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海力士
SOCAMM 在 HBM 之后點(diǎn)燃新的內(nèi)存戰(zhàn)——三星和 SK 海力士加入競(jìng)爭(zhēng)
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
英偉達(dá)
存儲(chǔ)
三星
海力士
SOCAMM
|
2025-07-23
據(jù)報(bào)道，2026 年 HBM 價(jià)格面臨兩位數(shù)下跌風(fēng)險(xiǎn)，對(duì) SK hynix 構(gòu)成挑戰(zhàn)
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
HBM
內(nèi)存
海力士
|
2025-07-18
SK 海力士據(jù)報(bào)與英偉達(dá)、微軟合作推動(dòng)定制 HBM4E，三星則與 HBM4 保持差距
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
三星
海力士
英偉達(dá)
HBM4E
|
2025-06-20
消息稱(chēng) SK 海力士將獨(dú)家供應(yīng)英偉達(dá) 12 層 HBM3E 芯片
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
SK
海力士
英偉達(dá)
HBM3E 芯片
|
2025-03-18
SK海力士推出首款自研CXL控制器：臺(tái)積電負(fù)責(zé)制造
元件/連接器
海力士
CXL
臺(tái)積電
|
2025-02-19
消息稱(chēng)三星和 SK 海力士達(dá)成合作，聯(lián)手推動(dòng) LPDDR6-PIM 內(nèi)存
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
三星電子
SK 海力士
內(nèi)存
|
2024-12-03
消息稱(chēng) SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務(wù)規(guī)模，全力聚焦 HBM 等高利潤(rùn)產(chǎn)品
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
SK 海力士
CIS
HBM
內(nèi)存
|
2024-10-17
SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達(dá)定制 HBM 內(nèi)存意向
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
海力士
HBM
內(nèi)存
|
2024-08-20
AI 驅(qū)動(dòng)企業(yè)級(jí) SSD 價(jià)格及需求暴漲，SK 海力士擴(kuò)產(chǎn)應(yīng)對(duì)
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
AI
存儲(chǔ)
海力士
|
2024-08-20
因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價(jià) 15~20%
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
海力士
HBM
存儲(chǔ)
|
2024-08-13
三星工藝輸臺(tái)積電 還被海力士超越！芯片主管揭關(guān)鍵硬傷
EDA/PCB
三星
臺(tái)積電
海力士
|
2024-08-05
SK 海力士加大環(huán)保投入，在芯片生產(chǎn)工藝中使用氟氣替代三氟化氮
EDA/PCB
SK
海力士
芯片
生產(chǎn)工藝
氟氣
三氟化氮
|
2024-07-25
SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)
EDA/PCB
SK
海力士
HBM
混合鍵合技術(shù)
|
2024-07-17
消息稱(chēng)三星電子、SK 海力士分別考慮申請(qǐng) 5/3 萬(wàn)億韓元低息貸款，擴(kuò)張運(yùn)營(yíng)
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
三星電子
SK 海力士
|
2024-07-01
通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱(chēng)三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率維持 80~90%
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
DRAM
閃存
三星
海力士
|
2024-06-19
半導(dǎo)體后端工藝｜第七篇：晶圓級(jí)封裝工藝
EDA/PCB
海力士
封裝工藝
|
2024-06-03
SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)已超兩成用于 HBM 內(nèi)存
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
海力士
三星
DRAM
|
2024-05-14
AI硬件核心HBM，需求爆發(fā)增長(zhǎng)
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
三星
海力士
美光
HBM
|
2024-05-09
三大存儲(chǔ)原廠財(cái)報(bào)出爐！
國(guó)際視野
美光
海力士
西部數(shù)據(jù)
|
2024-04-30
SK海力士發(fā)布2024財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
海力士
SK
財(cái)報(bào)
|
2024-04-25
SK海力士與臺(tái)積電攜手加強(qiáng)HBM技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
海力士
HBM
臺(tái)積電
|
2024-04-19
SK海力士超高性能AI存儲(chǔ)器‘HBM3E’，全球首次投入量產(chǎn)并開(kāi)始向客戶(hù)供貨
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
SK
海力士
存儲(chǔ)
AI
|
2024-03-19
鎧俠愿意為SK海力士生產(chǎn)芯片
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
鎧俠
SK 海力士
|
2024-02-19
1年利潤(rùn)暴跌84.9%！三星樂(lè)觀 今年業(yè)績(jī)回暖：存儲(chǔ)漲價(jià)是開(kāi)始
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
存儲(chǔ)
三星
鎂光
海力士
NAND
|
2024-02-01
后疫情時(shí)代需求爆發(fā)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新的曙光
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
美光
三星
海力士
|
2024-01-05
你所需要知道的HBM技術(shù)
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
HBM
DDR
AI
GPU
美光
海力士
|
2023-12-22
消息稱(chēng) SK 海力士與三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額差距已縮小至 4.4%
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
三星
DRAM
海力士
|
2023-12-04
三季度全球 DRAM 銷(xiāo)售額達(dá) 132.4 億美元，連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng)
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
DRAM
閃存
三星
海力士
|
2023-11-30
存儲(chǔ)器報(bào)價(jià) 明年H1抬頭
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
存儲(chǔ)器
三星
海力士
|
2023-11-14
全面暫停生產(chǎn)！知名半導(dǎo)體大廠宣布倒閉，虧損超8倍
嵌入式系統(tǒng)
海力士
半導(dǎo)體
通信
|
2023-10-10
三星和海力士中國(guó)工廠獲得美國(guó)無(wú)限期豁免
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
三星
海力士
|
2023-10-10
消息稱(chēng)三星和 SK 海力士改進(jìn) HBM 封裝工藝，即將量產(chǎn) 12 層產(chǎn)品
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
三星
海力士
內(nèi)存
|
2023-09-12
HBM：高帶寬內(nèi)存吸引各大科技巨頭搶購(gòu)的“魔力”到底是什么？
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
HBM
高帶寬
內(nèi)存
海力士
三星
美光
|
2023-07-27
海力士競(jìng)逐 HBM 市場(chǎng)份額，正計(jì)劃將擴(kuò)建其產(chǎn)能并使產(chǎn)能翻倍
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
businesskorea
SK
海力士
HBM3
英偉達(dá)
HBM3E
|
2023-06-19
海力士完成業(yè)界首個(gè) 1bnm DDR5 服務(wù)器 DRAM 兼容性驗(yàn)證流程
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
海力士
DDR5
|
2023-05-30
DDR5：SK 海力士暫時(shí)領(lǐng)先，但三星不容小覷
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
DDR5
SK 海力士
|
2023-05-18
韓國(guó)半導(dǎo)體正在受經(jīng)濟(jì)大衰退和美國(guó)對(duì)華政策的雙重打擊
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
三星
SK 海力士
|
2023-03-07
異構(gòu)集成時(shí)代半導(dǎo)體封裝技術(shù)的價(jià)值
EDA/PCB
海力士
異構(gòu)集成
半導(dǎo)體封裝
|
2023-02-14
三星電子 DS 部門(mén)與 SK 海力士仍決定發(fā)放高額獎(jiǎng)金，利潤(rùn)大幅下滑也發(fā)
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
三星
海力士
|
2023-02-02
SK 海力士開(kāi)發(fā) 1anm DDR5 DRAM，兼容第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器
網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ)
海力士
DDR5
|
2023-01-13
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