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rc-igbt 文章 最新資訊

英飛凌推出用于電動汽車的新一代高功率節(jié)能型IGBT和RC-IGBT芯片

  • 隨著純電動汽車（BEV）和插電式混合動力電動汽車（PHEV）銷量的快速增長，電動汽車市場的發(fā)展在不斷加速。預計到?2030?年，電動汽車的生產(chǎn)比例將實現(xiàn)兩位數(shù)增長，從2024年的20%增長至45%左右[1]。為滿足對高壓汽車IGBT芯片日益增長的需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出新一代產(chǎn)品，包括為400 V和800 V系統(tǒng)設計的?EDT3（第三代電力傳動系統(tǒng)）芯片，以及為?800 V?系統(tǒng)量身定制的RC-IGBT&nbs
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  RC-IGBT  

R課堂 | IGBT IPM的熱關斷保護功能（TSD）

  • 關鍵要點BM6337xS系列 配備了可監(jiān)控LVIC（Low Side Gate Driver）溫度的熱關斷電路，當LVIC的 T j 達到規(guī)定溫度以上時，熱關斷電路將啟動，會關斷下橋臂各相的IGBT，并輸出FO信號。在TSD已啟動的情況下，由于IGBT的 T j 已超過150°C的絕對最大額定值，因此需要更換IPM。該功能監(jiān)控的 T j 為LVIC芯片的 T j ，無法跟上IG
  • 關鍵字： 羅姆半導體  IGBT  IPM  熱關斷保護  

英飛凌ICE3PCS01G搭配IGBT高效率2.5KW空調電源方案

  • 這是一個用于測試 2.5 kW 功率因數(shù)校正 (PFC) 電路的平臺。它旨在評估使用 4 腳封裝的優(yōu)勢。 例如提高效率和信號質量，并展示了包括 PFC 控制器、MOSFET 驅動器和碳化硅二極管在內的完整 Infineon 解決方案。 文件中提供了關于如何使用該評估板、CoolMOS? C7 MOSFET 的性能表現(xiàn)以及四腳封裝的優(yōu)勢的信息，目標讀者是經(jīng)驗豐富的電源電子工程師和技術人員。 ? 評估板的目的與組成 ? 此評估板旨在評估TO-247 4針 CoolMOS
  • 關鍵字： 英飛凌  ICE3PCS01G  IGBT  空調電源  

能效升級新引擎！拆解IGBT的三大技術優(yōu)勢

  • 在消費電子市場高速發(fā)展的當下，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）已成為現(xiàn)代家電設備中不可或缺的核心器件。憑借其優(yōu)異的開關特性、低導通損耗及出色的熱管理能力，IGBT技術正持續(xù)推動家電產(chǎn)品能效升級。安世半導體推出的650 V G3 IGBT平臺產(chǎn)品，通過性能優(yōu)化與可靠性提升，為家電設備的高效化、節(jié)能化發(fā)展提供了關鍵解決方案。本文將聚焦家電設備的三大核心應用場景——電機拖動、PFC（功率因數(shù)校正）電路及感應加熱，深入解析安世半導體650 V G3 IGBT平臺的技術優(yōu)勢及其在家電領域的實際應用價值。1. 電機拖動1
  • 關鍵字： 安世半導體  IGBT  

詳解IGBT工作原理

  • 大家好，我是蝸牛兄，今天給大家分享的是：IGBT（絕緣柵雙極型晶體管)在實際應用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結型晶體管 BJT 和 MOS管。IGBT實物圖+電路符號圖你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體，IGBT具有 BJT 的輸入特性和 MOS 管的輸出特性。與 BJT 或 MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 的優(yōu)勢在于它提供了比標準雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高的工作電壓和更低的 MOS 管輸入損耗。一、什么是IGBT？IGBT 是絕緣柵雙
  • 關鍵字： IGBT  功率半導體  

IGBT 7 EconoDUAL? 3系列拓展帶焊接針產(chǎn)品

  • 英飛凌在此發(fā)布TRENCHSTOP? IGBT7 EconoDUAL? 3系列產(chǎn)品拓展，帶焊接針和帶預涂導熱材料版本(TIM)。產(chǎn)品型號：■ FF900R12ME7■ FF600R12ME7■ FF450R12ME7■ FF900R12ME7W■ FF750R17ME7DP_B11產(chǎn)品特點■ TRENCHSTOP? IGBT7■ 最高功率密度■ Tvj op=175°C過載■ 集成NTC溫度傳感器■ 絕緣基板應用價值■ 相同尺寸下輸出電流更大■ 避免并聯(lián)I
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  

R課堂 | IGBT IPM的錯誤輸出功能（FO）

  • 關鍵要點?FO引腳為錯誤輸出功能引腳，用于向外部通知內置保護功能的啟動情況，并會為自我保護而關斷下橋臂各相的IGBT。?FO輸出功能的信號輸出時間因已啟動的保護功能類型而異，因此可以判別已啟動了哪種保護功能。這是本機型產(chǎn)品所具備的功能。?FO引腳的輸入功能，通過在FO引腳上連接RC并調整時間常數(shù)，可以擴展下橋臂各相IGBT的關斷時間。?當FO輸出經(jīng)由隔離器件輸入至MCU時，在輸出時間隔離器件的傳輸延遲時間比FO輸出的L電平最短時間要長時，需要根據(jù)延遲情況來擴展FO輸出時間時，可使用該功能。本文將介紹“保護
  • 關鍵字： 羅姆半導體  IGBT  

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）

  • IGBT是一種功率開關晶體管，結合了MOSFET和BJT的優(yōu)點，用于電源和電機控制電路。絕緣柵雙極型晶體管（簡稱IGBT）是傳統(tǒng)雙極結型晶體管（BJT）和場效應晶體管（MOSFET）的交叉產(chǎn)物，使其成為理想的半導體開關器件。IGBT晶體管結合了這兩種常見晶體管的最佳部分，即MOSFET的高輸入阻抗和高開關速度以及雙極晶體管的低飽和電壓，并將它們結合在一起，產(chǎn)生另一種類型的晶體管開關器件，能夠處理大的集電極-發(fā)射極電流，而幾乎不需要門極電流驅動。典型絕緣柵雙極型晶體管?典型IGBT絕緣柵雙極型晶體
  • 關鍵字： 絕緣柵雙極型晶體管，IGBT  

英飛凌IGBT7系列芯片大解析

  • 上回書(英飛凌芯片簡史 http://www.bjwjmy.cn/article/202502/467026.htm)說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術更迭，標志性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2，溝槽柵+場截止結構的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?，F(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設計，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實現(xiàn)極低的導通壓降和優(yōu)
  • 關鍵字： IGBT  電力電子  

英飛凌芯片簡史

  • 話說公元2018年，IGBT江湖驚現(xiàn)第六代和第七代的掌門人，一時風頭無兩，各路吃瓜群眾紛紛猜測二位英雄的出身來歷。不禁有好事者梳理了一下英家這些年，獨領風騷的數(shù)代當家掌門人，分別是：呃，好像分不清這都誰是誰?呃，雖然這些IGBT“掌門人”表面看起來都一樣，但都是悶騷型的。只能脫了衣服，做個“芯”臟手術。。。像這樣，在芯片上，橫著切一刀看看。好像，有點不一樣了。。。故事，就從這兒說起吧。。。史前時代-PTPT是最初代的IGBT，它使用重摻雜的P+襯底作為起始層，在此之上依次生長N+ buffer，N- ba
  • 關鍵字： IGBT  芯片  

電子技術如何助力高鐵節(jié)能？

  • 鐵路與其他客運工具相比，能源效率高，據(jù)說其每單位運輸量的CO?排放量約為一般載客車輛的1/7。特別是在長距離運輸中，其差距更大，高速鐵路網(wǎng)對運輸基礎設施的節(jié)能有很大的推動作用。一直以來，高速鐵路網(wǎng)在發(fā)達國家運輸基礎設施中承擔著重要的作用，而近年來在新興發(fā)展中國家也出現(xiàn)了鋪設高鐵的動向。日本已經(jīng)實現(xiàn)高速鐵路網(wǎng)的實用化，擁有該項技術的國家則集聚官民各方力量，加強對正在探討鋪設的國家的推銷攻勢。在高鐵市場競爭過程中，除了高速性、安靜性、安全性之外，能否通過削減CO?實現(xiàn)碳中和等環(huán)境性能也成為需要納入視野的關鍵點
  • 關鍵字： 碳中和  逆變器  IGBT  

被神秘的FS7“附體”，解讀兩大最新功率模塊系列的“超能力”

  • 安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強功率半導體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技術，主要性能拉滿，形成業(yè)內獨特的領先優(yōu)勢。解密FS7“附體”的超能力眾所周知，IGBT是一種廣泛應用于電力電子領域的半導體器件，結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和雙極結型晶體管（BJT）的優(yōu)點，具有高輸入阻抗和低導通電壓降的特點。而安森美的Field Stop技術則是IGBT的一種改進技術，通過在器件的漂移區(qū)引入一個場截
  • 關鍵字： 功率半導體  onsemi  IGBT  

使用串聯(lián)和并聯(lián)RC和RL電路設計L形匹配網(wǎng)絡

  • 通過RC和RL電路的品質因子（Q因子）以及這些電路的串并聯(lián)轉換，了解L形阻抗匹配方程在本系列的前一篇文章中，我們學習了如何使用史密斯圓圖設計無源阻抗匹配網(wǎng)絡。除了使用這種圖形方法，還可以遵循分析方法并使用一些方程來獲得所需的匹配網(wǎng)絡。首先，在深入阻抗匹配方程之前，我們需要了解兩個基本概念：RC和RL電路的品質因子以及這些電路的串并聯(lián)轉換。RC和RL電路的品質因子定義用Q表示的術語品質因子可以用多種方式定義。當談論儲能裝置（即電容器或電感器）時，Q表示我們的儲能裝置有多接近理想。例如，理想的電容器不會耗散任
  • 關鍵字： 串聯(lián)，并聯(lián)，RC，RL，L形匹配網(wǎng)絡  

意法半導體先進的電隔離柵極驅動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能

  • 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調、工廠自動化、家電等工業(yè)電機驅動裝置的可靠性。新驅動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
  • 關鍵字： 意法半導體  電隔離柵極驅動器  IGBT  SiC MOSFET  

Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專為可持續(xù)發(fā)展、電動出行和數(shù)據(jù)中心應用而優(yōu)化設計

  • 為滿足電力電子系統(tǒng)對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求，功率元件正在不斷發(fā)展。為了向系統(tǒng)設計人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓撲結構以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件組合。這一新產(chǎn)品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸，旨在滿足可持續(xù)發(fā)展、電動汽車和數(shù)據(jù)中心等高增長細分市場的需求。高性能IGBT 7器件是太陽能逆變器、氫能生態(tài)系統(tǒng)、商用車和農用車以及更多電動飛機（MEA）中電源應用的關鍵構件
  • 關鍵字： Microchip  IGBT 7  功率器件  
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