nand flash 文章進入nand flash技術社區(qū)

嵌入式操作系統(tǒng)自更新機制的設計與應用

引言隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展和廣泛應用,必不可少的維護工作變得日益繁重。如移動電話在用戶使用過程中，部...
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 自更新機制進程 Flash

2008年存儲市場忽上忽下，令人難忘

　　2008年對于全球存儲產(chǎn)業(yè)來說是一個重要階段，發(fā)生了幾件改變市場的大事： ? 一種高清DVD格式落敗，而另一種格式則成為產(chǎn)業(yè)標準。 ? 固態(tài)存儲作為硬盤的替代品，地位繼續(xù)上升 ? 年末經(jīng)濟滑坡破壞了整體科技產(chǎn)業(yè)的前景 HD-DVD之死　　一年以前，緊接著2008年1月的國際消費電子展會(CES)，華納兄弟作出了令業(yè)內(nèi)震驚的聲明，表示將放棄原來以HD DVD高清DVD格式發(fā)行其內(nèi)容的計劃，轉(zhuǎn)而完全采用藍光標準。　　HD DVD陣營為此遭到當頭一棒，領頭者東芝也不再支持該格
關鍵字：存儲 HDD SSD flash

基于JTAG的DSP外部FLASH在線編程與引導技術

在以DSP為核心的數(shù)字信號處理系統(tǒng)中，通常將可執(zhí)行代碼存放在非易失性存儲器，在系統(tǒng)加電或復位時通過DSP的引導...
關鍵字： JTAG FLASH 在線編程引導

解密16G MLC NAND閃存表象下的技術細節(jié)

2006年初，美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IMFlashTechnologies公司(IMFT)在市場上閃亮登場。通過整合I...
關鍵字： NAND 閃存技術細節(jié) 位密度多晶硅

系統(tǒng)斷電時FPGA數(shù)據(jù)保護方法

從消費電子設備到工業(yè)控制設備，越來越多的系統(tǒng)都在使用FPGA。這些應用通常需要設備在斷電時存儲一些數(shù)據(jù)，比如...
關鍵字：斷電存儲 FPGA RAM TAG FLASH

受益東芝海力士減產(chǎn) NAND閃存價格回穩(wěn)

　　12月25日消息，據(jù)臺灣媒體報道，NAND Flash12月下旬合約價出爐，終止先前下跌趨勢，至少都以平盤以上開出，主流規(guī)格晶片漲幅更在16%以上，隨價格回穩(wěn)走揚，將有助創(chuàng)見、威剛、群聯(lián)等模組業(yè)者降低庫存跌價損失壓力。　　業(yè)者指出，這次NAND Flash價格止跌回穩(wěn)，主要是反應日本東芝與韓國海力士減產(chǎn)效益，隨晶片廠對力保價格不跌有了堅定共識，也意味NAND Flash回穩(wěn)態(tài)勢已逐步確立。　　根據(jù)集邦科技昨日最新報價，NAND Flash12月下旬合約價都以平盤以上開出，其中以16Gb主流規(guī)格
關鍵字： NAND

東芝削減NAND閃存芯片30%產(chǎn)量

　　東芝宣布，削減30%的閃存芯片產(chǎn)量，以應對需求降低，庫存增加的考驗。　　東芝還說，位于日本四日市的四家工廠本月將停工17天，以降低內(nèi)存卡與MP3播放器的產(chǎn)量。　　東芝在一份聲明中說：“全球經(jīng)濟不景氣以及消費低迷正在對半導體需求產(chǎn)生嚴重沖擊。尤其是NAND閃存芯片，由于使用這種芯片的MP3播放器供應過剩，其需求大幅下降。東芝慎重考慮了這種情形，決　　定降低四日市工廠的產(chǎn)量。” 　　東芝在四日市有兩家300毫米晶圓工廠以及兩家200毫米晶圓工廠。300毫米晶圓廠將停工
關鍵字： NAND

半導體巨頭推動工藝研發(fā) 三個陣營角力

　　國務院發(fā)展研究中心國際技術經(jīng)濟所研究員吳康迪　　遵循“摩爾定律”的指引，全球半導體巨頭正邁向32納米工藝；不過，其研發(fā)策略卻各不相同。　　全球32納米芯片微細技術開發(fā)主要有3個陣營，參加單位數(shù)目最多的是IBM陣營，其次是英特爾公司，第三是日本公司，此外還有中國臺灣地區(qū)的臺積電、歐洲比利時微電子中心IMEC等。　　英特爾技術業(yè)界領先　　2007年9月，英特爾公司領先業(yè)界在“開發(fā)者論壇”首次展出了32納米工藝的測試
關鍵字： 32納米英特爾 NAND

東芝與SanDisk明年NAND閃存產(chǎn)量將減少30%

　　北京時間12月16日消息，據(jù)國外媒體報道，日本東芝與美國SanDisk公司周二表示，因全球經(jīng)濟下滑，打擊數(shù)碼相機和便攜式音樂播放器的芯片需求，1月起將減少NAND快閃記憶體(閃存)30%產(chǎn)量。　　需求重挫加上產(chǎn)能過剩，造成半導體價格直落，令東芝芯片業(yè)務上半會計年度出現(xiàn)虧損。　　首爾HI投資證券分析師Song Myung-sup認為：“東芝與SanDisk減產(chǎn)是項利好消息，但因為整體市場需求疲弱，單單如此還不足以提振NAND的價格。在出現(xiàn)復蘇前得先清出庫存，而這要有需求才能帶動。&r
關鍵字： NAND

東芝與SanDisk明年NAND閃存產(chǎn)量將減少30%

　　北京時間12月16日消息，據(jù)國外媒體報道，日本東芝與美國SanDisk公司周二表示，因全球經(jīng)濟下滑，打擊數(shù)碼相機和便攜式音樂播放器的芯片需求，1月起將減少NAND快閃記憶體(閃存)30%產(chǎn)量。　　需求重挫加上產(chǎn)能過剩，造成半導體價格直落，令東芝芯片業(yè)務上半會計年度出現(xiàn)虧損。　　首爾HI投資證券分析師Song Myung-sup認為：“東芝與SanDisk減產(chǎn)是項利好消息，但因為整體市場需求疲弱，單單如此還不足以提振NAND的價格。在出現(xiàn)復蘇前得先清出庫存，而這要有需求才能帶動。&r
關鍵字： NAND 東芝 SanDis

08年芯片商10強公布英特爾17年第一

　　12月15日消息，市場研究公司Gartner發(fā)布了它預測的2008年10大芯片廠商排行榜。英特爾將連續(xù)第17年排名第一位。　　英特爾2008年的芯片市場份額預計將提高到13.1%。高通是10大芯片廠商中增長速度最快的廠商，因為高通2008年的芯片銷售收入增長了15%。　　海力士半導體將是10大芯片廠商中銷售收入下降最多的廠商，因為海力士半導體2008年的芯片銷售收入下降了29.7%。海力士半導體是受NAND閃存和DRAM內(nèi)存芯片價格下跌影響最嚴重的公司之一。由于供過于求，這兩種芯片的價格在20
關鍵字：英特爾 NAND

新型MCU實現(xiàn)帶DRM的單芯片數(shù)字音頻解碼器

　　近幾年，數(shù)字音頻市場發(fā)展非常迅速。獨立式音頻與多媒體播放器近幾年已成為數(shù)字音頻市場的主流。數(shù)以百萬計的消費者都在想辦法將其便攜式播放器與家用音響和車載立體聲音響進行最佳連接。這激勵著目前的家用和車載音頻設備廠商為迎接數(shù)字時代的到來而開始準備他們的HiFi系統(tǒng)。為了滿足人們對播放器不斷提高的要求，市場上也出現(xiàn)了大量芯片或芯片組。但這些進入數(shù)字音頻市場的芯片往往有很多缺陷，問題就出在合適處理硬件的選擇方面。　　傳統(tǒng)解決方案　　有些廠商試圖將計算機的一些組件用于音頻或多媒體播放器。盡管這些組件在一臺
關鍵字：數(shù)字音頻 ASIC NAND

全球芯片廠商集體削減開支應對經(jīng)濟下滑

　　據(jù)國外媒體報道，全球經(jīng)濟放緩以及信貸危機蔓延導致芯片需求降低，同時也對芯片制造廠商的運營產(chǎn)生了影響。因此，各大芯片制造商都紛紛關閉產(chǎn)量較少的工廠、延緩投資項目，有的甚至展開裁員以應對市場的不景氣。　　接下來的幾個月對于亞洲、歐洲和美國的幾家存儲芯片制造商而言將會至關重要。因為他們需要面臨不斷萎縮的芯片需求以及芯片價格的不斷下滑，有些存儲芯片的售價甚至已經(jīng)低于廠商的生產(chǎn)成本。　　全球經(jīng)濟的萎靡不振已經(jīng)使得幾家大型DRAM芯片和NAND閃存芯片制造商出現(xiàn)了虧損，同時使得其償債能力和新技
關鍵字：芯片制造 DRAM NAND

一種基于DSP 和MCU的雙CPU數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)設計

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
關鍵字： DSP MCU 主機接口 Flash CPU

存儲器件供應過剩，2008年將黯然收尾

　　據(jù)市場調(diào)研公司Gartner的最新報告，由于DRAM市場仍然受渠道庫存過多所累，且PC需求放緩，現(xiàn)貨價格連續(xù)第12周下滑，1-Gb DDR2目前報價是1.00美元。一年以前，1-Gb DDR2的價格高于2.60美元，但從那時到現(xiàn)在已累計下跌了62%。　　與前一周相比，全部DRAM的平均現(xiàn)貨價格跌4.3%。Gartner在報告中指出：“為假日季節(jié)備貨的時間僅剩五周，2008年第四季度在沒有重大因素的影響下變盤的可能性是零。從需求角度來看，2009年第一季度形勢比較疲軟，因此，如果廠商
關鍵字： DRAM NAND PC

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]