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一文帶你看懂英特爾的先進(jìn)制程工藝和高級(jí)系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)的全部細(xì)節(jié)... 1. 制程技術(shù)Intel 18A 英特爾18A制程節(jié)點(diǎn)正在按既定計(jì)劃推進(jìn)，首個(gè)外部客戶的流......
4 月 30 日消息，英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活動(dòng)中亮相，概述了公司在晶圓廠代工項(xiàng)目上的進(jìn)展。陳立武宣布，公司現(xiàn)在正在與即將......
今天，2025英特爾代工大會(huì)（Intel Foundry Direct Connect）開幕，英特爾分享了多代核心制程和先進(jìn)封裝技術(shù)的最新進(jìn)展，并宣布了全新的生態(tài)系統(tǒng)項(xiàng)目和合作關(guān)系。此外，行業(yè)領(lǐng)域齊聚一堂，探討英特爾的系......
先進(jìn)封裝被廣泛認(rèn)為是擴(kuò)展和超越摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)途徑。面對(duì)芯片擴(kuò)展的物理限制和工藝節(jié)點(diǎn)小型化步伐的放緩，先進(jìn)封裝通過系統(tǒng)級(jí)封裝 （SiP）、異構(gòu)集成和高密度互連實(shí)現(xiàn)計(jì)算性能和能效的持續(xù)改進(jìn)。臺(tái)積電的技術(shù)論壇即將舉行，據(jù)外......
據(jù)報(bào)道，日本電氣硝子（NEG）正在加快研發(fā)用于高效能半導(dǎo)體封裝的大型玻璃基板，并計(jì)劃在2026年實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)寬510×510mm玻璃基板的樣品出貨。這一尺寸相比目前主流的300mm玻璃基板有顯著提升。據(jù)日經(jīng)新聞（Nikkei）......
TSMC 展示了用于 AI 的集成穩(wěn)壓器 （IVR），其垂直功率密度是分立設(shè)計(jì)的五倍。最新的 AI 數(shù)據(jù)中心芯片需要 1000A 的電流，下一代芯片需要 2000A 或千瓦的功率。提供此類電流的一種關(guān)鍵方法是使用垂直功率......
日本參議院已通過法律修訂，使政府能夠收購 Rapidus 的股權(quán)，這是加強(qiáng)該國下一代半導(dǎo)體行業(yè)的更廣泛努力的一部分，這一步將使得日本政府可以通過法律收購Rapidus股權(quán)并加強(qiáng)對(duì)芯片戰(zhàn)略的控制，這也讓Rapidus可能成......
在該公司的北美技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展和海外運(yùn)營辦公室高級(jí)副總裁兼聯(lián)合首席運(yùn)營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點(diǎn)”。臺(tái)積電的策略是開發(fā) N3 工藝的多種變體，創(chuàng)建一個(gè)全面的、可定制......
4 月 26 日消息，據(jù)外媒 Tom's Hardware 昨日?qǐng)?bào)道，初創(chuàng)公司 Atum Works 最近宣稱，其納米級(jí) 3D 打印技術(shù)有望替代現(xiàn)有的生產(chǎn)流程，進(jìn)而將芯片制造成本降低 90%。不過，這項(xiàng)技術(shù)有一個(gè)......
4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺(tái)積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺(tái)積電沒有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個(gè)工藝缺陷率隨時(shí)間變化的趨勢(shì)。臺(tái)積電......
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