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探索安森美（onsemi）并聯(lián)SiC Cascode JFET技術(shù)及其在高效功率轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

簡(jiǎn)介：本白皮書(shū)重點(diǎn)介紹了安森美（onsemi）的并聯(lián)SiC Cascode JFET技術(shù)，以及它如何應(yīng)用于實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換。通過(guò)和Si MOSFET、IGBT等傳統(tǒng)器件對(duì)比，SiC Cascode JFET能夠在高溫、高頻率條件下提供更低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和更快的開(kāi)關(guān)速度，顯著提升系統(tǒng)整體效能。同時(shí)本文通過(guò)詳細(xì)的圖表和實(shí)例分析，展示了不同應(yīng)用場(chǎng)景下的最佳實(shí)踐案例，包括可用于AI服務(wù)器的UPS電源以及電動(dòng)汽車（EV）充電站的解決方案等。通過(guò)安森美的SiC Cascode JFET并聯(lián)技術(shù)，可以優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)，大幅提升基于SiC的功率電子設(shè)備的可靠性和效率，推動(dòng)下一代高效能電源設(shè)計(jì)的發(fā)展。

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