nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

內(nèi)存晴雨表：聲稱內(nèi)存市場(chǎng)復(fù)蘇的報(bào)告過于夸張

　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場(chǎng)復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會(huì)在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。　　繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營(yíng)業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場(chǎng)將在今年剩余時(shí)間內(nèi)增長(zhǎng)。第二季度DRAM與NAND閃存營(yíng)業(yè)收入合計(jì)將增長(zhǎng)3.6%，第三和第四季度分別增長(zhǎng)21.9%和17.5%。　　圖4所示為iSuppli公
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自動(dòng)圖像報(bào)警系統(tǒng)研究及單片機(jī)實(shí)現(xiàn)

報(bào)警系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于銀行、飯店、交通管理以及智能大廈等場(chǎng)所和領(lǐng)域。傳統(tǒng)的自動(dòng)報(bào)警裝置，大多采用單點(diǎn)信號(hào)報(bào)警，即在某一特定位置安放傳感器，當(dāng)該采集點(diǎn)處的物理量達(dá)到報(bào)警門限時(shí)，就向中心控制計(jì)算機(jī)發(fā)出報(bào)警請(qǐng)求
關(guān)鍵字：單片機(jī) 實(shí)現(xiàn) 研究報(bào)警系統(tǒng) 圖像自動(dòng) 圖像報(bào)警 RISC FLASH CPLD 自適應(yīng) 單片機(jī)

瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲(chǔ)器MCU

　　瑞薩科技公司（以下簡(jiǎn)稱“瑞薩”）于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存儲(chǔ)器微控制器（Flash微控制器）。這個(gè)系列是32位SuperH™ RISC系列*1的新成員，它為AC伺服、FA（工廠自動(dòng)化）設(shè)備、樓宇自動(dòng)化（空調(diào)和電力監(jiān)控設(shè)備）和各種通信設(shè)備等工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了200 MHz操作和大量?jī)?nèi)置式外設(shè)及通信功能。SH7216系列包含12個(gè)產(chǎn)品群的36款器件，其片上存儲(chǔ)器容量和封裝類型各有不同。這些產(chǎn)品的主要特性如下： (1) 達(dá)到
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集邦：海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位

　　針對(duì)NAND閃存產(chǎn)業(yè)，研究機(jī)構(gòu)集邦科技最新研究報(bào)告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市場(chǎng)占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。　　集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營(yíng)運(yùn)狀況分析指出，三星因擁有較大產(chǎn)能，同時(shí)制程持續(xù)轉(zhuǎn)往42納米及3x納米，預(yù)期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降，但制程技術(shù)也將轉(zhuǎn)往 43納米及32納米，預(yù)期東芝今年的市場(chǎng)占有率約在30%以上居次。　　集邦科技表示，市場(chǎng)占有率第三和第
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易用性是FPGA在更多領(lǐng)域獲得成功的關(guān)鍵

以提供多種基于Flash和反熔絲技術(shù)的低功耗、高可靠性單芯片F(xiàn)PGA而著稱的Actel公司，在全球經(jīng)濟(jì)出現(xiàn)下滑的2008...
關(guān)鍵字： FPGA Flash LCD

三星和海力士獲得蘋果7000萬(wàn)NAND大單

　　4月15日消息據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道蘋果最近向韓國(guó)三星電子與海力士?jī)杉夜鞠聠危蠊?yīng)7000萬(wàn)顆NAND型閃存芯片，用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想　　韓國(guó)時(shí)報(bào)指出，有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應(yīng)5000萬(wàn)顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果，而海力士也將供應(yīng)2000萬(wàn)顆。” 　　部分分析師認(rèn)為，蘋果這次大規(guī)模訂單，將刺激韓國(guó)芯片廠商業(yè)績(jī)，同時(shí)，也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復(fù)蘇。　　分析師還指出，N
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三維NAND內(nèi)存技術(shù)將讓固態(tài)存儲(chǔ)看到希望

　　IBM的技術(shù)專家Geoff Burr曾說過，如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場(chǎng)那么大，而且還要配備自己的發(fā)電廠的話，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢(mèng)。然而，如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計(jì)劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺(tái)的話，那么10年以后他們就會(huì)陷入那樣的噩夢(mèng)之中。　　這并非危言聳聽，過去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲(chǔ)性能和容量不足的現(xiàn)象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了，而且那樣做也很方便。現(xiàn)在，Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
關(guān)鍵字： IBM NAND 固態(tài)存儲(chǔ)

Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在E5中的應(yīng)用

1． E5的特點(diǎn)及體系結(jié)構(gòu)
E5是位于美國(guó)硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU，它是基于8051的內(nèi)核，但將微處理器的內(nèi)核，ASCI及可重構(gòu)邏輯陣列集成與一體，構(gòu)成一款CSOC（可配置系統(tǒng)）芯片。Triscend E5的主要特點(diǎn)
關(guān)鍵字： E5 應(yīng)用存儲(chǔ)器數(shù)據(jù) Memory 作為 Flash Triscend E5 閃存映射

FSI國(guó)際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造

　　美國(guó)明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國(guó)際有限公司(納斯達(dá)克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR?全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估?？蛻?/li>
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FSI國(guó)際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造

　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國(guó)際有限公司(納斯達(dá)克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估?？蛻魧?duì)制造過程中無灰化光刻膠剝離法、實(shí)現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機(jī)臺(tái)能力給予肯定。除了
關(guān)鍵字： FSI 半導(dǎo)體 NAND

業(yè)界稱Windows 7將推動(dòng)NAND閃存芯片需求

3月21日消息，內(nèi)存廠商預(yù)計(jì)Windows 7的將推動(dòng)NAND閃存芯片的需求，因?yàn)檫@種新的操作系統(tǒng)為利用固態(tài)硬盤進(jìn)行了優(yōu)化。在當(dāng)前的市場(chǎng)不確定的情況下，優(yōu)化固態(tài)硬盤以便適應(yīng)Windows 7已經(jīng)成為固態(tài)硬盤廠商和筆記本電腦廠商的重點(diǎn)。
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NAND多空未明　市場(chǎng)仍在觀望

集邦科技(DRAMeXchange)表示，2月下旬NAND Flash(閃存)合約價(jià)格呈現(xiàn)上揚(yáng)，現(xiàn)貨價(jià)格方面卻已經(jīng)開始下跌；然而，目前現(xiàn)貨市場(chǎng)仍處于多空未明狀態(tài)，觀望氣氛濃厚，買家不敢貿(mào)然搶進(jìn)。集邦表示，2月下旬主流MLC NAND Flash合約均價(jià)約上漲8%到36%，SLC合約價(jià)則維持平盤，價(jià)格上漲的主要原因是今年首季國(guó)際大
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DRAMeXchange：2009年NAND flash產(chǎn)能預(yù)計(jì)將減小59%

據(jù)EE Times網(wǎng)站報(bào)道，市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange的分析顯示，全球NAND flash產(chǎn)能繼2008年減少近28%之后，2009年將再降59%。 2009年NAND flash位增長(zhǎng)幅度將較2008大64%，而2007年位增長(zhǎng)率高達(dá)133%。如果需求在下半年恢復(fù)且供應(yīng)商控制其產(chǎn)出增長(zhǎng)，那供應(yīng)過剩的局面可能得到改善，NAN
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三星NAND產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)占有率40%

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange指出，2008年NAND Flash品牌廠商公布去年第四季暨全年?duì)I收排名出爐，SAMSUNG以46億1千4百萬(wàn)美元，市占率為40.4％，蟬聯(lián)第一寶座觀察2007年與2008年NAND Flash品牌市場(chǎng)變化，2007年品牌廠商全年?duì)I收約為133億6千8百萬(wàn)美元，2008年則為114億1千8百萬(wàn)美元，年?duì)I收下跌14.6％，2008年平均銷售價(jià)格較2007年下跌63％。　　Toshiba以全年?duì)I收為32億5百萬(wàn)美元，市占率28.1％排名居次，比2007年的
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Adobe與蘋果聯(lián)手開發(fā)iPhone版Flash軟件

日前，Adobe CEO山塔努·納拉延(Shantanu Narayen)在出席達(dá)沃斯世界經(jīng)濟(jì)論壇時(shí)表示，將與蘋果合作研發(fā)iPhone手機(jī)的Flash軟件。據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，納拉延認(rèn)為與蘋果的合作是一項(xiàng)高難度的技術(shù)挑戰(zhàn)，這需要雙方的協(xié)作。納拉延對(duì)目前雙方所取得的工作進(jìn)展表示非常滿意。去年3月份，蘋果創(chuàng)始人史蒂夫·喬布斯(Steve Jobs)曾表示，因?yàn)殡娔X版Flash軟件占用資源過大，iPhone的處理器和內(nèi)存無法適應(yīng)。而
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]