OBC實(shí)現(xiàn)交流-直流的轉(zhuǎn)換，用于高壓電池充電，通常由兩級(jí)電路組成：PFC（完成AC功率因素校正和直流轉(zhuǎn)換）和HV DCDC（完成DC電壓調(diào)整）。高功率密度、高可靠性、高效率、高性價(jià)比等核心指標(biāo)一直是電源類產(chǎn)品包括OBC追逐的目標(biāo)，也是技術(shù)迭代與產(chǎn)品革新的方向。針對(duì)OBC應(yīng)用，英飛凌推出了一系列基于Si和SiC技術(shù)的器件，滿足了各種OBC應(yīng)用需求。應(yīng)用中如果成本是最重要的參數(shù)，T
關(guān)鍵字：英飛凌 OBC 碳化硅混合器件

共1783條 2/119 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

英飛凌介紹

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財(cái)年公司營(yíng)業(yè)額達(dá)71.9億歐元，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。作為國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業(yè)電子、內(nèi)存、計(jì)算機(jī)安全以及芯片卡市場(chǎng)提供先進(jìn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品及完整的系統(tǒng)解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發(fā)，全球共擁有41,000項(xiàng)專利。自從1996年在無錫建立 [ 查看詳細(xì) ]