日前有報道稱，美光將在中科園區(qū)投資4000億新臺幣（約合900多億人民幣）建設A3、A5兩座晶圓廠，預計今年Q4季度開始生產最先進的1Znm工藝DRAM內存芯片，規(guī)劃的產能高達6萬片晶圓/月。

在當前內存價格連跌了三個季度、市場供需面臨不確定時，美光此時大舉增加投資擴產內存產能，此舉被業(yè)內人士視為內存價格進一步下滑的開始。

不過美光方面回應稱，A3工廠預計明年Q4季度完工，主要是擴建了無塵室，A5工廠目前還在尋找地點，尚無具體規(guī)劃，投資金額也不便透露。

美光強調，目前在全球的產能布局原則僅僅是提升制程工藝，重點是提升存儲產品的容量，但不會增加晶圓投片數量，換句話說就是美光增加內存投資也只是為了提升產品的容量，提高自家產品的競爭力，但是晶圓產能并不會增加，市場上的供需情況不會因為這些投資而變。

在擴建內存產能之前，美光前幾天還擴建了位于新加坡的Fab 10A閃存工廠，新蓋了無塵室等生產設施，提高了Fab 10晶圓廠的生產靈活性，但美光同樣強調并不打算增產NAND，通過資本開支調整、技術轉換等方式，F(xiàn)ab 10廠區(qū)的總產能不變。