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論壇
良率
臺(tái)積電2納米良率飆90% 英特爾「同等級(jí)產(chǎn)品」曝光
EDA/PCB
臺(tái)積電
2納米
良率
英特爾
|
2025-06-13
三星的3nm良率停留在50%，遠(yuǎn)低于臺(tái)積電的90%
EDA/PCB
三星
3nm
良率
臺(tái)積電
|
2025-05-30
中芯用舊機(jī)器生產(chǎn)華為5納米 預(yù)估良率20%
手機(jī)與無線通信
華為
5納米
良率
中芯
|
2025-05-29
良率提高 三星接近從NVIDIA、Qualcomm獲得2nm訂單
EDA/PCB
良率
三星
NVIDIA
Qualcomm
|
2025-05-13
iPhone 18首發(fā)！蘋果A20芯片基于臺(tái)積電2nm制造：良率遠(yuǎn)超預(yù)期
手機(jī)與無線通信
iPhone 18
首發(fā)
蘋果
A20芯片
臺(tái)積電
2nm
良率
|
2025-03-24
臺(tái)積電2nm良率提高6%：可為客戶節(jié)省數(shù)十億美元
EDA/PCB
臺(tái)積電
良率
2nm
|
2024-12-06
三星 Exynos 2600芯片前景堪憂：良率挑戰(zhàn)嚴(yán)峻，有被取消量產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)
EDA/PCB
三星
Exynos 2600
芯片
良率
|
2024-11-25
三星陷入良率困境，晶圓代工生產(chǎn)線關(guān)閉超30%
三星
3nm
良率
晶圓
代工
臺(tái)積電
|
2024-11-07
HBM3e 12hi面臨良率和驗(yàn)證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過剩仍待觀察
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
HBM3e 12hi
良率
驗(yàn)證
HBM
TrendForce
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2024-10-08
三星3納米良率慘爆一度0％？
EDA/PCB
三星
3納米
良率
|
2024-07-11
曝三星3nm良率僅20%！但仍不放棄Exynos 2500
EDA/PCB
三星
3nm
良率
Exynos 2500
|
2024-06-24
良率不及臺(tái)積電4成！三星2代3nm制程爭(zhēng)奪英偉達(dá)訂單失敗
EDA/PCB
良率
臺(tái)積電
三星
3nm
英偉達(dá)
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2024-05-23
拼命追趕還是慘輸臺(tái)積電 三星3納米最新良率曝光
EDA/PCB
臺(tái)積電
三星
3納米
良率
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2024-03-28
4~5nm良率逐漸穩(wěn)定，客戶訂單增加？三星回應(yīng)
EDA/PCB
5nm
良率
晶圓代工
三星
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2023-04-19
5nm以下工藝良率低 三星：將尋找中國客戶
EDA/PCB
5nm
良率
三星
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2022-03-18
4nm良率僅為三成 三星晶圓代工疑出現(xiàn)“良品率造假”
EDA/PCB
4nm
良率
三星晶圓代工
|
2022-02-28
iPhone 14疑似無緣3nm芯片 或因良率過低
手機(jī)與無線通信
iPhone 14
3nm
良率
|
2022-02-28
臺(tái)積電3nm良率難提升 多版本3nm工藝在路上
EDA/PCB
臺(tái)積電
3nm
良率
|
2022-02-23
臺(tái)積電披露5納米制程最新進(jìn)展：測(cè)試良率超過8成
臺(tái)積電
5納米
良率
|
2019-12-18
泛林集團(tuán)邊緣良率產(chǎn)品組合推出新功能
EDA/PCB
晶圓
良率
|
2019-12-09
利用縫隙抑制型鎢填充接觸區(qū)工藝來降低良率損失
元件/連接器
化學(xué)氣相沉積
良率
化學(xué)機(jī)械拋光
|
2017-06-06
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創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽
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