10納米制程節(jié)點(diǎn)

　　臺積電的16納米制程技術(shù)預(yù)定今年夏天量產(chǎn)，該公司也公布了眾所矚目的10納米制程計畫;10納米制程的邏輯閘密度會是16納米制程的2.1倍，速度提升 20%，功耗則降低40%。臺積電展示了采用10納米節(jié)點(diǎn)的256MByte容量SRAM，預(yù)計10納米節(jié)點(diǎn)將在2016年底開始生產(chǎn)，并透露有10家以 上的夥伴正進(jìn)行不同階段的設(shè)計。

　　“我們認(rèn)為10納米將會是持久技術(shù)節(jié)點(diǎn)，臺積電也將加速10納米制程進(jìn)度，我認(rèn)為這對產(chǎn)業(yè)界來說是一個很不錯的征兆;”Jones表示：“隨著10納米節(jié)點(diǎn)加速進(jìn)展──他們可能最后會邁向8納米節(jié)點(diǎn)──臺積電將拉近與英特爾(Intel)的差距，我認(rèn)為臺積電運(yùn)勢正好?！?/p>

　　Jone指出，臺積電已經(jīng)在16納米以及10納米技術(shù)投資115億至120億美元，這意味著該公司必須要有客戶到位;為了強(qiáng)化10納米制程的承諾，臺積電將在2016年第二季進(jìn)行一座新晶圓廠的10納米制程設(shè)備裝機(jī)，并將在本季在一座現(xiàn)有晶圓廠移入10納米設(shè)備。

　　英特爾將會是臺積電在10納米制程節(jié)點(diǎn)的主要競爭者，前者預(yù)期在接下來10~18個月量產(chǎn)10納米制程;而兩者之間的競爭重點(diǎn)或許不在于量產(chǎn)時程，而是英特 爾的設(shè)計實(shí)力以及制造技術(shù)方面的問題?！斑€不清楚誰會在16/14納米制程領(lǐng)先，但我認(rèn)為臺積電正積極嘗試在10納米節(jié)點(diǎn)超前;”Jone表示：“如果真是如此，臺積電追上了英特爾，屆時就要看臺積電的10納米與英特爾的10納米是否相同?！?/p>