近日，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML宣布，其新一代高數(shù)值孔徑EUV光刻機EXE:5200已正式出貨，標(biāo)志著該技術(shù)已準備好投入批量生產(chǎn)。

根據(jù)最新報道，美國與歐盟委員會主席簽署的貿(mào)易協(xié)定中，對進入美國的歐洲制造商品征收15%的關(guān)稅，但半導(dǎo)體制造設(shè)備等特定商品在零關(guān)稅安排下可享受豁免。這意味著ASML的設(shè)備在美國市場不會因關(guān)稅上漲而增加成本。報告指出，若對ASML設(shè)備征收15%的關(guān)稅，每臺DUV系統(tǒng)的成本將增加約1300萬美元，每臺EUV設(shè)備的成本將增加高達4000萬美元，這將大幅增加英特爾、三星和臺積電等企業(yè)的成本，削弱美國半導(dǎo)體制造業(yè)的競爭力。

ASML的首臺高數(shù)值孔徑EUV客戶已確認為英特爾，計劃用于其14A節(jié)點。相比之下，臺積電可能會推遲采用該技術(shù)，預(yù)計在其A14工藝節(jié)點上放棄使用該設(shè)備，而三星尚未設(shè)定采用時間表。ASML的EXE:5200系統(tǒng)專為大批量生產(chǎn)設(shè)計，生產(chǎn)率超過每小時200個晶圓，對于實現(xiàn)更高分辨率（<8nm）至關(guān)重要。

ASML一直在加速EUV技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，擴大生產(chǎn)規(guī)模，預(yù)計到2025年-2026年，年產(chǎn)EUV光刻機將達到90臺，DUV光刻機600臺。2024年主力出貨的TWINSCAN NXE: 3800E套刻精度為1.1nm，曝光速度30mJ/cm2，每小時曝光195片晶圓，年產(chǎn)量為170萬片。預(yù)計2025年出貨的NXE:4000F將以更高速度提供更大產(chǎn)能。