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NAND Flash強(qiáng)勢(shì)不墜模塊廠9月?tīng)I(yíng)收將再寫(xiě)新高

　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋(píng)果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲(chǔ)器的帶動(dòng)，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元，存儲(chǔ)器模塊廠9月?tīng)I(yíng)收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高，同時(shí)第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月?tīng)I(yíng)收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見(jiàn)也受惠歐洲市場(chǎng)買(mǎi)氣回籠，9月預(yù)計(jì)可達(dá)新臺(tái)幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月?tīng)I(yíng)收預(yù)估可達(dá)35億~40億元，勁永9月?tīng)I(yíng)收也將維持高檔不墜。　　NAND Flash現(xiàn)貨
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三星DRAM芯片停止對(duì)臺(tái)供貨

　　三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)上任，營(yíng)運(yùn)策略出現(xiàn)不少重大轉(zhuǎn)變，將影響存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對(duì)臺(tái)銷(xiāo)售DRAM芯片，一律只銷(xiāo)售DRAM模塊。存儲(chǔ)器廠表示，三星策略明顯側(cè)重OEM市場(chǎng)，減少與現(xiàn)貨客戶(hù)合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費(fèi)性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對(duì)于DRAM模塊需求強(qiáng)勁，三星供應(yīng)臺(tái)灣DRAM模塊數(shù)量大減，市場(chǎng)日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價(jià)。　　存儲(chǔ)器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
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NAND Flash強(qiáng)勢(shì)不墜　模塊廠9月?tīng)I(yíng)收將再寫(xiě)新高

　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋(píng)果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲(chǔ)器的帶動(dòng)，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元，存儲(chǔ)器模塊廠9月?tīng)I(yíng)收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高，同時(shí)第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月?tīng)I(yíng)收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見(jiàn)也受惠歐洲市場(chǎng)買(mǎi)氣回籠，9月預(yù)計(jì)可達(dá)新臺(tái)幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月?tīng)I(yíng)收預(yù)估可達(dá)35億~40億元，勁永9月?tīng)I(yíng)收也將維持高檔不墜。　　NAND Flash現(xiàn)貨
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數(shù)據(jù)中心和企業(yè)IT需求將推動(dòng)SSD增長(zhǎng)六倍

　　據(jù)iSuppli 公司，雖然2009 年面向筆記本電腦的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)銷(xiāo)售因?yàn)閮?nèi)存價(jià)格飛漲而受挫，但企業(yè)市場(chǎng)對(duì)彌補(bǔ)上述領(lǐng)域的疲軟表現(xiàn)是綽綽有余，從而推動(dòng)今年整體SSD 市場(chǎng)的營(yíng)業(yè)收入將增長(zhǎng)六倍。　　第二季度NAND 閃存的成本大幅上升，引起SSD 價(jià)格跳漲，使其與硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)相比缺乏競(jìng)爭(zhēng)力，并影響其在筆記本電腦中的普及。 NAND 閃存是SSD 中的關(guān)鍵部分，約占其價(jià)值的90%。然而，對(duì)于尋求擴(kuò)展功能和降低整體功耗的企業(yè)數(shù)據(jù)中心來(lái)說(shuō)，SSD 仍然是一個(gè)具有吸引力的選擇。　　由于企業(yè)
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IC資本支出依然謹(jǐn)慎供應(yīng)收緊價(jià)格上漲

　　分析師指出，資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場(chǎng)供應(yīng)收緊，價(jià)格可能隨之上漲，但可能會(huì)發(fā)生其他不可預(yù)料的結(jié)果。　　IC Insights總裁Bill McClean稱(chēng)，今年半導(dǎo)體資本支出在銷(xiāo)售額中所占的比例降至12%，創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)歷了嚴(yán)重衰退后，對(duì)資本投入依然比較謹(jǐn)慎。　　“我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說(shuō)道，“我們從來(lái)沒(méi)有遇到過(guò)這種情況。” 　　資本支出比例在2008年為16%，2004年至2007年均在20%至
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東芝Sandisk計(jì)劃明年啟用2xnm制程量產(chǎn)閃存芯片

　　據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計(jì)劃要在明年下半年開(kāi)始采用20nm級(jí)別制程來(lái)量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能，直至達(dá)到20萬(wàn)片的產(chǎn)能水平。　　東芝公司最近已經(jīng)開(kāi)始32nm制程3bpc(每存儲(chǔ)單元3bit數(shù)據(jù))閃存芯片的量產(chǎn)，按原先的計(jì)劃，合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產(chǎn)量應(yīng)在今年底前達(dá)到總產(chǎn)量的50%左右，不過(guò)按目前的產(chǎn)能規(guī)劃來(lái)看，實(shí)際的量產(chǎn)實(shí)施時(shí)間看來(lái)已經(jīng)會(huì)有所拖延。　　另一方面，對(duì)手In
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NAND Flash缺貨潮11月前無(wú)解　大廠產(chǎn)能全被包下

　　蘋(píng)果意外在9月初向NAND Flash大廠下訂單，導(dǎo)致NAND Flash供給大幅吃緊，預(yù)計(jì)在2009年11月底之前，缺貨情況仍無(wú)解?，F(xiàn)在三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)產(chǎn)能都被蘋(píng)果包下來(lái)，另外存儲(chǔ)器模塊龍頭大廠金士頓(Kingston)則是包下英特爾70%的NAND Flash產(chǎn)能，雙方成為長(zhǎng)期合作伙伴，顯示未來(lái)全球4大NAND Flash廠能釋出的產(chǎn)能相當(dāng)少，缺貨潮將延燒到11月。　　存儲(chǔ)器業(yè)者表示，這次NAND Flash缺貨潮相
關(guān)鍵字：英特爾 NAND 存儲(chǔ)器

DRAM廠和模塊廠誤判情勢(shì)　DDR2供貨吃緊

　　2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際，各廠紛紛壓寶氣勢(shì)如虹的DDR3氣勢(shì)，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現(xiàn)在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)，DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故，市場(chǎng)意外出現(xiàn)缺貨聲浪，DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢(shì)，導(dǎo)致現(xiàn)在DDR2庫(kù)存過(guò)低，南亞科副總白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺貨問(wèn)題將更明顯浮上臺(tái)面，且由合約價(jià)蔓延至現(xiàn)貨價(jià)，屆時(shí)1Gb DDR2現(xiàn)貨價(jià)格將看到2美元。　　近期市場(chǎng)傳言，三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價(jià)格壓在1.7美
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手機(jī)內(nèi)建NAND Flash風(fēng)潮

　　手機(jī)搭載記憶體分為2種形式，第1是外接快閃記憶卡，第2是內(nèi)建NAND Flash記憶體。隨著消費(fèi)者對(duì)于利用手機(jī)下載多媒體影音、照片、游戲等需求日益提升，對(duì)于記憶體容量的需求更是越來(lái)越高。　　過(guò)去只流行數(shù)位相片的時(shí)代，NAND Flash容量可能只要1GB或2GB即相當(dāng)夠用，但數(shù)位影片的風(fēng)氣盛行后，這樣的低容量產(chǎn)品已無(wú)法滿(mǎn)足消費(fèi)者的需求，因此除了外接快閃記憶卡之外，內(nèi)建NAND Flash記憶體的風(fēng)潮已開(kāi)始發(fā)酵，從最早內(nèi)建4GB和8GB容量記憶體，現(xiàn)在內(nèi)建記憶體容量已提升至16GB和32GB。　
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全球IC市場(chǎng)V形反彈已啟動(dòng) 增長(zhǎng)勢(shì)頭將延續(xù)至2011年

　　市場(chǎng)研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷(xiāo)售額和出貨量分別增長(zhǎng)98%和67%，其他產(chǎn)品的業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)也十分健康，這說(shuō)明產(chǎn)業(yè)已調(diào)頭撞向V形反彈的上升階段。　　從今年1月到7月，IC市場(chǎng)銷(xiāo)售額增長(zhǎng)了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷(xiāo)售額分別增長(zhǎng)61%、57%和50%。　　爆炸式的增長(zhǎng)率當(dāng)然也與今年1月半導(dǎo)體市場(chǎng)業(yè)績(jī)達(dá)到此輪衰退的最低點(diǎn)有關(guān)。　　“IC產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇并不會(huì)是緩慢的，而是V形增長(zhǎng)，目前上升周期已經(jīng)開(kāi)始。”IC Insights分析師
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三星NAND Flash供貨臺(tái)廠銳減50%

　　近日三星電子(Samsung Electronics)緊急通知臺(tái)系存儲(chǔ)器模塊廠，9月對(duì)于臺(tái)廠NAND Flash供貨量將銳減50%，迫使部分存儲(chǔ)器模塊廠大老板緊急前往韓國(guó)調(diào)貨;無(wú)獨(dú)有偶地，美光(Micron)日前亦告知客戶(hù)無(wú)貨可供應(yīng)，加上原本供貨量有限的東芝(Toshiba)和海力士(Hynix)，目前NAND Flash產(chǎn)能呈現(xiàn)嚴(yán)重不足。存儲(chǔ)器業(yè)者透露，主要是蘋(píng)果(Apple)iPhone和iPod不斷追加訂單，加上手機(jī)大廠內(nèi)建NAND Flash容量倍增，使得NAND Flash產(chǎn)能幾乎被消費(fèi)性大
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存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情

　　DRAM價(jià)格趨于穩(wěn)定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺(tái)廠面對(duì)這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔(dān)心三星電子(Samsung Electronics)會(huì)從中作梗，破壞DRAM價(jià)格漲勢(shì)，然現(xiàn)在蘋(píng)果(Apple)強(qiáng)勁追加NAND Flash訂單，且隨著智能型手機(jī)價(jià)格平民化的趨勢(shì)，未來(lái)內(nèi)建高容量存儲(chǔ)器普及，都讓各界相當(dāng)看好2010年NAND Flash市場(chǎng)前景，三星在喜迎蘋(píng)果大單之余，也無(wú)暇與臺(tái)系DRAM廠廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。　　2009 年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)觸
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Flash M25P64驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)與應(yīng)用

M25P64是一款8 M字節(jié)串行Flash存儲(chǔ)器。利用其諸多特性可為大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)提供一種解決方案。介紹了M25P64的主要特點(diǎn)，工作原理，驅(qū)動(dòng)程序的開(kāi)發(fā)以及典型應(yīng)用實(shí)例。在其典型應(yīng)用實(shí)例中，基于SPI接口的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
系統(tǒng)能簡(jiǎn)單有效穩(wěn)定運(yùn)行。
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基于CCS的DSP片外Flash直接燒寫(xiě)設(shè)計(jì)

要可靠啟動(dòng)DSP系統(tǒng)中用戶(hù)代碼，關(guān)鍵是Flash正確可靠燒寫(xiě)。提出了一種基于CCS簡(jiǎn)單、容易理解的直接燒寫(xiě)方法。通過(guò)恰當(dāng)設(shè)置COFF代碼段，保存運(yùn)行地址必需的DATA，以在線編程的方式將保存的DATA燒寫(xiě)到外部Flash中。采用TMS320C6711 DSP試驗(yàn)板，對(duì)Flash燒寫(xiě)上電加載后，DSP能夠正確、穩(wěn)定的運(yùn)行。給出了直接燒寫(xiě)方法，操作簡(jiǎn)便，容易掌握，為DSP系統(tǒng)中Flash的燒寫(xiě)提供了一條有效解決途徑。
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美光或收購(gòu)Numonyx Intel脫離NAND市場(chǎng)？

　　根據(jù)國(guó)外媒體爆料，NAND閃存芯片制造商以及英特爾的合作伙伴美光科技可能會(huì)收購(gòu)英特爾投資的NOR閃存制造商N(yùn)umonyx。　　這將使得英特爾能夠擺脫掉Numonyx，而美光則可以藉此進(jìn)入NOR閃存業(yè)務(wù)，并獲得Numonyx的phase-change memory技術(shù)。　　Numonyx是英特爾的合資公司，英特爾擁有其45%的股份，意法半導(dǎo)體持股49%。金融服務(wù)公司Francisco Partners持有其余股份，并在Numonyx 2008年成立時(shí)投資了1.5億美元。閃存業(yè)務(wù)對(duì)英特爾和意法半導(dǎo)
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]