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海力士 文章 最新資訊

ASML 和 SK hynix 在韓國的工廠組裝了業(yè)界首個“商用”High NA EUV 系統(tǒng)

  • ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配備 0.55 NA 鏡頭，實(shí)現(xiàn) 8 納米分辨率——而當(dāng)前 Low-NA EUV 工具的分辨率僅為 13 納米——使得單次曝光下晶體管尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提高 2.9 倍。雖然 Low-NA 工具可以通過昂貴的多重圖形匹配來達(dá)到這一效果，但 High-NA EUV 簡化了光刻步驟，盡管這帶來了新的技術(shù)挑戰(zhàn)。鑒于 High-NA EUV 機(jī)器的能力，芯片制造商可以避免雙重或三重 EUV 圖形匹配，因此 NXE:5200B 將首先用于快速推進(jìn)下一
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中國抨擊美國撤銷英特爾、三星和海力士的 VEU 授權(quán)

  • 周六，中國商務(wù)部回應(yīng)了美國撤銷英特爾、三星和海力士在中國制造業(yè)務(wù)的“驗(yàn)證最終用戶”（VEU）授權(quán)的決定。周五，美國商務(wù)部宣布將英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司、三星中國半導(dǎo)體有限公司和SK海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司從VEU名單中刪除。VEU 授權(quán)允許受美國限制的出口商將某些高科技民用物品運(yùn)送到預(yù)先批準(zhǔn)的實(shí)體，而無需為每批貨物單獨(dú)出口許可證。中國商務(wù)部將美國此舉描述為“出于美國的政治動機(jī)和自身利益”，并“將出口管制變成政治工具和武器”，以遏制中國在半導(dǎo)體技術(shù)方面的發(fā)展。該部還表示，美國。是“故意擾亂和破壞全球
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美國撤銷對三星、SK 海力士的中國芯片制造工具許可證：解碼市場影響

  • 三星和 SK 海力士雖然暫時免于美國政府入股的風(fēng)險，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進(jìn)口美國芯片制造設(shè)備——根據(jù) 路透社和 彭博社的數(shù)據(jù)，三星和 SK 海力士在中國遇到了新的障礙 。正如聯(lián)邦文件所示，報告表明撤銷將在 120 天后開始。報道補(bǔ)充說，值得注意的是，美國政府表示將批準(zhǔn)三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國現(xiàn)有晶圓廠的運(yùn)營，但不會批準(zhǔn)產(chǎn)能擴(kuò)張或技術(shù)升級。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經(jīng)在今年早些時候通過出售其大連工廠
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據(jù)報道，英偉達(dá)在 2025 年上半年驅(qū)動了 SK 海力士 27%的收入，鞏固了 AI 芯片合作

  • 作為英偉達(dá) HBM3 和 HBM3e 的關(guān)鍵供應(yīng)商，也是人工智能繁榮的主要受益者，SK 海力士在其最新發(fā)布的 2025 年半年度報告中展示了其強(qiáng)大的行業(yè)地位，突出了與美國芯片巨頭的緊密合作關(guān)系。據(jù) Yonhap News 報道，該公司僅從英偉達(dá)處在本年度上半年就據(jù)報道賺取了約 110 萬億韓元收入。值得注意的是，據(jù) SK 海力士提供的數(shù)據(jù)，Yonhap 報道稱，來自單個“主要客戶”的收入在 2025 年上半年達(dá)到了 108.9 萬億韓元。同期，SK 海力士合并總收入為 398.7 萬億
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SOCAMM 在 HBM 之后點(diǎn)燃新的內(nèi)存戰(zhàn)——三星和 SK 海力士加入競爭

  • 據(jù)稱，英偉達(dá)今年計劃采購高達(dá) 80 萬個 SOCAMM 單位，三大內(nèi)存巨頭之間一個新的戰(zhàn)場正在形成。美國美光似乎正在領(lǐng)先，據(jù)報道，美光已開始為英偉達(dá)生產(chǎn) SOCAMM 模塊。與此同時，三星和 SK 海力士正積極加入競爭。以下是他們最新的進(jìn)展。什么是 SOCAMM？如 Hansbiz 所述，SOCAMM（小型輪廓壓縮附加內(nèi)存模塊）是一種新型服務(wù)器內(nèi)存模塊，使用低功耗 DRAM（LPDDR），并針對現(xiàn)有 HBM 無法完全支持的負(fù)載。韓國 Herald 解釋說，SOCAMM 垂直堆
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據(jù)報道，2026 年 HBM 價格面臨兩位數(shù)下跌風(fēng)險，對 SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)

  • 隨著英偉達(dá)以及 Meta、谷歌等云巨頭加大 AI 投入，推動 HBM 需求增長，分析師警告明年可能面臨價格下跌。據(jù)高盛稱，經(jīng)濟(jì)日報報道，競爭加劇和供過于求可能導(dǎo)致 2026 年首次出現(xiàn) HBM 價格下跌——這對市場領(lǐng)導(dǎo)者 SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)。值得注意的是，據(jù)高盛稱，2026 年 HBM 價格可能下跌兩位數(shù)。此外，競爭加劇以及定價權(quán)向主要客戶轉(zhuǎn)移（SK hynix 受影響嚴(yán)重）可能擠壓該公司的利潤空間，高盛警告稱。根據(jù)高盛的預(yù)測，HBM 價格下降的趨勢可能歸因于主要參與者 HBM 比特供應(yīng)的顯著增加
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SK 海力士據(jù)報與英偉達(dá)、微軟合作推動定制 HBM4E，三星則與 HBM4 保持差距

  • 隨著三星加速 1c DRAM 開發(fā)，試圖在 HBM4 競爭中奪回失地，當(dāng)前領(lǐng)導(dǎo)者 SK 海力士正與科技巨頭合作推出定制 HBM 解決方案。據(jù)《 韓國經(jīng)濟(jì)日報 》報道，其首款定制 HBM——可能是 HBM4E——預(yù)計將在 2026 年下半年推出。報道顯示，SK 海力士已經(jīng)贏得了包括英偉達(dá)、微軟和高通在內(nèi)的主要客戶，使其成為定制和通用 AI 內(nèi)存市場的領(lǐng)先者。值得注意的是，SK 海力士最近開始根據(jù)客戶需求定制 HBM，報道補(bǔ)充說，英偉達(dá)緊張的生產(chǎn)進(jìn)度影響了其合作伙伴的選擇。定制 HBM 更
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消息稱 SK 海力士將獨(dú)家供應(yīng)英偉達(dá) 12 層 HBM3E 芯片

  • 3 月 18 日消息，據(jù)臺媒 digitimes 今日消息，SK 海力士預(yù)計將獨(dú)家供應(yīng)英偉達(dá) Blackwell Ultra 架構(gòu)芯片第五代 12 層 HBM3E，預(yù)期與三星電子、美光的差距將進(jìn)一步拉大。SK 海力士于去年 9 月全球率先開始量產(chǎn) 12 層 HBM3E 芯片，實(shí)現(xiàn)了最大 36GB 容量。12 層 HBM3E的運(yùn)行速度可達(dá) 9.6Gbps，在搭載四個 HBM 的 GPU 上運(yùn)行‘Llama 3 70B’大語言模型時每秒可讀取 35 次 700 億個整體參數(shù)的水平。去年 11 月，SK
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SK海力士推出首款自研CXL控制器：臺積電負(fù)責(zé)制造

  • 2月19日消息，據(jù)報道，SK海力士已經(jīng)準(zhǔn)備好首款自研CXL（Compute Express Link）控制器，支持CXL 3.0/3.1標(biāo)準(zhǔn)，由臺積電（TSMC）負(fù)責(zé)制造，選擇更為先進(jìn)的工藝。同時，SK海力士還在積極推進(jìn)2.5D和扇出晶圓級封裝（FOWLP）技術(shù)的開發(fā)，并計劃將相關(guān)芯片技術(shù)商業(yè)化。據(jù)消息透露，SK海力士計劃從2025年第一季度末開始批量生產(chǎn)基于CXL標(biāo)準(zhǔn)的DDR5內(nèi)存模塊，進(jìn)一步鞏固其在高端內(nèi)存市場的領(lǐng)先地位。CXL作為一種開放性的互聯(lián)協(xié)議，能夠?qū)崿F(xiàn)CPU與GPU、FPGA或其他加速器之間
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消息稱三星和 SK 海力士達(dá)成合作，聯(lián)手推動 LPDDR6-PIM 內(nèi)存

  • 12 月 3 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 昨日報道，三星電子和 SK 海力士正在合作標(biāo)準(zhǔn)化 LPDDR6-PIM 內(nèi)存產(chǎn)品。該合作伙伴關(guān)系旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲器標(biāo)準(zhǔn)化。報道提到，兩家公司已經(jīng)確定，有必要建立聯(lián)盟，以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱，三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進(jìn)行向聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會（JEDEC）注冊標(biāo)準(zhǔn)化的初步工作。目前正在討論每一個需要標(biāo)準(zhǔn)化項目的適當(dāng)規(guī)格。▲ 圖源三星PIM 內(nèi)存技術(shù)是一種將存儲和計
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消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦 HBM 等高利潤產(chǎn)品

  • 10 月 17 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r間昨日報道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦高利潤產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長點(diǎn)。SK 海力士今年減少了對 CIS 業(yè)務(wù)的研發(fā)投資，同時月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場份額，SK 海力士僅以 4% 排在第六位，遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競爭對手。同時，SK 海力
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SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達(dá)定制 HBM 內(nèi)存意向

  • IT之家 8 月 20 日消息，據(jù)韓媒 MK 報道，SK 海力士負(fù)責(zé) HBM 內(nèi)存業(yè)務(wù)的副總裁 Ryu Seong-soo 當(dāng)?shù)貢r間昨日在 SK 集團(tuán) 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達(dá)了希望 SK 海力士為其開發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達(dá)、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業(yè)進(jìn)行電話溝通，并為滿足這些企業(yè)的需
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AI 驅(qū)動企業(yè)級 SSD 價格及需求暴漲，SK 海力士擴(kuò)產(chǎn)應(yīng)對

  • IT之家 8 月 20 日消息，受人工智能（AI）服務(wù)器需求激增影響，企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）的價格飆升了 80% 以上。為滿足市場需求，SK 海力士及其子公司 Solidigm 正加速擴(kuò)產(chǎn) NAND 閃存。AI 熱潮持續(xù)升溫，不僅帶動了高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片需求，如今也正在推動企業(yè)級 SSD 市場快速增長。AI 服務(wù)器存儲的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級增長，企業(yè)紛紛搶購大容量 SSD，甚至不惜高價確保供應(yīng)。面對企業(yè)級 SSD 的旺盛需求，SK 海力士和 Solidigm 正優(yōu)先擴(kuò)大采用四層單元（QLC）技
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因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價 15~20%

  • IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見聞報道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價主要是因?yàn)?HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預(yù)計價格會有所上漲。▲ SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時候還有報道，SK 海力士等三大原廠采用 EUV
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三星工藝輸臺積電 還被海力士超越！芯片主管揭關(guān)鍵硬傷

  • 三星芯片良率不佳，先前爆出三星在試產(chǎn)Exynos 2500處理器時，最后統(tǒng)計出的良率竟為0%。新任芯片主管全永鉉（Jun Young-hyun） 在執(zhí)掌芯片事業(yè)的幾個月后，向員工示警需停止隱瞞或回避問題，如果不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。全永鉉發(fā)備忘錄，警告員工必須改變職場文化，強(qiáng)調(diào)應(yīng)停止隱瞞或回避問題，若不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。他直言，三星必須重建半導(dǎo)體特有的激烈辯論的文化，「如果我們依賴市場，沒恢復(fù)根本的競爭力，將陷入惡性循環(huán)，重蹈去年營運(yùn)的困境?！谷歉偁帉κ諷K海力士（SK Hynix）在AI內(nèi)存領(lǐng)域追趕，
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海力士介紹

海力士半導(dǎo)體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導(dǎo)體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。 價格操控與處份 200 [ 查看詳細(xì) ]

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