英飛凌文章進入英飛凌技術社區(qū)

英飛凌成立新業(yè)務部門加強傳感器和射頻產(chǎn)品組合

全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日宣布成立一個新的業(yè)務部門，將當前的傳感器和射頻（RF）業(yè)務合并成一個專門的部門，從而推動公司在傳感器領域的發(fā)展。新成立的傳感器單元和射頻（SURF）業(yè)務部門隸屬于電源與傳感系統(tǒng)（PSS）事業(yè)部，并涵蓋之前的汽車和多市場傳感與控制相關業(yè)務。英飛凌科技傳感器單元與射頻業(yè)務部門負責人Thomas Schafbauer博士通過整合在傳感器和射頻技術領域的優(yōu)勢，英飛凌充分利用成本與研發(fā)的協(xié)同效應，加速創(chuàng)新并為客戶創(chuàng)造更大的價值，從而增強自身的競爭力和
關鍵字：英飛凌傳感器射頻

技術洞察 | 邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響

作者Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產(chǎn)品高級總監(jiān)校對宋清亮英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務高級首席工程師過去幾十年間，人口和經(jīng)濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長 [1] 。圖1：1910年以來
關鍵字：英飛凌 GaN

英飛凌2025財年開局略優(yōu)于預期，因匯率影響上調全年業(yè)績展望

●? ?2025財年第一季度：營收為34.24億歐元，利潤為5.73億歐元，利潤率 16.7%。●? ?2025財年第二季度展望：假設歐元兌美元匯率為1:1.05，預計營收約為36億歐元。在此基礎上，利潤率預計為14%~16%左右?！? ?2025財年展望：假設歐元兌美元匯率為1:1.05（之前為1:1.10），預計營收將與上一財年持平或略有增長（之前預測為較前一年度略有下降）。調整后的毛利率預計在40%左右，利潤率為14%~19%。預計投資額約
關鍵字：英飛凌 2025財年

英飛凌推出基于MEMS的集成式先進超聲波傳感器

英飛凌科技股份公司在開發(fā)電容式微機械超聲波傳感器（CMUT）技術方面取得重大進展。憑借這項技術，公司推出首款高度集成的單芯片解決方案，該方案基于微機電系統(tǒng)（MEMS）的超聲波傳感器，擁有更小的占板面積以及更強大的性能和功能，可廣泛用于開發(fā)新型超聲波應用和改進消費電子、汽車工業(yè)與醫(yī)療技術領域的現(xiàn)有應用。英飛凌科技高級總監(jiān)Emanuele Bodini表示：“英飛凌的超聲波技術可以實現(xiàn)很高的信噪比和集成度，因此我們認為該器件代表著行業(yè)的一大突破。我們希望利用這項技術開發(fā)出一個服務于不同行業(yè)多種應用場景的產(chǎn)品平
關鍵字：英飛凌 MEMS 超聲波傳感器

功率器件的熱設計基礎（一）---功率半導體的熱阻

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開通和關斷過程中和導通電流時會產(chǎn)生損耗，損失的能量會轉化為熱能，表現(xiàn)為半導體器件發(fā)熱，器件的發(fā)熱會造成器件各點溫度的升高。半導體器件的溫度升高，取決于產(chǎn)生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的風冷散熱
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計熱阻

功率器件的熱設計基礎（二）---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。第一講《功率器件熱設計基礎（一）----功率半導體的熱阻》，已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來了，那自然會想到熱阻也可以通過串聯(lián)和并聯(lián)概念來做數(shù)值計算。熱阻的串聯(lián)首先，我們來看熱阻的串聯(lián)。當兩個或多個導熱層依次排列，熱量依次通過
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計串聯(lián) 并聯(lián)

功率器件熱設計基礎（三）----功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯(lián)系實際，比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導熱脂層串聯(lián)構成的。各層都有相應的熱阻，這些熱阻是串聯(lián)的，總熱阻等于各熱阻之和，這是因為熱量在傳遞過程中，需要依次克服每一個熱阻，所以總熱阻就是
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計散熱器

功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個很復雜的問題，從芯片表面測量溫度，可以發(fā)現(xiàn)單個芯片溫度也是不均勻的。所以工程上設計一般可以取加權平均值或給出設計余量。這是一個MOSFET單管中的芯片，直觀可以看出芯片表面溫度是不一致的，光標1的位置與光標2位置溫度
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計溫度測試

功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。熱容熱容 C th 像熱阻 R th 一樣是一個重要的物理量，它們具有相似的量綱結構。熱容和電容，都是描述儲存能力物理量，平板電容器電容和熱容的對照關系如圖所示。平板電容器電容和熱容
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計功率半導體熱容

功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型

前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導熱材料串并聯(lián)時，就可以用阻容網(wǎng)絡來描述。一個帶銅基板的模塊有7層材料構成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個散熱通路還包括導熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時間尺度下
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計熱等效模型

功率器件熱設計基礎（九）——功率半導體模塊的熱擴散

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。任何導熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說，銅基板也會有額外的熱阻，那為什么實際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因為熱的橫向擴散帶來的好處。熱橫向擴散除了熱阻熱容，另一個影響半導體散熱的重要物理效應為熱的橫向傳
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計熱擴散

功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結構函數(shù)

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。為什么引入結構函數(shù)？在功率器件的熱設計基礎系列文章《功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法》和《功率半導體芯片溫度和測試方法》分別講了功率半導體結溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測試方法，用的
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計結構函數(shù)

功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結溫信息

前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。驅動IC電流越來越大，如采用DSO-8 300mil寬體封裝的EiceDRIVER? 1ED3241MC12H和1ED3251MC12H 2L-SRC緊湊型單通道隔離式柵極驅動器，驅動電流高達+/-18A，且具有兩級電壓變化率控制和有
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計熱系數(shù)

英飛凌推出用于智能有刷直流電機應用的新型MOTIX?全橋IC系列

隨著汽車行業(yè)的不斷發(fā)展，曾經(jīng)的高端功能如今已成為標配。因此，智能低壓電機在塑造未來汽車用戶體驗方面將發(fā)揮日益重要的作用。汽車制造商正在尋求更加可靠、節(jié)能、經(jīng)濟，同時在惡劣條件下也能正常工作的半導體解決方案。為滿足這一需求，英飛凌科技股份公司近日推出專為有刷直流電機應用設計的全橋/H橋集成電路（IC）產(chǎn)品系列——MOTIX??Bridge BTM90xx。新型BTM90xx?全橋IC不僅豐富了英飛凌的產(chǎn)品陣容，還補充了從驅動器IC到高度集成化系統(tǒng)級芯片（SoC）解決方案的MOTIX?低壓
關鍵字：英飛凌智能有刷直流電機有刷直流電機 MOTIX

英飛凌宣布合并傳感器和射頻業(yè)務

1月20日消息，日前，英飛凌科技股份公司宣布成立一個新的業(yè)務部門，將現(xiàn)有的傳感器和射頻（RF）業(yè)務合并為一個專門的組織，以推動公司在傳感器領域的發(fā)展。新的業(yè)務部門SURF（傳感器單元和射頻）將成為電源和傳感器系統(tǒng)（PSS）部門的一部分，并包括以前的汽車和多市場傳感與控制業(yè)務。通過結合其傳感器和射頻專業(yè)知識，英飛凌利用成本和研發(fā)協(xié)同效應加速創(chuàng)新和為客戶提供價值，從而增強其競爭力和上市方法。這一戰(zhàn)略舉措將利用傳感器和射頻市場的巨大市場潛力，預計到2027年將超過200億美元。新業(yè)務部門于2025年1月1日生效
關鍵字：英飛凌傳感器射頻

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英飛凌介紹

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財年公司營業(yè)額達71.9億歐元，是全球領先的半導體公司之一。作為國際半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的領導者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業(yè)電子、內存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導體產(chǎn)品及完整的系統(tǒng)解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發(fā)，全球共擁有41,000項專利。自從1996年在無錫建立 [ 查看詳細 ]