nand flash 文章最新資訊

NAND Flash買氣急凍　通路庫存塞車

　　NAND Flash經(jīng)歷2個月價格狂飆后，近期市場買氣一夕轉(zhuǎn)淡，記憶體模組廠紛因庫存急增，開始出現(xiàn)驚慌失措。模組廠表示，3、4月NAND Flash漲價時，通路商一度擔心會缺貨，因而囤積不少庫存，然5月NAND Flash市場卻出乎意外地很快冷卻下來，由于消費者需求不振，導致中間通路商手上庫存整個塞住，并造成16Gb產(chǎn)品現(xiàn)貨價跌破4美元心理關(guān)卡，合約價漲勢亦熄火，模組廠5月同時面臨NAND Flash和DRAM需求不振，恐將反應在營收表現(xiàn)上。　　模組廠表示，2009年第1季NAND Flash市場
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美硅谷公司開發(fā)出數(shù)據(jù)存儲新技術(shù) 有望取代NAND閃存

　　美國硅谷一家公司19日宣布開發(fā)出一種新技術(shù)，并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。　　這家名為“統(tǒng)一半導體”的公司發(fā)布新聞公報說，新型存儲器的單位存儲密度有望達到現(xiàn)有NAND型閃存芯片的4倍，存儲數(shù)據(jù)的速度有可能達到后者的5倍到10倍。　　NAND型閃存因為存儲容量大等特點，目前在數(shù)碼產(chǎn)品中應用比較廣泛。但也有一些專家認為，NAND型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進一步提高。“統(tǒng)一半導體”表示，其制造的新型存儲器旨在
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三星預計今年全球芯片商仍將艱難度日

　　全球最大的存儲芯片制造商--韓國三星電子公司11日預計，由于全球經(jīng)濟形勢惡化，2009年對于芯片商而言是艱難的一年。　　據(jù)道瓊斯新聞網(wǎng)報道，三星電子公司半導體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉當天對投資者說，很難預測全球芯片市場何時回暖。他說，隨著企業(yè)壓縮信息技術(shù)產(chǎn)品開支以及消費者收緊“腰包”，今年以來全球個人電腦和手機市場需求正在持續(xù)萎縮。　　不過，他指出，今年三星公司的存儲芯片出貨量仍將繼續(xù)增加，預計今年該公司DRAM芯片的出貨量最高將增加15%，NAND閃存芯片出貨量最高將增加30%
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為功耗敏感應用選擇最佳的低功耗、低成本FPGA

功耗敏感應用的設(shè)計人員如今面對前所未有嚴格的系統(tǒng)總體功耗限制、規(guī)范和標準。與此同時，這類應用所要求的功...
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恒憶聯(lián)合群聯(lián)電子海力士開發(fā)閃存控制器

　　恒憶半導體(Numonyx)、群聯(lián)電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開發(fā)協(xié)議，三方將按照JEDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC™ 4.4產(chǎn)業(yè)標準，為下一代managed-NAND解決方案開發(fā)閃存控制器。預計此項合作將加快當前業(yè)內(nèi)最先進的eMMC標準的推廣，有助于管理和簡化大容量存儲需求，提高無線設(shè)備和嵌入式應用的整個系統(tǒng)級性能。　　根據(jù)這項協(xié)議，恒憶、群聯(lián)電子和海力士將利用各自的技術(shù)，開發(fā)能夠支持各種NAND閃存
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內(nèi)存行業(yè)或已觸底現(xiàn)貨漲價但復蘇道路漫長

　　《華爾街日報》撰文稱，從上周末三星和海力士發(fā)布的財報可以看出，內(nèi)存芯片行業(yè)似乎已經(jīng)觸底，這對整個半導體行業(yè)來說是一個積極的信號。　　雖然內(nèi)存芯片行業(yè)收入只占全球半導體行業(yè)2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類似芯片行業(yè)中的日用商品，很難與其他芯片部門區(qū)分開來，因此是芯片行業(yè)整體表現(xiàn)的主要指標。內(nèi)存行業(yè)下滑開始于2007年初，隨后芯片行業(yè)在2008年就開始了全面衰退。　　上周五，兩家全球最大的內(nèi)存芯片商三星電子和海力士都在發(fā)布第一季度報告時稱，與芯片有關(guān)的虧損低于上年同期。
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iSuppli：存儲芯片市場恢復盈利還為時過早

　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調(diào)潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。繼　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調(diào)潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
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TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器

　　TDK公司日前宣布開發(fā)出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計劃于五月份開始銷售。　　TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達95MB/S的高速訪問。該產(chǎn)品支持2KB/頁和4KB/頁結(jié)構(gòu)的SLC(單層單元)內(nèi)存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應用領(lǐng)域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器，到視聽設(shè)
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內(nèi)存晴雨表：聲稱內(nèi)存市場復蘇的報告過于夸張

　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調(diào)潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。　　繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場將在今年剩余時間內(nèi)增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。　　圖4所示為iSuppli公
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自動圖像報警系統(tǒng)研究及單片機實現(xiàn)

報警系統(tǒng)廣泛應用于銀行、飯店、交通管理以及智能大廈等場所和領(lǐng)域。傳統(tǒng)的自動報警裝置，大多采用單點信號報警，即在某一特定位置安放傳感器，當該采集點處的物理量達到報警門限時，就向中心控制計算機發(fā)出報警請求
關(guān)鍵字：單片機實現(xiàn) 研究報警系統(tǒng) 圖像自動圖像報警 RISC FLASH CPLD 自適應單片機

瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器MCU

　　瑞薩科技公司（以下簡稱“瑞薩”）于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器微控制器（Flash微控制器）。這個系列是32位SuperH™ RISC系列*1的新成員，它為AC伺服、FA（工廠自動化）設(shè)備、樓宇自動化（空調(diào)和電力監(jiān)控設(shè)備）和各種通信設(shè)備等工業(yè)應用實現(xiàn)了200 MHz操作和大量內(nèi)置式外設(shè)及通信功能。SH7216系列包含12個產(chǎn)品群的36款器件，其片上存儲器容量和封裝類型各有不同。這些產(chǎn)品的主要特性如下： (1) 達到
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集邦：海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位

　　針對NAND閃存產(chǎn)業(yè)，研究機構(gòu)集邦科技最新研究報告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市場占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。　　集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營運狀況分析指出，三星因擁有較大產(chǎn)能，同時制程持續(xù)轉(zhuǎn)往42納米及3x納米，預期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降，但制程技術(shù)也將轉(zhuǎn)往 43納米及32納米，預期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。　　集邦科技表示，市場占有率第三和第
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易用性是FPGA在更多領(lǐng)域獲得成功的關(guān)鍵

以提供多種基于Flash和反熔絲技術(shù)的低功耗、高可靠性單芯片F(xiàn)PGA而著稱的Actel公司，在全球經(jīng)濟出現(xiàn)下滑的2008...
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三星和海力士獲得蘋果7000萬NAND大單

　　4月15日消息據(jù)韓國媒體報道蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單，要求供應7000萬顆NAND型閃存芯片，用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想　　韓國時報指出，有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果，而海力士也將供應2000萬顆。” 　　部分分析師認為，蘋果這次大規(guī)模訂單，將刺激韓國芯片廠商業(yè)績，同時，也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復蘇。　　分析師還指出，N
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三維NAND內(nèi)存技術(shù)將讓固態(tài)存儲看到希望

　　IBM的技術(shù)專家Geoff Burr曾說過，如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場那么大，而且還要配備自己的發(fā)電廠的話，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而，如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺的話，那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。　　這并非危言聳聽，過去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲性能和容量不足的現(xiàn)象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了，而且那樣做也很方便。現(xiàn)在，Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]