nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

日本半導(dǎo)體和液晶生產(chǎn)復(fù)蘇廠家暑期加班應(yīng)對

　　據(jù)日本媒體報(bào)道，日本近期半導(dǎo)體和液晶面板的生產(chǎn)水平得到回升，大型電器生產(chǎn)廠家紛紛決定利用暑期休假時(shí)間加班加點(diǎn)進(jìn)行生產(chǎn)。由于環(huán)保積分制度促進(jìn)數(shù)碼家電銷量增長等因素，市場需求得到恢復(fù)，庫存調(diào)整也取得進(jìn)展。生產(chǎn)水平的回升一旦上了軌道，這些企業(yè)的業(yè)績有望得到好轉(zhuǎn)，也可能為日本國內(nèi)經(jīng)濟(jì)帶來一股活力。　　在液晶生產(chǎn)領(lǐng)域擁有主導(dǎo)權(quán)的夏普公司旗下龜山第二工廠的液晶面板生產(chǎn)線暑期照常開工。該工廠從8月起將液晶面板產(chǎn)能提高約10%，在建中的堺市新工廠也將于10月起按預(yù)定計(jì)劃開工。　　東芝公司旗下生產(chǎn)用于手機(jī)等的&
關(guān)鍵字：夏普液晶面板半導(dǎo)體 NAND

基于FPGA的高速大容量FLASH存儲(chǔ)

基于FPGA的高速大容量FLASH存儲(chǔ),1、引言
數(shù)字電路應(yīng)用越來越廣泛，傳統(tǒng)通用的數(shù)字集成芯片已經(jīng)難以滿足系統(tǒng)的功能要求，隨著系統(tǒng)復(fù)雜程度的提高，所需通用集成電路的數(shù)量呈爆炸性增值，使得電路的體積膨大，可靠性難以保證 [1]。因而出現(xiàn)了現(xiàn)場可編
關(guān)鍵字： FLASH 存儲(chǔ) 大容量高速 FPGA 基于

一種基于DSP和MCU的雙CPU數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)設(shè)計(jì)

關(guān)鍵字： DSP MCU 主機(jī)接口 FLASH

R8C/1B單片機(jī)的Flash編程/擦除掛起功能

　　Flash存儲(chǔ)器已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。但是在對Flash進(jìn)行編程或擦除的操作過程中，如果單片機(jī)需要處理一些緊急的情況(如中斷、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等等)，就需要暫停相對比較消耗時(shí)間的Flash編程/擦寫過程，優(yōu)先處理這些緊急情況。這對Flash存儲(chǔ)器的工藝水平及控制技術(shù)提出了更高的要求。　　瑞薩公司推出的R8C/1B單片機(jī)采用改進(jìn)的Flash存儲(chǔ)器工藝，大大縮短了編程/擦除掛起的時(shí)間，使其能夠更加及時(shí)地響應(yīng)中斷或進(jìn)行其他操作。　　Flash編程/擦除掛起功能　　所謂掛起功能，是
關(guān)鍵字：瑞薩 R8C Flash

東芝大砍6成芯片支出轉(zhuǎn)加強(qiáng)電力及基礎(chǔ)建設(shè)

　　8月6日消息，日本芯片制造業(yè)龍頭東芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片業(yè)務(wù)資本支出增長將減緩，并尋求擴(kuò)張核能發(fā)電及智能型電網(wǎng)業(yè)務(wù)，3年后其電力及基礎(chǔ)建設(shè)業(yè)務(wù)的獲利，將達(dá)電子產(chǎn)品部的2倍。　　東芝的半導(dǎo)體部門已連續(xù)3季出現(xiàn)營業(yè)虧損，使其減緩該部門支出，并在其它領(lǐng)域?qū)で蠊潭I收來源，例如健康醫(yī)療及水處理等。　　東芝目前預(yù)期，包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產(chǎn)品部門于2012年3月底結(jié)束的會(huì)計(jì)年度，獲利將達(dá)約1000億日元(10億美元);而屆時(shí)社會(huì)基礎(chǔ)建設(shè)業(yè)務(wù)獲利則可達(dá)2000億
關(guān)鍵字：東芝 NAND 晶圓

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)既樂觀又擔(dān)憂的7個(gè)理由

　　盡管最近市場調(diào)研公司VLSI仍不修正半導(dǎo)體業(yè)陰沉的預(yù)測，即09年全球設(shè)備市場下降44.2%及半導(dǎo)體市場下降12.4%，而其CEO Hutcheson對于IC工業(yè)仍非常樂觀。　　根據(jù)與Hutcheson的對話及公司的最新報(bào)告，以下將結(jié)論刊出，共有4個(gè)正面意見及2個(gè)負(fù)面看法。以下是為什么分析師呈現(xiàn)樂觀或者擔(dān)心的原因。　　1. 看到回升　　7月的周報(bào)IC銷售額上升到33億美元，打破了三周來IC銷售額的陰沉局面，因?yàn)橥ǔ?月是典型的弱月份，所以這條消息具正面意見。依周與周的比較，IC銷
關(guān)鍵字： Cisco 通訊太陽能 NAND

第二季度NAND Flash市場收入大漲33.6%

　　在NAND Flash供貨商產(chǎn)能減產(chǎn)效應(yīng)及新興市場庫存回補(bǔ)需求的雙重幫助下，第二季NAND Flash平均銷售價(jià)格(ASP)約上漲20% QoQ，整體NAND Flash出貨量則增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌廠商營收都較上一季成長，2009年第二季全球NAND Flash品牌廠商整體營收為27億8千6百萬美元，較上一季的20億8千6百萬美元成長33.6%QoQ。　　就2009年第二季NAND Flash品牌廠商營收排行來看，Samsung營收為10億3千7
關(guān)鍵字： Micron NAND

基于SoPC目標(biāo)板Flash編程設(shè)計(jì)的創(chuàng)建及應(yīng)用

隨著EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)技術(shù)的發(fā)展和可編程邏輯器件性能的不斷提高，基于FPGA的可編程片上系統(tǒng)技術(shù)為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供了一種簡單、靈活、高效的途徑?；贜iosII的可編程片上系統(tǒng)(SoPC)設(shè)計(jì)中，幾乎所有的應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用Flash存儲(chǔ)器，而Flash的編程必需相應(yīng)的目標(biāo)板Flash編程設(shè)計(jì)支持。結(jié)合實(shí)際應(yīng)用詳細(xì)論述了目標(biāo)板Flash編程設(shè)計(jì)的創(chuàng)建及應(yīng)用。
關(guān)鍵字： Flash SoPC 編程

東芝閃存工廠遭雷擊出貨量下降價(jià)格上漲10%

　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，東芝日前發(fā)生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件，盡管NAND Flash產(chǎn)能并未受到影響，然令業(yè)界意外的是，由于該廠房主要生產(chǎn)包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產(chǎn)品，因此，使得東芝microSD卡供應(yīng)量驟降，帶動(dòng)近期microSD卡價(jià)格上漲逾10%。　　內(nèi)存業(yè)者認(rèn)為，過去記憶卡價(jià)格一直嚴(yán)重偏低，業(yè)界趁此機(jī)會(huì)調(diào)漲終端記憶卡售價(jià)，但NAND Flash芯片價(jià)格上漲機(jī)率則不高。　　業(yè)內(nèi)人士表示，2009年初NAND Flash芯片價(jià)格持續(xù)上漲，記憶卡價(jià)格卻沒有跟上來，導(dǎo)致NAND Flas
關(guān)鍵字：東芝 NAND 晶圓

三星閃存芯片被指侵權(quán)殃及八家公司

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，美國知識(shí)產(chǎn)權(quán)公司BTG International Inc.(以下簡稱“BTG”)今天向美國國際貿(mào)易委員會(huì)提出申訴，稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項(xiàng)專利，要求禁止進(jìn)口侵權(quán)芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。　　BTG申訴材料稱，涉案專利與采用“多層存儲(chǔ)單元”(MLC)技術(shù)的閃存芯片的編程和讀取方法有關(guān)。MLC技術(shù)能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲(chǔ)密度。　　申訴材料指出，包括手機(jī)、攝像機(jī)、筆記本和
關(guān)鍵字：三星 NAND 閃存芯片 MLC

海力士41納米通過認(rèn)證　切入蘋果供應(yīng)鏈

　　海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運(yùn)多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開始活躍起來，日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應(yīng)鏈，獲得認(rèn)證通過，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋果」! 　　海力士2008年下半開始，NAND Flash出貨量變得相當(dāng)少，一方面是48納米制程量產(chǎn)不順，另一方面是NAND Flash價(jià)格崩盤，導(dǎo)致虧損
關(guān)鍵字： Hynix NAND 48納米 41納米 34納米存儲(chǔ)器

NAND Flash買氣淡 7月下旬合約價(jià)仍穩(wěn)住陣腳

　　7月下旬NAND Flash合約價(jià)在一片淡季聲中，仍是穩(wěn)住陣腳，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈現(xiàn)持平。模塊廠表示，三星電子(Samsung Electronics)釋出數(shù)量不多，因此即使市場的買氣平平，NAND Flash價(jià)格下跌壓力有限，而英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營則是維持低價(jià)搶單的策略;市調(diào)機(jī)構(gòu)英鼎(inSpectrum)預(yù)估，全球第3季的NAND Flash產(chǎn)出仍會(huì)較第2季成長25%，估計(jì)約16.26億顆(以8Gb容量計(jì)算)。　　根據(jù)英鼎
關(guān)鍵字：三星 NAND 記憶卡

臺(tái)塑絕地大反攻　拉攏英特爾入股華亞科

　　臺(tái)塑集團(tuán)布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極，除集團(tuán)挹注資金、爭取國發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時(shí)進(jìn)行，目前整起投資案正由外資機(jī)構(gòu)評估中。存儲(chǔ)器業(yè)者透露，華亞科擬引進(jìn)英特爾投資，主要關(guān)鍵系說服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動(dòng)作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲(chǔ)器市場坐大，甚至威脅英特爾在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)地位。　　存儲(chǔ)器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進(jìn)英特爾資金，除爭取資金挹注，另一個(gè)重要原因，就是希望藉
關(guān)鍵字： TMC DRAM NAND

蘋果預(yù)付5億美元與東芝簽閃存長期供貨協(xié)議

　　蘋果高管近日在財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上表示，該公司已與東芝達(dá)成閃存芯片長期供貨協(xié)議，并向后者預(yù)付5億美元貨款。　　這一交易對于東芝而言可謂“及時(shí)雨”。東芝是全球第二大NAND閃存芯片廠商，面臨閃存芯片價(jià)格滑坡和來自三星電子的激烈競爭等問題。　　消息人士表示，5億美元相當(dāng)于蘋果一個(gè)季度NAND閃存芯片需求量的價(jià)值。
關(guān)鍵字：蘋果閃存芯片 NAND

英特爾推出業(yè)內(nèi)首款34納米NAND閃存固態(tài)硬盤

　　英特爾公司已經(jīng)開始采用更為先進(jìn)的34納米生產(chǎn)流程制造其領(lǐng)先的NAND閃存固態(tài)硬盤(SSD)。SSD是電腦硬盤的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進(jìn)的工程設(shè)計(jì)，34 納米產(chǎn)品將使SSD的價(jià)格(與一年前推出產(chǎn)品時(shí)的價(jià)格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費(fèi)者帶來實(shí)惠。　　多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)，有80GB和160GB兩個(gè)版本可供選擇。SSD是電腦中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。由于SSD不包括任何移動(dòng)部件，因此與傳統(tǒng)硬盤(
關(guān)鍵字：英特爾 34納米 NAND 固態(tài)硬盤

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]