nand flash 文章最新資訊

基于SoPC目標板Flash編程設計的創(chuàng)建及應用

隨著EDA(電子設計自動化)技術的發(fā)展和可編程邏輯器件性能的不斷提高，基于FPGA的可編程片上系統(tǒng)技術為系統(tǒng)設計提供了一種簡單、靈活、高效的途徑?；贜iosII的可編程片上系統(tǒng)(SoPC)設計中，幾乎所有的應用設計都需要使用Flash存儲器，而Flash的編程必需相應的目標板Flash編程設計支持。結合實際應用詳細論述了目標板Flash編程設計的創(chuàng)建及應用。
關鍵字： Flash SoPC 編程

東芝閃存工廠遭雷擊出貨量下降價格上漲10%

　　據(jù)臺灣媒體報道，東芝日前發(fā)生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件，盡管NAND Flash產(chǎn)能并未受到影響，然令業(yè)界意外的是，由于該廠房主要生產(chǎn)包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產(chǎn)品，因此，使得東芝microSD卡供應量驟降，帶動近期microSD卡價格上漲逾10%。　　內存業(yè)者認為，過去記憶卡價格一直嚴重偏低，業(yè)界趁此機會調漲終端記憶卡售價，但NAND Flash芯片價格上漲機率則不高。　　業(yè)內人士表示，2009年初NAND Flash芯片價格持續(xù)上漲，記憶卡價格卻沒有跟上來，導致NAND Flas
關鍵字：東芝 NAND 晶圓

三星閃存芯片被指侵權殃及八家公司

　　據(jù)國外媒體報道，美國知識產(chǎn)權公司BTG International Inc.(以下簡稱“BTG”)今天向美國國際貿易委員會提出申訴，稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專利，要求禁止進口侵權芯片及相關產(chǎn)品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。　　BTG申訴材料稱，涉案專利與采用“多層存儲單元”(MLC)技術的閃存芯片的編程和讀取方法有關。MLC技術能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲密度。　　申訴材料指出，包括手機、攝像機、筆記本和
關鍵字：三星 NAND 閃存芯片 MLC

海力士41納米通過認證　切入蘋果供應鏈

　　海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開始活躍起來，日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應鏈，獲得認證通過，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋果」! 　　海力士2008年下半開始，NAND Flash出貨量變得相當少，一方面是48納米制程量產(chǎn)不順，另一方面是NAND Flash價格崩盤，導致虧損
關鍵字： Hynix NAND 48納米 41納米 34納米存儲器

NAND Flash買氣淡 7月下旬合約價仍穩(wěn)住陣腳

　　7月下旬NAND Flash合約價在一片淡季聲中，仍是穩(wěn)住陣腳，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈現(xiàn)持平。模塊廠表示，三星電子(Samsung Electronics)釋出數(shù)量不多，因此即使市場的買氣平平，NAND Flash價格下跌壓力有限，而英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營則是維持低價搶單的策略;市調機構英鼎(inSpectrum)預估，全球第3季的NAND Flash產(chǎn)出仍會較第2季成長25%，估計約16.26億顆(以8Gb容量計算)。　　根據(jù)英鼎
關鍵字：三星 NAND 記憶卡

臺塑絕地大反攻　拉攏英特爾入股華亞科

　　臺塑集團布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極，除集團挹注資金、爭取國發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時進行，目前整起投資案正由外資機構評估中。存儲器業(yè)者透露，華亞科擬引進英特爾投資，主要關鍵系說服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲器市場坐大，甚至威脅英特爾在半導體產(chǎn)業(yè)地位。　　存儲器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進英特爾資金，除爭取資金挹注，另一個重要原因，就是希望藉
關鍵字： TMC DRAM NAND

蘋果預付5億美元與東芝簽閃存長期供貨協(xié)議

　　蘋果高管近日在財報分析師電話會議上表示，該公司已與東芝達成閃存芯片長期供貨協(xié)議，并向后者預付5億美元貨款。　　這一交易對于東芝而言可謂“及時雨”。東芝是全球第二大NAND閃存芯片廠商，面臨閃存芯片價格滑坡和來自三星電子的激烈競爭等問題。　　消息人士表示，5億美元相當于蘋果一個季度NAND閃存芯片需求量的價值。
關鍵字：蘋果閃存芯片 NAND

英特爾推出業(yè)內首款34納米NAND閃存固態(tài)硬盤

　　英特爾公司已經(jīng)開始采用更為先進的34納米生產(chǎn)流程制造其領先的NAND閃存固態(tài)硬盤(SSD)。SSD是電腦硬盤的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進的工程設計，34 納米產(chǎn)品將使SSD的價格(與一年前推出產(chǎn)品時的價格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費者帶來實惠。　　多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺式機，有80GB和160GB兩個版本可供選擇。SSD是電腦中的數(shù)據(jù)存儲設備。由于SSD不包括任何移動部件，因此與傳統(tǒng)硬盤(
關鍵字：英特爾 34納米 NAND 固態(tài)硬盤

FLASH存儲器的測試方法研究

1．引言隨著當前移動存儲技術的快速發(fā)展和移動存儲市場的高速擴大，F(xiàn)LASH型存儲器的用量迅速增長。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優(yōu)點，在移動產(chǎn)品中非常適用。市場的需求催生了一大批FLASH芯片研發(fā)、
關鍵字： FLASH 存儲器測試方法研究

英特爾、美光NAND Flash殺價大反攻　三星買氣清淡

　　隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程NAND Flash產(chǎn)品，應戰(zhàn)三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術領先，近期英特爾和美光在價格策略上，更是上演絕地大反攻計畫，以超低價策略搶食三星地盤。下游廠商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價差相當驚人，而此策略亦讓英特爾陣營近期NAND Flash產(chǎn)品詢問度大增，三星在現(xiàn)貨市場活絡度則降低。　　英特爾
關鍵字： Intel 34納米 NAND 42納米

三星電子增加下半年在半導體業(yè)務投資

　　電子行業(yè)報紙ETnews周五報導稱，預計韓國三星電子下半年在一個半導體生產(chǎn)設施上投資至少1萬億韓元(合7.9億美元)。　　該報未指明消息來源稱，三星下半年在芯片業(yè)務方面的資本支出料為8,000億韓元左右。　　三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內活動上稱，三星預計下半年投資“略高于”上半年。　　該公司多次拒絕透露今年的資本投資計劃規(guī)模，或是迄今的已投資額。　　ETnews報稱，芯片業(yè)務下半年的投資將側重于引進更先進的生產(chǎn)技術，比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
關鍵字：三星 DRAM 30納米 NAND

NAND閃存價格波動破壞SSD市場普及性

　　周一消息研究機構iSuppli指出，NAND閃存價格大幅波動的現(xiàn)象，大幅削弱了之前對2009年固態(tài)硬盤(SSD)在筆記本電腦市場普及的預期。　　iSuppli專研行動和新興內存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價格上漲，對閃存供貨商來說來說是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因為SSD的價格約有90%由NAND閃存決定。所以當NAND閃存價格上漲，SSD在個人和企業(yè)市場的銷量就會減緩。　　多層單元(MLC)規(guī)格16GB的NAND閃存，其平均價格大幅上漲12
關鍵字： NAND 閃存 MLC

英特爾美光及三星開始NAND縮微大賽

　　全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響。無論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領導地位而互相較勁。但是實際上在目前存儲器下降周期時尺寸縮小競賽并無實際的意義。　　按分析師報告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計劃利用每單元3位技術于今年第四季度開始量產(chǎn)。　　在DRAM領域,三星一直是技術領導者,目前已作出46nm DRAM樣品。　　究竟誰是NAND尺寸縮小的領導者,據(jù)今年早些時候報道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
關鍵字：三星 DRAM NAND 存儲器

全球DRAM及NAND零售價推動毛利率上升

　　市調機構InSpectrum認為,盡管降低報價但是仍很難促進存儲器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價繼續(xù)因市場需求疲軟而下降。　　原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價開始利潤有所好轉。　　由于供應商擔心是持久力問題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿易中間商為了促銷給出更大的折扣,導致同樣在零售市場也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價格趨勢在零售價基礎上有點小的波動。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價
關鍵字：英特爾 DRAM NAND 34納米

Micron量產(chǎn)34nm NAND閃存芯片

　　Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術的NAND閃存芯片實現(xiàn)量產(chǎn)。Micron還稱其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤。　　Micron和其伙伴Intel近期宣布通過合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術做準備，計劃于第四季度推出樣品。
關鍵字： Micron 納米 NAND USB閃盤

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]